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[发明专利]微纤维玻璃棉喷吹成型装置-CN202310367471.5在审
发明人：张卫平 -专利权人：山西华康绿色建材有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C03B37/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种微纤维玻璃棉喷吹成型装置，属于保温纤维材料生产设备技术领域；包括腔体；腔体内设置有原料熔化区、熔体均化区、熔体喷吹区、熔体成型区；原料熔化区与熔体均化区相连通；原料熔化区的顶部设置有加料口；原料熔化区的底部连接有一级底烧枪；熔体均化区的底部连接有二级底烧枪；熔体均化区通过熔体出口与熔体喷吹区相连接；熔体喷吹区底部设置有若干喷吹孔；喷吹孔连接有助燃气通道和燃气通道；熔体喷吹区顶部与熔体成型区相连通；熔体成型区设置有纤维丝出口；熔体喷吹区的深度为5‑150mm；本装置实现原料熔化、均化、喷吹、成型一次性完成，不需要经过一次丝的状态，减少了拉丝排丝过程中产生的并丝问题。
纤维玻璃棉成型装置

[实用新型]一种微纤维玻璃棉喷吹成型装置-CN202320756312.X有效
发明人：张卫平 -专利权人：山西华康绿色建材有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C03B37/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微纤维玻璃棉喷吹成型装置，属于保温纤维材料生产设备技术领域；包括腔体；腔体内设置有原料熔化区、熔体均化区、熔体喷吹区、熔体成型区；原料熔化区与熔体均化区相连通；原料熔化区的顶部设置有加料口；原料熔化区的底部连接有一级底烧枪；熔体均化区的底部连接有二级底烧枪；熔体均化区通过熔体出口与熔体喷吹区相连接；熔体喷吹区底部设置有若干喷吹孔；喷吹孔连接有助燃气通道和燃气通道；熔体喷吹区顶部与熔体成型区相连通；熔体成型区设置有纤维丝出口；熔体喷吹区的深度为5‑150mm；本装置实现原料熔化、均化、喷吹、成型一次性完成，不需要经过一次丝的状态，减少了拉丝排丝过程中产生的并丝问题。
一种纤维玻璃棉成型装置

[发明专利]一种梯级熔融盐回收碳纤维的系统-CN202211580249.5在审
发明人：胡红云;任阳;刘欢;姚洪 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08J11/00 文献下载
摘要：该系统包括：热处理单元，包括依次连接的一级反应器和二级反应器，一级反应器和二级反应器的底部均设置有多个超声发生器，一级反应器内容纳有第一复合熔盐，二级反应器内容纳有第二复合熔盐，一级反应器用于对碳纤维增强树脂基复合材料进行一次热解，二级反应器用于对一次热解后的碳纤维增强树脂基复合材料进行二次热解，第一复合熔盐的催化性大于第二复合熔盐，第一复合熔盐的熔点小于第二复合熔盐；碳纤维回收单元，包括依次连接的清洗区和干燥区，清洗区用于对二次热解得到的碳纤维进行清洗，干燥区用于将清洗后的碳纤维进行干燥，以实现碳纤维的回收。
一种梯级熔融回收碳纤维系统

[发明专利]制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统-CN202010120752.7有效
发明人：吴锋;赵培芝;孙江桥;李钊;韩秀娟 -专利权人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本发明公开了制备区熔用电子级多晶硅的方法和系统。其中，制备区熔用电子级多晶硅的方法包括：(1)将三氯氢硅和氢气供给至反应器中进行第一阶段反应；(2)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅，进行第二阶段反应；(3)继续向所述反应器中供给三氯氢硅、氢气和二氯二氢硅，进行第三阶段反应，得到区熔用电子级多晶硅。该方法可以产出内应力小、晶粒大小适中且分布均匀的区熔用电子级多晶硅产品。
制备用电多晶方法系统

[发明专利]一种基于电子束熔丝沉积成形的构件连接区设计方法-CN201810843612.5有效
发明人：强博;王向明;许平;苏智星;王钦 -专利权人：中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： B23K15/00 文献下载
摘要：一种基于电子束熔丝沉积成形的构件连接区设计方法，其中，构件连接区包括横向结构(1)和纵向结构(2)，首先，对横向结构(1)和纵向结构(2)进行强度分析，并根据强度分析结果，确定横向结构(1)和纵向结构(2)的电子束熔丝的铺丝方向；然后，在横向结构(1)的连接区上设计第一级过渡区(3)，在纵向结构(2)连接区设计第二级过渡区(4)；最后，以横向结构(1)的铺丝方向作为基准，第一级过渡区(3)和第二级过渡区(4)的区域内的铺丝方向按照设定角度逐渐偏转，直至第二级过渡区(4)的铺丝方向与纵向结构铺丝方向一致。
一种基于电子束沉积成形构件连接设计方法

[发明专利]一种制备超纯铟的装置及采用该装置制备的方法-CN202010755349.1有效
发明人：郑红星;彭巨擘;李明旭;伍美珍;钱权;张启旺;张云虎;卢兴伟;陈丽诗;雷云;周京明 -专利权人：云南锡业集团（控股）有限责任公司研发中心;上海大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C22B9/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备超纯铟的顶端自吸式垂直区熔提纯装置与方法，该装置包括真空腔体，设于该真空腔体内的垂直区熔系统及上端的自吸系统；将装有4N/5N级铟原料的石英管安装至垂直区熔系统中，分别设置加热温度、冷阱温度，并通过导杆带动石英管上下移动，进行多道次垂直区熔，每循环进行n(n＝5‑10)道次垂直区熔提纯后，将石英管内顶端试样10％‑20％体积分数的铟金属熔化，通过自吸系统吸出。完成3个循环共计3n次垂直区熔提纯过程后，取出并截取石英管两端各5％‑15％体积分数的试样，剩余中间区域试样进行重熔制样。本发明通过顶端自吸式垂直区熔装置与方法，能够实现6N级及以上不同等级纯度的超纯铟产品高效稳定生产。
一种制备超纯铟装置采用方法

[实用新型]一种带填料添加的聚碳酸酯改性试验装置-CN201620179704.4有效
发明人：邱琪浩;王晨晔;周志峰;周浩;徐小武 -专利权人：宁波浙铁大风化工有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： B29B7/74 文献下载
摘要：一种带填料添加的聚碳酸酯改性试验装置，包括有初级混炼挤出机以及二级混炼挤出机，所述初级混炼挤出机用于对PC粒子或PC助剂进行熔融混炼，挤出PC熔体，所述二级混炼挤出机用于对PC熔体进行二次混炼；所述初级混炼挤出机和二级混炼挤出机均沿其长度方向设置有若干入料区，所述初级混炼挤出机的输出熔体直接接于二级混炼挤出机的其一入料区，所述二级混炼挤出机设置有脱挥口，所述脱挥口连接至真空系统。1、通过脱挥口的设置，降低VOC含量；2、将PC熔体产生和二级混炼进行分离，保证脱挥效果不会对PC粉末产生影响；3、将脱挥口设置合理，提高脱挥效果；4、设置多个入料区，保证助剂可以在合适位置进行添加。
一种填料添加聚碳酸酯改性试验装置

[实用新型]一种区熔级多晶硅料的制备装置-CN202120378030.1有效
发明人：张华芹;程佳彪 -专利权人：上海韵申新能源科技有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C01B33/035 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种区熔级多晶硅料的制备装置，所述区熔级多晶硅料的制备装置包括底盘；设置在底盘上的炉体，所述炉体与底盘围设成炉腔；设置在炉腔内的硅芯，作为化学气相沉积的基质；主加热电源，所述主加热电源与硅芯电路连通为硅芯供电；原料进口，用于通入生成区熔级多晶硅料的气体原料；辅助加热装置，所述辅助加热装置通过管道与炉腔连通，为硅芯预热。
一种区熔级多晶制备装置

[实用新型]一种带真空脱挥的聚碳酸酯改性试验装置-CN201620180761.4有效
发明人：徐小武;王晨晔;邱琪浩;周志峰 -专利权人：宁波浙铁大风化工有限公司
申请日： 2016-03-09 - 公布日： 2016-07-27 - 主分类号： B29C47/76 文献下载
摘要：一种带真空脱挥的聚碳酸酯改性试验装置，包括有初级混炼挤出机以及二级混炼挤出机，所述初级混炼挤出机用于对PC粒子或PC助剂进行熔融混炼，挤出PC熔体，所述二级混炼挤出机用于对PC熔体进行二次混炼；所述初级混炼挤出机和二级混炼挤出机均沿其长度方向设置有若干入料区，所述初级混炼挤出机的输出熔体直接接于二级混炼挤出机的其一入料区，所述二级混炼挤出机设置有脱挥口，所述脱挥口连接至真空系统。1、通过脱挥口的设置，降低VOC含量；2、将PC熔体产生和二级混炼进行分离，保证脱挥效果不会对PC粉末产生影响；3、将脱挥口设置合理，提高脱挥效果；4、设置多个入料区，保证助剂可以在合适位置进行添加。
一种真空聚碳酸酯改性试验装置

[发明专利]一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场-CN201210301011.4无效
发明人：阮光玉;冷先锋;王楠 -专利权人：北京京运通科技股份有限公司
申请日： 2012-08-22 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C30B13/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场，涉及单晶硅生产技术，本发明实施例提供的区熔热场扩大了加热线圈的内径，使得加热线圈的内径大于或等于30mm，同时在加热线圈的上斜面外设置了至少一级台阶平台，从而改变磁力线的作用，使得直径较大的多晶硅料能够彻底熔化，进而实现拉制直径较大的区熔单晶硅。
一种单晶硅生产工艺方法区熔热场

[发明专利]减少不需要电流的半导体集成电路-CN98103050.5无效
发明人：泉诚司 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-07-21 - 公布日： 1999-02-17 - 主分类号： H01L27/00 文献下载
摘要：提供使用熔丝的半导体集成电路,其中减少了流过熔丝元件或临近电路区的电流。熔丝元件可以插在包括两个MOSFET的反相器内,以减少直接流过熔丝元件的电流。触发器电路提供在后级用于判断熔丝是否熔断。触发器电路根据内部延时电路产生的时钟数据操作,以减少流过附近电路区的电流。
减少不需要电流半导体集成电路

[发明专利]一种锗的提纯方法-CN202011609591.4有效
发明人：牛晓东;赵青松;狄聚青;顾小英;朱刘;胡智向 -专利权人：安徽中飞科技有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C22B41/00 文献下载
摘要：本发明将锗料在还原气体气氛下进行区熔提纯，第一次区熔处理后切头，降低熔区宽度进行第二次区熔处理，再降低熔区宽度进行第三次区熔处理，切尾，然后降低熔区宽度进行第四次区熔处理，切头切尾，得到纯化锗。本发明不仅确保提纯后锗具有非常高的纯度，还提高了提纯效率和收率，如采用电子级锗作为原料，纯化锗为高纯锗，纯度在1×1012cm‑310cm‑3～1×1011cm‑3，同时每次区熔处理结束后不需要头尾都切除，提高了提纯收率，区熔次数也能够控制在30次以内。
一种提纯方法

[发明专利]一种制备太阳级硅的方法-CN200810120790.1有效
发明人：阙端麟;顾鑫;杨德仁 -专利权人：浙江大学
申请日： 2008-09-05 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： C30B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及制备太阳级硅的方法，步骤如下：先用氮化硅或石英制作底部中心厚度大于边沿厚度，且从底部中心到边沿厚度平滑递减的舟状坩埚，在坩埚的内表面均匀地喷涂氮化硅层；然后将坩埚放入烧结炉中烧结；再向坩埚中放入硅料，通过严格控制熔化温度和熔区移动速率，在真空条件下进行水平区熔，得到纯度达到太阳级硅要求的硅材料。本发明方法简单易行，无污染，在水平区熔提纯过程中坩埚不易破裂，提纯效率高，可以明显降低生产成本。
一种制备太阳方法

[实用新型]高纯锗多晶制备区熔炉-CN201120226613.9有效
发明人：白尔隽 -专利权人：白尔隽
申请日： 2011-06-30 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： C30B29/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于制备探测器级锗多晶的高纯锗多晶制备区熔炉。本实用新型区熔设备清洁度更高，用石英舟取代现用的石墨舟，将原料锗锭放置于石英舟内区熔，降低了制备产品过程中混杂杂质的可能性，保障了产品的纯度，且区熔过程采用窄熔区结构移动加热区熔，使其热量集中，大大提高区熔过程中杂质的分凝效果，提高纯化的效率，且经过反复多次区熔，进一步提高产品纯度。
高纯多晶制备熔炉

[发明专利]半导体器件的熔丝锁存器-CN201811516589.5有效
发明人：千德秀 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： G11C29/52 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件的熔丝锁存器。所述熔丝锁存器包括多个PMOS晶体管和多个NMOS晶体管以锁存熔丝单元数据。在熔丝锁存器中，PMOS晶体管形成在单个P型有源区中，以及NMOS晶体管在P型有源区的一侧布置成两级结构。
半导体器件熔丝锁存器

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