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[发明专利]一种集成大功率三极管-CN201010546299.2无效
发明人：郭卫昌 -专利权人：郭卫昌
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成大功率三极管，其特征是，集成有：稳压IC、电阻、电容、二极管以及三极管，所述三极管的发射极为集成大功率三极管的发射极，所述三极管的基极为集成大功率三极管的基极，所述三极管的基极与稳压IC连接，所述三极管的集电极依次连接电容和二极管，所述二极管的负极为集成大功率三极管的集电极，所述集成大功率三极管的发射极和集电极之间并联有电容和电阻。
一种集成大功率三极管

[实用新型]一种集成大功率三极管-CN201020609338.4无效
发明人：郭卫昌 -专利权人：郭卫昌
申请日： 2010-11-15 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成大功率三极管，其特征是，集成有：稳压IC、电阻、电容、二极管以及三极管，所述三极管的发射极为集成大功率三极管的发射极，所述三极管的基极为集成大功率三极管的基极，所述三极管的基极与稳压IC连接，所述三极管的集电极依次连接电容和二极管，所述二极管的负极为集成大功率三极管的集电极，所述集成大功率三极管的发射极和集电极之间并联有电容和电阻。
一种集成大功率三极管

[发明专利]一种内嵌式复合散热结构的三维集成功率系统及制备方法-CN201510296250.9有效
发明人：傅兴华;林洁馨;马奎;杨发顺 -专利权人：贵州大学
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种内嵌式复合散热结构的三维集成功率系统及制备方法，它包括散热片（1），散热片（1）上方为高压大功率器件层（2），高压大功率器件层（2）上方为低压器件及传感器器件层（3），制备方法包括步骤1、低压器件及传感器器件层（3）制作；步骤2、高压大功率器件层的制作及嵌入芯片层的散热通孔制作；步骤3、高压大功率器件层（2）芯片层堆叠；步骤4、将高压大功率器件层（2）堆叠在散热片（1）上后，将低压器件及传感器器件层（3）堆叠在高压大功率器件层（2）上，形成内嵌式复合散热结构的三维集成功率系统等，本发明解决了三维集成功率系统的散热问题，因此具有集成度高，功率容量更大等优点。
一种内嵌式复合散热结构三维集成功率系统制备方法

[发明专利]一种微波毫米波空间功率合成放大器的设计方法-CN200810045442.2无效
发明人：金海焱;文光俊;金雁冰;肖馥林 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2008-07-01 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波毫米波空间功率合成放大器的设计方法，该设计方法首先确定了功率合成放大器的组成部分：功率功分器、放大器和功率合成器，然后依据现有技术的特征和需要，重点介绍了功率功分器的设计方法。该功率功分器主要通过下述步骤实现：a.设计微带到基片集成波导的过渡段；b.设计基片集成波导到半模基片集成波导的过渡段；c.设计半模基片集成波导到微带的过渡段，从而形成多路功率功分器。在实现功率功分器的基础上，根据无源网络的可逆性，将功率功分器倒置过来即可作为功率合成器使用。与现有技术相比，本发明完全采用平面结构设计，具有合成效率高，热沉性能好，加工简单，成本低，成品率高等优点。
一种微波毫米波空间功率合成放大器设计方法

[发明专利]一种功率分配器-CN201510375047.0在审
发明人：顾新桃;赵国涛;隆万洪;赵强;黄文韬 -专利权人：展讯通信（上海）有限公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种集成电路。一种功率分配器，包括，第一功分网络，连接于一输入端和一第一输出端之间，用于输出经分配的第一功率信号；第二功分网络，连接于输入端和一第二输出端之间，用于输出经分配的第二功率信号；第一输出端和第二输出端之间连接一隔离器件；第一功分网络和第二功分网络采用集成无源器件工艺集成于同一芯片上。本发明的功率分配器采用集成无源器件工艺集成于同一芯片上，集成度高，并能降低损耗，改善功分效果。
一种功率分配器

[实用新型]单级PFC的短路保护电路-CN201120508897.0有效
发明人：梁庆锋 -专利权人：惠州TCL王牌高频电子有限公司;惠州泰科立集团股份有限公司
申请日： 2011-12-08 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H02H3/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单级PFC的短路保护电路，包括：第一滤波电路、功率变换电路、第二滤波电路、集成电路IC、功率开关电路、光耦及分别与所述功率开关电路及所述集成电路IC连接的电流检测电路。通过本实用新型的单级PFC的短路保护电路，当输出端发生短路时，电路输出端为零，与其连接的光耦的供电电压为零而不能正常工作，因此集成电路IC的INV管脚接收不到信号，于是集成电路IC输出最大功率，电流检测电路拉低所述集成电路IC的COMP管脚，使得所述集成电路IC自动进入闭锁状态，进而保护了电路系统。
pfc 短路保护电路

[实用新型]一种集成光功率计、红光源的光纤熔接机-CN202320283743.9有效
发明人：张龙 -专利权人：南京吉隆光纤通信股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G02B6/255 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成光功率计、红光源的光纤熔接机，属于光纤通信技术领域，包括光纤熔接机主体，所述光纤熔接机主体一侧设有定位孔，还包括：集成安装块组件，所述集成安装块组件卡接安装在所述光纤熔接机主体的定位孔中；光功率计，所述光功率计安装在所述集成安装块组件中；红光源，所述红光源安装在所述集成安装块组件中；本实用新型将通过光功率计和红光源集成在光纤熔接机上，实现三者功能集中于一体，方便用户携带，实用方便，减少工具的采购降低采购成本
一种集成功率光源光纤熔接

[实用新型]智能功率模块-CN201420270010.2有效
发明人：潘志坚;黄祥钧;冯宇翔 -专利权人：美的集团股份有限公司
申请日： 2014-05-23 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种智能功率模块，包括：本体、功率器件、高压集成电路、采样电阻以及隔热件，本体包括依次叠置的金属层、绝缘层和电路层；功率器件、高压集成电路和采样电阻彼此间隔开地设在本体上且位于电路层侧，金属层上形成有第一和第二隔离槽，第一隔离槽在电路层上的投影环绕高压集成电路，第二隔离槽在电路层上的投影环绕采样电阻；隔热件填充在第一隔离槽和第二隔离槽内。根据本实用新型的智能功率模块，温度不易从高温的功率器件区域传递到非功率区域，从而不会影响到其它器件例如高压集成电路、采样电阻的工作环境，有效地保证了高压集成电路、采样电阻能够正常工作，而不会出现寿命衰减或参数衰减的情况
智能功率模块

[发明专利]具有机器学习能力的集成电路功率系统-CN201811375310.6在审
发明人： A.凯利 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H02M3/00 文献下载
摘要：提供了一种使用机器学习算法解决涉及集成电路系统上的功率递送的各种问题的功率系统。所述功率系统可以在目标集成电路附近的平台上或在云中在平台外处理数据，使得机器学习算法可以从数据提取信息、处理并分析数据以及基于分析结果执行合适的动作。将机器学习应用到集成电路功率递送可以涉及诸如异常检测、负载预测、回归以及分类之类的算法的应用。以这种方式操作，可以为功率系统提供改进的电压/频率缩放能力、安全性以及功率效率。
功率系统集成电路功率机器学习机器学习算法集成电路系统处理数据分析数据负载预测功率递送功率效率使用机器数据提取系统提供学习算法异常检测递送缩放算法集成电路应用分类回归改进

[发明专利]集成功率半导体器件的高压集成电路和半导体电路-CN202210869544.6在审
发明人：冯宇翔;左安超;华庆;蒋华杏 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成功率半导体器件的高压集成电路和半导体电路，其中高侧驱动模块内部设置有六通道的上桥臂驱动电路，低侧驱动模块内部设置有六通道的下桥臂驱动电路，小功率逆变模块内部设置有三路上下桥臂的开关管，以此可以组成小功率的逆变模块，用以驱动外部的小功率电机，如功率不超过0.1W的小功率马达。以此扩展了高压集成电路的功能。
集成功率半导体器件高压集成电路半导体电路

[发明专利]双声道OCL功率放大电路-CN201310607276.1在审
发明人：段学军 -专利权人：成都市思码特科技有限公司
申请日： 2013-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种双声道OCL功率放大电路，包括第一电容至第六电容、第一电阻、第二电阻、第一比较器、第二比较器、第一集成功率放大器、第二集成功率放大器、第一扬声器、第二扬声器、桥式整流电路和变压器，所述变压器的一次绕组的两端与电源的两端连接本发明双声道OCL功率放大电路接入音频放大电路中，电压经变压器变压后加载到集成功率放大器的电源端对其提供电压，同时扬声器的由功率集成放大器驱动发声，声音信号经比较器放大后输入集成功率放大器，本发明结构简单
双声道 ocl 功率放大电路

[实用新型]静电放电自保护电路-CN201821283360.7有效
发明人：周阿铖;曾正球 -专利权人：深圳南云微电子有限公司;广州金升阳科技有限公司
申请日： 2018-08-10 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H03K17/081 文献下载
摘要：一种静电放电自保护电路，包括集成功率管单元，集成功率管单元包括功率管NM1，功率管NM1为N沟道MOS管，由若干个单位MOS管并联构成，功率管NM1的漏极引出作为集成功率管单元的漏极引脚，功率管NM1的源极引出作为集成功率管单元的接地引脚GND，还包括辅助触发电路，所述辅助触发电路，连接在功率管NM1的漏极与栅极之间，当功率管的漏极引脚发生ESD事件时，辅助触发电路辅助触发功率管NM1的导通，用以通过复用功率管NM1本身的导通通路作为静电放电的主泄放路径
功率管管单元漏极辅助触发电路成功率静电放电自保护电路引脚本实用新型辅助触发接地引脚泄放电流不均匀触发点并联触发导通复用泄放源极芯片灵活

[发明专利]一种集成电感的沟槽功率器件及其制造方法-CN202110918977.1有效
发明人：梅兵;赵毅;石亮 -专利权人：重庆万国半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及功率器件半导体制造技术领域，公开了一种集成电感的沟槽功率器件的制造方法，包括如下步骤：A、元胞结构和集成电感的制备，B、接触孔的制备，C、电路链接层的制备，D、钝化层的制备；还公开了由上述制造方法得到的一种集成电感的沟槽功率器件本发明，可以在沟槽功率器件制造的同时制造电感元件，由于没有增加掩模版和芯片面积，成本可控，集成电感的沟槽功率器件可以减少外接电感的使用，从而减小印刷电路板的使用面积，达到降低成本和设备小型化的目的。
一种集成电感沟槽功率器件及其制造方法

[发明专利]集成功率放大器电路-CN200480017795.1有效
发明人：马克·多尔蒂;约翰·吉利斯;米歇尔·麦克帕特林;戴维·赫尔姆斯;菲利普·安东涅蒂 -专利权人：希格半导体（美国）公司
申请日： 2004-06-17 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：根据本发明的第一实施例，提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例，提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例，提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
集成功率放大器电路

[发明专利]半导体电路-CN202111277586.2在审
发明人：冯宇翔 -专利权人：广东汇芯半导体有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H02M7/5387 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体电路，该半导体电路包括电路板、多个驱动功率模块和一个功率因数校正模块，所述多个驱动功率模块和所述功率因数校正模块集成设置在所述电路板上，各所述驱动功率模块之间以及各所述驱动功率模块与所述功率因数校正模块之间通过共用的功能引脚电连接本发明所提出的半导体电路，其将多个驱动功率模块和一个功率因数校正模块集成在一起，使得集成后的半导体电路占用电控PCB的面积大大减小，从而简化整个电控PCB设计，降低电控总体成本，提高功率因数校正模块的抗干扰能力
半导体电路