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- [发明专利]半导体二极管-CN201110336807.9无效
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杨明宗;李东兴
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联发科技股份有限公司
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2011-10-31
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2012-12-26
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H01L29/861
- 本发明公开一种半导体二极管，包括：半导体基底，具有第一导电型的轻掺杂区；第一重掺杂区，位于所述轻掺杂区内，且具有与所述第一导电型相反的第二导电型；第二重掺杂区，位于所述轻掺杂区内且与所述第一重掺杂区直接接触，其具有所述第一导电型；第一金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第一重掺杂区直接接触；第二金属硅化物层，位于所述半导体基底上，且与所述第二重掺杂区直接接触，其中所述第二金属硅化物层与所述第一金属硅化物层隔开本发明所提出的半导体二极管可降低半导体二极管的重掺杂区的接触电阻，进而有效的减少半导体二极管的功率损失。
- 半导体二极管
- [发明专利]半导体二极管-CN98812512.9有效
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W·克勒
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因芬尼昂技术股份公司
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1998-10-14
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2004-08-25
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H01L29/861
- 本发明涉及一种半导体二极管，有两个形成阴极(20)和阳极(10)的电极。该二极管的特征在于，至少有一个电极是弯曲的，另一个电极的表面面积最大为另一个电极的宽度与弯曲电极内边长度的乘积的20％。本发明还涉及一种电路，在其结构中包括一个半导体二极管，有两个形成阴极(20)和阳极(10)的电极，该二极管的特征在于，至少有一个电极是弯曲的，另一个电极的表面面积最大为另一个电极的宽度与弯曲电极内边长度的乘积的
- 半导体二极管
- [实用新型]半导体二极管-CN201520678677.0有效
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叶惠东
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苏州高新区华成电子有限公司
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2015-09-03
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2016-01-13
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H01L29/861
- 本实用新型公开了一种半导体二极管，其技术方案要点是：包括芯片以及包覆在芯片外部的外壳，所述外壳两端均设有滑槽，所述滑槽底壁设有与芯片相连的静触点，所述滑槽内滑移连接有引脚，所述引脚能够与静触点抵接，所述滑槽内设有定位引脚的定位部件,在将引脚折弯焊接在电路板上之后，当二极管内的芯片发生损坏之后，只需要解除定位部件的锁定，即可沿着滑槽，将壳体与引脚分离，实现壳体的拆卸，随后再安装上新的芯片即可，通过定位部件即可实现引脚与壳体的固定，不需要将引脚拆卸下来也可以实现芯片的更换，十分方便的实现了损坏的二极管的更换。
- 半导体二极管
- [实用新型]四脚全彩色发光二极管-CN200720075123.7无效
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顾自强;顾宁
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顾自强;顾宁
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2007-09-28
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2008-07-02
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F21V19/00
- 一种四脚全彩色发光二极管，由一个红色光二极管半导体晶片、一个绿色光二极管半导体晶片、一个蓝色光二极管半导体晶片和一个支架构成，支架上设置有透明封装体，透明封装体包围红色光二极管半导体晶片、绿色光二极管半导体晶片和蓝色光二极管半导体晶片，红色光二极管半导体晶片、绿色光二极管半导体晶片和蓝色光二极管半导体晶片的一极共同连接到公共电极上，另一极各自连接一个独立电极。本实用新型将红色光二极管半导体晶片、绿色光二极管半导体晶片和蓝色光二极管半导体晶片封装在一个壳体内，混色效果优于独立的LED组成的全彩像素，同时体积也大大缩小，可以使显示屏的分辨率大大提高，适合运用在全彩
- 四脚全彩色发光二极管
- [发明专利]分离半导体激光二极管的方法-CN02145883.9无效
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崔光基
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三星电机株式会社
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2002-10-17
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2003-07-02
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H01S5/00
- 本发明公开了一种分离半导体激光二极管的方法。在该方法中，在一衬底上形成n型化合物半导体层。在n型化合物半导体层上形成具有n型化合物半导体层的多个半导体激光二极管，使得半导体激光二极管的激光发射区彼此相连。在半导体激光二极管和用于彼此连接半导体激光二极管的激光发射区周围，去除n型化合物半导体层和形成半导体激光二极管的材料层。在半导体激光二极管之间的衬底背部形成垂直横穿激光发射区的基础切割线。沿各基础切割线彼此分离半导体激光二极管。于是，可以获得垂直于有源层的且具有清洁表面的激光发射面。此外，在分离半导体激光二极管的工艺中可将故障减至最小。
- 分离半导体激光二极管方法
- [实用新型]一种半导体二极管测试定位装置-CN202220115507.1有效
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钟裕祥;刘江燕;刘奇玉
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深圳市宏胜实业有限公司
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2022-01-17
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2022-08-16
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G01R31/26
- 本实用新型涉及半导体二极管技术领域，且公开了一种半导体二极管测试定位装置，包括固定机构、本体机构、定位机构和半导体二极管本体，所述本体机构位于固定机构的上端，所述定位机构位于本体机构上端的内部，所述半导体二极管本体位于本体机构上端的内部并位于定位机构的内侧该半导体二极管测试定位装置，通过在放置板的上端设置了防损垫，保护半导体二极管本体放置时不会和放置板硬性接触而受到损坏，检测时通过移动电机驱动伸缩杆推动定位板夹紧半导体二极管本体，使半导体二极管本体在检测过程中不会松动，增加半导体二极管本体检测的准确度，并且还通过定位板呈对称分布于放置板的外侧，可用于不同规格的半导体二极管本体进行定位检测。
- 一种半导体二极管测试定位装置
- [实用新型]一种半导体二极管烘干装置-CN202320491352.6有效
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孙孝兵
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连云港瑞而盛电子科技有限公司
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2023-03-15
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2023-08-25
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F26B11/18
- 本实用新型公开了一种半导体二极管烘干装置，属于半导体二极管加工技术领域，针对了半导体二极管不便于放入和拿出烘干装置内部与半导体二极管烘干程度不一的问题，包括转筒，转筒转动连接在壳体内底壁中部，转筒内底壁中部固定有轴承，轴承内环内侧壁固定有主加热棒；本实用新型通过转动开启盖板后将半导体二极管依次放入放置框内部，将半导体二极管引脚插入放置框底部与其对应的小孔内部完成对半导体二极管的安装，在对其烘干完成后通过向上拉动半导体二极管上侧引脚即可将其从烘干装置内部取出，减少了半导体二极管在烘干装置内的安装拆卸时间，从而大大提高了半导体二极管的烘干效率。
- 一种半导体二极管烘干装置
- [发明专利]半导体装置-CN201110110591.4有效
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上村仁
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三菱电机株式会社
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2011-04-29
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2011-11-23
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H01L23/367
- 本发明涉及半导体装置，具备：功率半导体列（6）和二极管列（7），功率半导体列（6）包含：位于功率半导体列（6）的一方的端部的功率半导体（11A）和位于另一方的端部的功率半导体（11C）、和位于功率半导体（11A）和功率半导体（11C）之间的功率半导体（11B），二极管列（7）包含：位于二极管列（7）的一方的端部的二极管（12A）、位于另一方的端部的二极管（12C）、和位于二极管（12A）与二极管（12C）之间的二极管（12B），关于ON状态下的发射极电极与集电极电极间的电阻值，功率半导体（11B）比功率半导体（11A）和功率半导体（11C）大，施加开启电压以上的电压时的二极管（12B）的电阻值，比施加开启电压以上的电压时的二极管（12A）和二极管（12C）的电阻值高。
- 半导体装置
- [发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202310084818.5在审
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S·M·埃特;陈宇鹏
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半导体元件工业有限责任公司
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2023-02-08
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2023-08-11
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H01L27/02
- 本申请涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。在一个示例中，一种半导体器件包括：第一引导二极管和第二引导二极管，该第一引导二极管和该第二引导二极管位于半导体材料区域的顶侧处；第一齐纳二极管，该第一齐纳二极管掩埋在该半导体材料区域内；以及第二齐纳二极管，该第二齐纳二极管位于该半导体材料区域的底侧处。该半导体器件被配置为双向静电放电(ESD)结构。该第一齐纳二极管和该第一引导二极管被配置为响应正ESD脉冲，并且该第二齐纳二极管和该第二引导二极管被配置为响应负ESD脉冲。这些引导二极管被配置为具有低电容，并且这些齐纳二极管被配置为提供增强的ESD保护。本文公开了其他相关示例和方法。
- 半导体器件制造方法
- [发明专利]一种半导体发光二极管照明装置-CN200510101319.4无效
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柯艳涛
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许东;林峻毅
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2005-11-15
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2007-05-23
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F21S4/00
- 本发明公开了一种半导体发光二极管照明装置，它包括固定半导体发光二极管的基座，半导体发光二极管驱动器，还包括放置固定半导体发光二极管的基座(2)的底盒(1)，底盒(1)上装的反射罩(4)，反射罩(4)上布设有反射孔(5)，反射孔(5)向内凹陷形成反射面(12)，反射孔(5)与基座(2)上的半导体发光二极管(3)相对应。本发明对半导体发光二极管的照度提高30％以上，改善半导体发光二极管光源的散热性，延缓半导体发光二极管的使用寿命，解决了半导体发光二极管集成应用问题，更容易实现制造大型照明装置。增强了光源产品可维护性。
- 一种半导体发光二极管照明装置
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