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[发明专利]GaN功率IC与Si CMOS驱动异质集成芯片的制备方法-CN202211183776.2在审
发明人：戴家赟;周建军;王登贵;王钊;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种GaN功率IC与SiCMOS驱动异质集成芯片的制备方法，将GaN功率IC功能薄层与SiCMOS驱动衬底进行集成，通过微电子工艺中的微带线工艺实现信号的互联，构建GaN基功率IC与SiCMOS驱动异质集成芯片，在显著降低集成芯片面积的前提下，减小额外寄生和传输损耗，实现综合性能提升。
gan 功率 ic si cmos 驱动集成芯片制备方法

[发明专利]电源和功率级集成电路、悬臂式三轴稳定跟踪平台系统-CN201910884728.8有效
发明人：杨永明;王元超;华楠;匡海鹏 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： G05F1/625 文献下载
摘要：本申请提供了一种电源与功率级集成电路、悬臂式三轴稳定跟踪平台系统，将电源电路和功率级电路集成为一体。直流输入电源经过滤波、尖峰浪涌抑制、DC/DC转换后给外部主控供电；外部主控控制延时开启继电器，将直流输入电源分为三路，一路通过DC/DC转换后为外部数字电路板供电，一路为三轴稳定跟踪平台供电，一路直接为功率级电路供电功率级电路包括俯仰功率级、方位功率级和滚转功率级，均采用结构相同的H逆变桥。本申请将电源与功率级集成为一体，配套于一种快速换装多传感器集成的悬臂式三轴稳定跟踪平台系统，设计结构紧凑，有利于多种传感器集成。
电源功率集成电路悬臂式三轴稳定跟踪平台系统

[发明专利]介质集成波导到矩形波导过度的毫米波功率合成器及方法-CN202210852014.0有效
发明人：隋磊;卢煜旻;朱欣恩 -专利权人：上海矽杰微电子有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：本发明公开了介质集成波导到矩形波导过度的毫米波功率合成器及方法，质集成波导到矩形波导过度的毫米波功率合成方法，包括步骤S1：第一电路板的第一端口和第二端口均输入功率，以使得第一端口输入的功率和第二端口输入的功率通过介质集成波导进行第一合成并且将第一合成的第一功率传输到第一电路板的渐变探针本发明公开的介质集成波导到矩形波导过度的毫米波功率合成器及方法，其通过矩形波导、第一电路板和第二电路板进行联动，并且在每块电路板均设有渐变探针和介质集成波导，从而实现等幅同相或等幅反相输出，并且通过两个电路板四个端口实现功率的合成与均分
介质集成波导矩形波导过度毫米波功率合成器方法

[实用新型]自带有源功率因数校正的高频电泳整流器-CN201920146711.8有效
发明人：乔建龙;梁亮;李建勋;王会芹;尹忠一;马月娜;杨翠平;马天苗;索佳楠;陶卜 -专利权人：保定莱特整流器股份有限公司
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H02M1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种自带有源功率因数校正的高频电泳整流器包括集成控制器、全桥逆变调压电路以及有源功率因数校正电路，所述全桥逆变调压电路和所述有源功率因数校正电路均与所述集成控制器相连接，所述集成控制器与风冷散热器的若干风机相连接，所述集成控制器还连接有温度传感器模块。本实用新型采用上述结构的一种自带有源功率因数校正的高频电泳整流器，内部集成有源功率校正电路，避免输入交流电流畸变，较小电流谐波，提高设备运行功率因数，有源功率因数校正电路和全桥逆变调压电路采用一个控制器统一控制，保证有源功率因数校正电路和全桥逆变调压电路协调工作。
源功率因数校正电路变调集成控制器全桥电泳因数校正电路整流器本实用新型温度传感器模块输入交流电流风冷散热器功率因数内部集成设备运行统一控制校正电路控制器小电流风机畸变谐波协调保证

[发明专利]一种集成电路及制作集成电路的方法-CN201310016877.5有效
发明人：李铁生 -专利权人：成都芯源系统有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本申请公开了一种集成电路及制作集成电路的方法。所述集成电路包括：功率MOSFET，具有漏极、栅极和源极；JFET，具有漏极、栅极和源极，所述JFET的漏极耦接至所述功率MOSFET的漏极，所述JFET和功率MOSFET共用所述集成电路的衬底上的漂移区；检测引脚，耦接至所述JFET的源极；源极引脚，耦接至所述功率MOSFET的源极；栅极引脚，耦接至所述功率MOSFET的栅极；漏极引脚，耦接至所述功率MOSFET的漏极和所述JFET的漏极。本申请通过简单的制作工艺保证了低电压水平的控制器可接收功率MOSFET的漏极高压。
一种集成电路制作方法

[发明专利]用于对集成电路的功率消耗建模的方法和装置-CN201380042239.9有效
发明人：朴志桓 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： G01R21/00 文献下载
摘要：提供了对集成电路的功率消耗建模的方法以及支持该方法的装置。对集成电路的功率消耗建模的方法包括了解关于集成电路的时钟选通使能信号的信息；利用时钟选通使能信号的数量的变化率确定建模级别；以及根据建模级别和时钟选通使能信号的数量提取功率状态并且对功率状态中的功率消耗建模从而，因为可以仅利用时钟选通使能信号的数量来定义功率状态，所以可以快速且精确地估计动态功率消耗量。
用于集成电路功率消耗建模方法装置

[发明专利]集成功率放大器电路-CN200480018110.5有效
发明人：马克·多尔蒂;约翰·吉利斯;米歇尔·麦克帕特林;戴维·赫尔姆斯;菲利普·安东涅蒂 -专利权人：希格半导体（美国）公司
申请日： 2004-06-17 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积，并利用多集成电路技术，净生产成本很高，封装面积较大。本发明提出一种新的方案，其中，使用了几个传感和控制信号，对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说，这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例，提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例，提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例，提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
集成功率放大器电路

[发明专利]集成功率放大器电路-CN200480018109.2有效
发明人：马克·多尔蒂;约翰·吉利斯;米歇尔·麦克帕特林;戴维·赫尔姆斯;菲利普·安东涅蒂 -专利权人：希格半导体（美国）公司
申请日： 2004-06-17 - 公布日： 2006-08-16 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积，并利用多集成电路技术，净生产成本很高，封装面积较大。本发明提出一种新的方案，其中，使用了几个传感和控制信号，对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说，这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例，提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例，提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例，提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
集成功率放大器电路

[发明专利]集成功率放大器电路-CN200480017794.7有效
发明人：马克·多尔蒂;约翰·吉利斯;米歇尔·麦克帕特林;戴维·赫尔姆斯;菲利普·安东涅蒂 -专利权人：希格半导体（美国）公司
申请日： 2004-06-17 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：现有的功率放大器结构使用了较大的晶片面积，并利用多集成电路技术，净生产成本很高，封装面积较大。本发明提出一种新的方案，其中，使用了几个传感和控制信号，对与集成半导体功率放大器相关的关键值进行较好的和总的控制。对于实现最好制造和最经济的集成放大器来说，这些传感和控制信号如何实现以及在哪里实现是很关键的。根据本发明的第一实施例，提供一种带有双反馈低功率调压电路的三级功率放大器集成电路。根据本发明的第二实施例，提供一种用于三级功率放大器集成电路的具有低RF输出信号功率调节的电流源反馈电路。根据本发明的第三实施例，提供一种与三级功率放大器集成电路结合的集成对数电流检测器电路形式的检测器电路。本发明的三个实施例有利地克服了现有技术的局限性。
集成功率放大器电路

[实用新型]高集成功率模块和电器-CN201822273483.9有效
发明人：甘弟;马博斌;冯宇翔 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： F24F11/88 文献下载
摘要：本实用新型公开了高集成功率模块和电器。该高集成功率模块包括：基板，所述基板包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域位于所述基板的中部，所述第二区域和所述第三区域围绕所述第一区域；整流桥、功率因数校正器件和智能功率模块，其中，整流桥设置在第二区域内，功率因数校正器件设置在第一区域内，智能功率模块设置在第三区域内；整流桥与功率因数校正器件电连接，功率因数校正器件与智能功率模块电连接。该高集成功率模块将整流桥、功率因数校正器件和智能功率模块集成设置在一块基板上，并通过优化各构件的布局，有效提高了高集成功率模块的散热性能，确保了模块驱动电路的稳定性，使模块具有更高的可靠性和更长的使用寿命
高集成功率模块功率因数校正智能功率模块第一区域整流桥基板第二区域电连接本实用新型电器集成设置模块驱动器件设置散热性能使用寿命电路优化

[发明专利]交错并联电路、功率集成模块及功率集成芯片-CN201610783952.4有效
发明人：蔡超峰;梁乐;陈燕 -专利权人：台达电子企业管理（上海）有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H02M3/158 文献下载
摘要：本发明公开一种交错并联电路、功率集成模块及功率集成芯片，属于电力电子技术领域。
交错并联电路功率集成模块芯片

[发明专利]一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路-CN201110229831.2在审
发明人：郝明丽 -专利权人：沈阳中科微电子有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路属于射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本发明提供一种版图布局复杂程度低的高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本发明包括射频功率晶体管，其结构要点射频功率晶体管的输入端串接有片内平面螺旋电感。
一种稳定性射频功率放大器单片集成电路

[发明专利]电力传输控制器集成电路与功率开关的控制方法-CN202310501246.6在审
发明人：刘荣昌 -专利权人：威锋电子股份有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供一种电力传输(PD)控制器集成电路与功率开关的控制方法。功率开关的第一端与第二端分别耦接至通用串行总线(USB)连接器的电源引脚以及功能电路的电源输入端。PD控制器集成电路产生功率开关控制电压去控制功率开关。PD控制器集成电路可以在功能电路的上电期间中分阶段调整功率开关控制电压的电平，以渐进地导通功率开关。
电力传输控制器集成电路功率开关控制方法

[实用新型]一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路-CN201120291164.6有效
发明人：郝明丽 -专利权人：沈阳中科微电子有限公司
申请日： 2011-08-11 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路属于射频功率放大器技术领域，尤其涉及一种高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本实用新型提供一种版图布局复杂程度低的高稳定性射频功率放大器单片集成电路。本实用新型包括射频功率晶体管，其结构要点射频功率晶体管的输入端串接有片内平面螺旋电感。
一种稳定性射频功率放大器单片集成电路

[实用新型]一种手机音频优化电路-CN201821171515.8有效
发明人：王端喜 -专利权人：惠州市米琦通信设备有限公司
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： H04R5/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种手机音频优化电路，包括升压集成电路，升压集成电路连接有音频功率放大器，音频功率放大器连接有喇叭；升压集成电路的OUT端连接有第一电阻、第一电容以及第二电容，升压集成电路的FB端连接于第一电阻的另一端，集成电路的FB端还连接有第二电阻，第二电阻的另一端均与第一电容以及第二电容的另一端连接并且还连接于电源的负极；升压集成电路给音频功率放大器提供恒定的电源，从而使音频功率放大器的输出达到恒定功率，以使喇叭工作更稳定，效果更佳；升压集成电路与第一、第二电阻连接以满足对电压电流不同的使用需求滤除干扰电流保证音频功率放大器得到恒定的用电；实现音质效果好，结构简单，成本低。
升压集成电路音频功率放大器电容电阻手机音频优化电路恒定的电源喇叭本实用新型电压电流电阻连接干扰电流恒定功率一端连接音质效果负极滤除集成电路输出保证