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[发明专利]二次电池、电池组、电动车辆、蓄电系统、电动工具及电子装置-CN201580051941.0有效
发明人：杉田修平;洼田忠彦 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2015-08-11 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01M10/0565 文献下载
摘要：这种二次电池设置有：正极；负极；和(1)第一聚合物化合物层，其设置在正极和负极之间，并邻接正极，或(2)第二聚合物化合物层，其设置在正极和负极之间，并邻接负极，或(3)第一聚合物化合物层和第二聚合物化合物层第一聚合物化合物层和/或第二聚合物化合物层包括含有氟(F)作为构成元素的聚合物化合物和分散在聚合物化合物中的导电材料。
二次电池电池组电动车辆系统电动工具电子装置

[发明专利]三硫化物化合物或硒代三硫化物化合物的制造方法-CN202180013040.8在审
发明人：朝长昌一郎;下川育实 -专利权人：协和医药化工股份有限公司
申请日： 2021-03-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： C07C319/24 文献下载
摘要：本发明公开一种三硫化物化合物或硒代三硫化物化合物的制造方法。该制造方法包括：利用氧化剂使二硫化物化合物氧化而得到亚砜化合物的步骤；和使得到的亚砜化合物与硫源或硒源反应而得到三硫化物化合物或硒代三硫化物化合物的步骤。
硫化物化合物硒代三制造方法

[发明专利]含硅酯部分的聚合物化合物和由其制备的组合物-CN02126371.X有效
发明人： W·T·布朗 -专利权人：罗姆和哈斯公司
申请日： 2002-07-19 - 公布日： 2003-02-26 - 主分类号： C08F130/08 文献下载
摘要：本发明提供了具有硅酯部分的聚合物化合物。硅酯部分位于聚合物化合物的一端。聚合物化合物含有作为聚合单元的烯键式不饱和单体和悬挂在聚合物化合物主链上的至少一个官能团。聚合物化合物用于改善无机基质的表面性能。本发明还提供了一种制备聚合物化合物和已用该聚合物化合物处理的无机基质的方法。
含硅酯部分聚合物化合物制备组合

[实用新型]组装式化合物阵列芯片-CN03219636.9无效
发明人：肖鹏峰;刘全俊;王红;陆祖宏 -专利权人：肖鹏峰;刘全俊;陆祖宏
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：实用新型组装式化合物阵列芯片涉及的是一种组装式化合物分子检测芯片。组装式化合物阵列芯片结构包括支撑物、载体和多聚物化合物分子。支撑物上组装有若干载体，各自载体上合成有对应的多聚物化合物分子。载体及其对应的多聚物化合物分子在支撑物上的位置是已知的，其中的多聚物化合物分子与特定流体相互作用后，其性质的改变可以通过光学等方法进行检测。编码载体上不同多聚物化合物分子采用组合化学法合成，将不同多聚物化合物分子相同位置具有相同单体分子的合并进行相同的化学反应。这里的多聚物化合物分子是指由数目不多的小分子为单体构成的化合物分子，主要包括寡核苷酸、多肽、多糖、以及肽核酸等生物大分子。
组装化合物阵列芯片

[发明专利]制备高纯度顺式-环己烷-1,2-二甲酸盐的方法-CN201980044284.5有效
发明人： D·L·多森;王晓莺;刘睿 -专利权人：美利肯公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： C07C51/41 文献下载
摘要：本申请涉及一种制备高纯度盐化合物的方法，其包括以下步骤：提供有机化合物，提供金属氢氧化物化合物，将金属氢氧化物化合物和有机化合物添加到含水介质中，加热反应混合物以使有机化合物与金属氢氧化物化合物反应，收集盐化合物，将收集的盐化合物暴露于微波辐射，并且将收集的盐化合物暴露于红外辐射。
制备纯度顺式环己烷甲酸方法

[发明专利]一种盐酸巴尼地平的合成工艺-CN200810246353.4有效
发明人：李立威;程志刚;李勋军;高健;苏春轩;马学功 -专利权人：武汉百科药物开发有限公司
申请日： 2008-12-27 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： C07D401/12 文献下载
摘要：一种盐酸巴尼地平的合成工艺，其合成工艺包括以下步骤：(1)3-羟基丙腈(I)与双乙烯酮(II)反应，得化合物(VI)；(2)化合物(VI)与间硝基苯甲醛(III)反应，得化合物(VII)；(3)化合物化合物(VII)与β-氨基巴豆酸乙酯(IV)反应，得化合物(VIII)；(4)化合物化合物(VIII)被强碱水解，得化合物(IX)；(5)化合物化合物(IX)以手性有机碱拆分，得化合物(X)；(6)化合物(X)与苄基吡咯醇(V)反应，得化合物(XI)；(7)化合物化合物(XI)加入氯化氢的溶液，可得到盐酸巴尼地平(XII)。
一种盐酸巴尼地平合成工艺

[发明专利]高热单体及其使用的方法-CN201580039913.7在审
发明人：爱德华·诺曼·彼得斯;斯科特·迈克尔·费希尔;杰基索尔·帕尔 -专利权人：沙特基础工业全球技术有限公司
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： C08G59/22 文献下载
摘要：提供了高纯度环氧化物化合物、用于制备高纯度环氧化物化合物的方法以及衍生自环氧化物化合物的组合物。还提供了衍生自环氧化物化合物的材料和制品。
高热单体及其使用方法

[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法-CN201710350908.9有效
发明人：维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体层序列，具有：第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。
半导体序列用于制造方法

[发明专利]半导体层序列和用于制造半导体层序列的方法-CN201480006555.5有效
发明人：维尔纳·贝格鲍尔;菲利普·德雷克塞尔;彼得·施陶斯;帕特里克·罗德 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体层序列，具有第一氮化物化合物半导体层；第二氮化物化合物半导体层；和设置在所述第一氮化物化合物半导体层和第二氮化物化合物半导体层之间的中间层；其中从第一氮化物化合物半导体层起，中间层和第二氮化物化合物半导体层沿着半导体层序列的生长方向依次地设置并且直接相继地彼此邻接，其中中间层至少局部地具有与第一氮化物化合物半导体层不同的晶格常数，并且其中第二氮化物化合物半导体层至少局部地与中间层晶格匹配。
半导体序列用于制造方法

[发明专利]组装式化合物阵列芯片及制备方法-CN03112772.X无效
发明人：肖鹏峰;刘全俊;王红;陆祖宏 -专利权人：肖鹏峰;刘全俊;陆祖宏
申请日： 2003-01-28 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明组装式化合物阵列芯片及其制备方法，涉及的是一种组装式化合物分子检测芯片及其制备工艺方法。组装式化合物阵列芯片结构包括支撑物、载体和多聚物化合物分子。支撑物上组装有若干载体，各自载体上合成有对应的多聚物化合物分子。载体及其对应的多聚物化合物分子在支撑物上的位置是已知的，其中的多聚物化合物分子与特定流体相互作用后，其性质的改变可以通过光学等方法进行检测。编码载体上不同多聚物化合物分子采用组合化学法合成，将不同多聚物化合物分子相同位置具有相同单体分子的合并进行相同的化学反应。这里的多聚物化合物分子是指由数目不多的小分子为单体构成的化合物分子，主要包括寡核苷酸、多肽、多糖、以及肽核酸等生物大分子。
组装化合物阵列芯片制备方法

[发明专利]一种绿色创新比阿培南侧链的制备方法-CN201010149894.2有效
发明人：林开朝;李兴民;陶友妮 -专利权人：湖南欧亚生物有限公司
申请日： 2010-04-19 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： C07D231/04 文献下载
摘要：一种绿色创新比阿培南侧链的制备方法：使用化合物和化合物NH2NH2·H2O，在化合物EtOH的作用下反应生成化合物HCONHNHCHO(I)，再通过化合物K2CO3和化合物的作用下反应生成化合物化合物和化合物KBr，H2O2在催化剂的情况生成化合物化合物和化合物K2CO3反应生成化合物
一种绿色创新南侧制备方法

[发明专利]用于制造氮化物化合物半导体器件的方法-CN201680025612.3有效
发明人：约阿希姆·赫特功;洛伦佐·齐尼;亚历山大·弗里 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：描述一种用于制造氮化物化合物半导体器件的方法，所述方法包括如下步骤：‑将第一氮化物化合物半导体层(1)生长到生长衬底(10)上；‑沉积掩模层(11)；‑在掩模层(11)上方生长第二氮化物化合物半导体层(2)；‑生长第三氮化物化合物半导体层(3)，使得所述第三氮化物化合物半导体层具有非平坦的结构(3a)；‑生长第四氮化物化合物半导体层(4)，使得所述第四氮化物化合物半导体层具有基本上平坦的表面；‑生长氮化物化合物半导体器件的功能层序列(8)；‑将功能层序列(8)与载体(13)连接；‑剥离生长衬底(10)，并且‑通过刻蚀工艺产生耦合输出结构(14)，其中至少部分地剥离第一、第二和第三氮化物化合物半导体层(1，2，3)。
用于制造氮化物化合物半导体器件方法

[发明专利]氟化嘧啶类似物及其使用方法-CN201380075852.0有效
发明人： R·戴富库;A·S·高尔;D·S·谢尔古伊夫 -专利权人：表观遗传学药业有限责任公司
申请日： 2013-03-15 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： C07H19/12 文献下载
摘要：氟化嘧啶类似物化合物、包括氟化嘧啶类似物化合物的组合物、制备氟化嘧啶类似物化合物的方法和通过施用氟化嘧啶类似物化合物抑制DNA甲基转移酶、治疗实体瘤和治疗血癌的方法。
氟化嘧啶类似物血癌实体瘤制备治疗施用

[发明专利]用于痛风的药物化合物-CN201310461970.7有效
发明人：沈如杰;李阅东;唐建飞;何海珍;刘玉艳;姚成娥;赵福斌;刘秋敏;马雯霞 -专利权人：杭州朱养心药业有限公司
申请日： 2013-09-30 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C07D277/56 文献下载
摘要：本发明涉及用于痛风的药物化合物。该药物化合物具有以下式I所示结构。本发明还涉及制备式I药物化合物的方法该方法包括使用有机溶剂对式I化合物进行精制的步骤。本发明药物化合物具有良好的药学性质。
用于痛风药物化合物

[发明专利]担载有羰基化合物用衍生物化剂的硅胶的制造方法-CN200580038327.7有效
发明人：久保田守;上森仁志 -专利权人：和光纯药工业株式会社
申请日： 2005-11-10 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G01N30/88 文献下载
摘要：本发明提供了一种担载有羰基化合物用衍生物化剂的硅胶的制造方法。为了降低测定羰基化合物时的空白值，本发明的课题在于提供一种制造时不易捕集羰基化合物的担载有羰基化合物用衍生物化剂的硅胶的制造方法、以及使用该制造方法得到的担载有羰基化合物用衍生物化剂的硅胶。另外，本发明涉及一种担载有羰基化合物用衍生物化剂的硅胶的制造方法，其特征在于，使担载有酸的硅胶与含有羰基化合物用衍生物化剂的有机溶剂相接触；涉及一种含有通过上述制造方法制造的担载有羰基化合物用衍生物化剂的硅胶的担载有羰基化合物用衍生物化剂的硅胶填充剂；以及涉及一种担载有羰基化合物用衍生物化剂的硅胶的制造方法等，其特征在于，将具有阳离子交换基团的硅胶预先用羰基化合物用衍生物化剂处理后，与含有羰基化合物用衍生物化剂的有机溶剂相接触。
载有羰基化合物衍生物化硅胶制造方法

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