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[实用新型]一种具有同一等离子体源的原子层沉积装置-CN201720549098.5有效
发明人：李哲峰 -专利权人：深圳市原速光电科技有限公司
申请日： 2017-05-17 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： C23C16/513 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种具有同一等离子体源的原子层沉积的装置，包括反应物传输腔以及与反应物传输腔相邻的可移动基底，反应物传输腔内设置有至少一个独立的前驱体反应物传输渠道和至少一个与所述前驱体反应物传输渠道间隔分布的等离子体反应物传输渠道，所述前驱体反应物传输渠道出口和等离子体反应物传输渠道出口设置在反应物传输腔与可移动基底的相邻面上，所述反应物传输腔上还连接有一等离子体源，为等离子体反应物传输渠道提供等离子体反应物，所有等离子体反应物传输渠道共享同一个等离子体源本实用新型通过设置多个等离子体反应物传输渠道和前驱体反应物传输渠道间隔分布，并设置可移动基底，达到高速率沉积材料的效果。
一种具有同一等离子体原子沉积装置

[实用新型]原子层沉积设备-CN202020670179.2有效
发明人：李哲峰;乌磊 -专利权人：深圳市原速光电科技有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型公开一种原子层沉积设备，该原子层沉积设备包括反应装置、放卷装置和收卷装置，反应装置设置于放卷装置和收卷装置之间，反应装置具有沿基底传输方向延伸的沉积隧道以及与沉积隧道连通的气体供给口，气体供给口包括隔离气体供给口、至少一组前驱体供给口以及至少一组反应物供给口，任意两组前驱体供给口与反应物供给口沿基底的传输方向交替间隔设置，任意相邻的一组前驱体供给口与一组反应物供给口之间设置有隔离气体供给口，每组前驱体供给口包括至少两个前驱体供给口，每组反应物供给口包括至少两个反应物供给口。本实用新型能够减少前驱体和反应物的总用量，避免前驱体和反应物多余的浪费，节约成本。
原子沉积设备

[发明专利]一种量子点合成放大的方法-CN201610758563.6在审
发明人：杨一行;曹蔚然;钱磊 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开一种量子点合成放大的方法，其包括步骤：将阳离子前驱体反应物加入到超重力反应装置的转子反应腔体中，然后除水除氧处理，同时形成无色透明溶液，整个过程中持续通入惰性气体形成惰性气氛保护；在转子反应腔体以500~50000转/分钟转速旋转形成超重力场的条件下，将阴离子前驱体反应物注入到转子反应腔体内，所述阴离子前驱体反应物与阳离子前驱体反应物体系瞬间均匀混合并反应，实现量子点放大合成反应。本发明引入超重力反应技术，在超重力反应过程中，转子反应腔体形成超重力场，此时将前驱体反应物原料注入到转子反应腔体内，在超重力场的作用下，阴离子前驱体反应物与转子反应腔体内的阳离子前驱体反应物体系瞬间均匀混合
一种量子合成放大方法

[发明专利]一种基于单原子层沉积的金属生长方法-CN201710192641.5在审
发明人：项金娟;王晓磊;杨红;王文武;赵超 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种基于单原子层沉积的金属生长方法，包括提供单原子层沉积设备；对单原子层沉积设备中的单原子层沉积反应腔进行除湿除氧处理；在反应腔中通入第一前驱体反应物，用于在基片表面进行反应；从反应腔中排出过剩第一前驱体反应物及反应副产物；在反应腔中通入第二前驱体反应物，用于与基片上的所述第一前驱体反应物进行反应；从反应腔中排出过剩第二前驱体反应物及反应副产物。
一种基于原子沉积金属生长方法

[实用新型]量子点前驱体合成装置-CN201720425133.2有效
发明人：陈绍楷 -专利权人：东莞市睿泰涂布科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种量子点前驱体合成装置，其包括前驱体反应区，该前驱体反应区包括至少一个螺旋状反应管，所述螺旋状反应管内壁上设有与该螺旋状相反方向的使注入反应管中的反应物因摩擦产生冒泡效应的途径槽，所述前驱体反应区的前段包覆有加热区，所述前驱体反应区的后段包覆有冷却区，于该前驱体反应区的前端设有注入口，所述前驱体反应区的前端还连接有加压装置。本实用新型的量子点前驱体合成装置结构简单可靠，通过螺旋状反应管中设有的途径槽能够将反应物进行搅拌，针对不同种类的前驱体调整螺旋状反应管的内径、长度，控制反应物在螺旋状反应管内的通过时间，从而能获得优质的前驱体
量子前驱合成装置

[发明专利]用于增加原子层沉积前驱体数量的方法-CN201210532057.7有效
发明人：卢维尔;夏洋;李超波;石莎莉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-12-11 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明公开一种用于增加原子层沉积前驱体数量的方法，其包括将衬底基片进行表面处理；将衬底放入原子层沉积设备的反应腔室中；将载气通入不同反应物瓶内，通过载气带出的反应物在溶剂瓶内进行反应，而生成前驱体；将前驱体输送到原子层沉积反应腔中进行薄膜的沉积本发明提供的用于增加原子层沉积前驱体数量的方法采用不同反应物通过载气输运到溶剂瓶中发生化学反应来生成前驱体的方法，可以在满足ALD沉积条件的同时，增加ALD沉积技术的前驱体范围。
用于增加原子沉积前驱数量方法

[发明专利]量子点前驱体合成装置及量子点前驱体合成方法-CN201710265873.9有效
发明人：陈绍楷 -专利权人：东莞市睿泰涂布科技有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： B01J19/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点前驱体合成装置，其包括前驱体反应区，该前驱体反应区包括至少一个螺旋状反应管，所述螺旋状反应管内壁上设有与该螺旋状相反方向的使注入反应管中的反应物因摩擦产生冒泡效应的途径槽，所述前驱体反应区的前段包覆有加热区，所述前驱体反应区的后段包覆有冷却区，于该前驱体反应区的前端设有注入口，所述前驱体反应区的前端还连接有加压装置。本发明还公开了一种量子点前驱体合成方法。本发明的量子点前驱体合成装置结构简单可靠，通过螺旋状反应管中设有的途径槽能够将反应物进行搅拌，针对不同种类的前驱体调整螺旋状反应管的内径、长度，控制反应物在螺旋状反应管内的通过时间，从而能获得优质的前驱体
前驱体反应区螺旋状反应管量子点前驱体合成装置前驱体合成反应物包覆控制反应物加压装置反应管加热区冷却区螺旋状注入口后段内壁摩擦

[发明专利]形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置-CN201610948185.8有效
发明人：卓容奭;李泰宗;具本荣;朴起演;崔成贤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-24 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：形成SiOCN材料层的方法、材料层堆叠体、半导体器件和其制造方法、及沉积装置，所述形成SiOCN材料层的方法包括：提供衬底；将硅前驱体提供到衬底上；将氧反应物提供到衬底上；将第一碳前驱体提供到衬底上；将第二碳前驱体提供到衬底上；以及将氮反应物提供到衬底上，其中第一碳前驱体和第二碳前驱体是不同的材料。
形成 siocn 材料方法堆叠半导体器件制造沉积装置

[发明专利]一种冰相缓释制备原子级分散材料的方法-CN201711228353.7在审
发明人：伍晖;魏呵呵;黄凯 -专利权人：清华大学
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： B22F9/24 文献下载
摘要：本发明属于材料科学与工程技术和化学领域，具体涉及一种冰相缓释制备原子级分散材料的方法，包括以下步骤：(1)用前驱体和溶剂配成反应物溶液A，所述的前驱体为金属单原子的化合物；(2)用还原剂和溶剂配成反应物溶液B；(3)将上述步骤(1)制备的反应物溶液A冻成冰块，将所述冰块放置到反应物溶液B中，或步骤(2)制备的反应物溶液B冻成冰块，将所述冰块放置到反应物溶液A中；让所述冰块缓慢融化并相互反应，获得原子级分散金属材料
反应物溶液冰块制备原子级分散材料前驱体溶剂缓释应用范围广工程技术化学领域金属材料材料科学单原子共沉淀还原剂浸渍法融化金属

[发明专利]多层结构的制备方法-CN201910777171.8在审
发明人：苏国辉 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2020-06-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：将具有一图案层的一基底设置在一反应器中。将一第一金属前驱物引入该反应器中。从该反应器清除一第一过量金属前驱物。将一第一反应物引入该反应器中，其中该第一反应物与该第一金属前驱物相互反应以在该图案层上形成一第一含金属层。从该反应器清除一第一过量反应物。将一第二金属前驱物引入该反应器中，其中该第二金属前驱物吸附在第一含金属层上。从该反应器清除一第二过量金属前驱物。将一第二反应物引入该反应器中，其中该第二反应物与该第二金属前驱物相互反应以在该第一含金属层上形成一第二含金属层。
多层结构制备方法

[发明专利]一种制备多色光谱碳量子点的装置和方法-CN202210982343.7在审
发明人：饶龙石;张清;孙彬;温明富;张嘉阳;牛小东 -专利权人：汕头大学
申请日： 2022-08-16 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： B01J19/10 文献下载
摘要：本发明提供一种制备多色光谱碳量子点的装置，包括：反应物输送模块，超声微反应器，主控模块，收集容器；其中，反应物包括A前驱体溶液与B前驱体溶液，所述A前驱体溶液为柠檬酸铵溶液，B前驱体溶液为DMF；本发明还提供一种制备多色光谱碳量子点的方法，包括以下步骤：制备A前驱体溶液和B前驱体溶液，将A前驱体溶液和B前驱体溶液注入超声微反应器中，利用超声微反应器提供的超声空化与高温高压条件进行反应，得到碳量子点。
一种制备多色光谱量子装置方法

[发明专利]一种利于稳定转化率的反应装置-CN201410398217.2有效
发明人：赵红军;刘鹏;魏武;张俊业;毕绿燕;童玉珍;张国义 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司;北京大学
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开一种涉及气态反应物(简称第一前驱物)和固态或液态反应物(简称第二前驱物)参与反应的反应装置，特殊的导流管和挡板结构，有利于反应物的充分接触，有效解决了第一前驱物利用率不高，第二前驱物消耗对第一前驱物转化率影响大等问题高转化率有利于降低生产成本，稳定的反应率有利于降低工艺难度。
一种利于稳定转化反应装置

[发明专利]过渡金属二硫属化物薄膜的原子层沉积和蚀刻-CN202110646474.3在审
发明人： M.里塔拉;J.哈马雷宁;M.莱斯卡拉 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2021-06-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了用于沉积诸如铼硫化物薄膜的过渡金属二硫属化物(TMDC)膜的气相沉积方法。在一些实施例中，使用沉积循环沉积TMDC薄膜，其中反应空间中的衬底与气相过渡金属前驱体(诸如过渡金属卤化物)、包括还原剂的反应物(诸如NH3)和硫属化物前驱体交替地并按顺序地接触在一些实施例中，使用气相铼卤化物前驱体、还原剂和硫前驱体来沉积铼硫化物薄膜。可以通过化学气相蚀刻来蚀刻沉积的TMDC膜，学气相蚀刻使用诸如O2的氧化剂作为蚀刻反应物和诸如N2的惰性气体以移除过量蚀刻反应物
过渡金属二硫属化物薄膜原子沉积蚀刻

[发明专利]可防止颗粒破裂的富镍基前驱体材料的制备方法-CN201710407336.3有效
发明人：陈九华;晁锋刚;彭威;杨志;李旭;石慧 -专利权人：杉杉能源（宁夏）有限公司
申请日： 2017-06-02 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种可防止颗粒破裂的富镍基前驱体材料的制备方法，包括以下步骤：调配反应浆料，设定前驱体的目标粒度D50＝d；在进行制备反应的过程中，通过监控生成反应物的实时粒度D50，记为d1；当实测的d1的数值明显小于d值时，通过改变工艺条件将生成反应物的粒度分布Span值调低，当后续监测到实测的d1数值在d值附近时，再次改变工艺条件将生成反应物的粒度分布Span值调高，以使Span值控制在一定范围；在保持Span值的控制范围，继续后续的制备反应，直至生成的反应物粒度长大到d值，然后进行后续处理得到富镍基前驱体材料。本发明可以制备出不同颗粒大小、高球形度、且颗粒不破裂的富镍基前驱体材料。
可防止颗粒破裂富镍基前驱材料制备方法

[实用新型]前驱体源控制系统-CN201621458919.6有效
发明人：杨永亮;黄庆新;李娜;钟民;张泓筠 -专利权人：凯里学院
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本实用新型属于催化材料合成的技术领域，特别涉及一种前驱体源控制系统，包括反应腔体、与反应腔体连通的第一管路、与第一管路连通的第二管路以及与第二管路连通的固态源瓶，第一管路与第二管路连接处设有第一气动阀；固态源瓶与第一管路之间还设有用于将第一管路中的气体输送至固态源瓶内且用以辅助固态反应物进入第二管路的第三管路，第三管路与第一管路连接处设有第二气动阀。本实用新型通过设置的前驱体源控制系统，使得固态反应物易进入到反应腔体内反应，避免了固态反应物堵塞第一管路与第二管路连接处设置的第一气动阀以及避免前驱体源之间的交叉污染，并保证了固态前驱体源参与反应，以及保证前驱体源反应充分
前驱控制系统

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