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[发明专利]一种微米级铌酸钾钠针状粉体的制备方法-CN201710438860.7有效
发明人：刘亮亮;郭壮壮;侯赵平 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及功能陶瓷中粉体制备技术领域，具体是一种具有高的形貌各向异性针状铌酸钾钠粉体的制备方法。一种微米级铌酸钾钠针状粉体的制备方法，包括制备铌酸钾前驱物的原料混合物的步骤，制备铌酸钾前驱物的步骤，制备铌酸钾钠的原料混合物的步骤，制备铌酸钾钠针状粉体的步骤，本发明中铌酸钾钠颗粒保持了前驱体的针状形貌，制得的铌酸钾钠微晶粉体长约10～30微米，直径约0.5～2微米、长径比大于15，微晶粉体颗粒均匀、分散性好。
一种微米级铌酸钾钠针状制备方法

[发明专利]一种铌酸锂陶瓷溅射靶材及其制备方法、应用-CN202211413978.1有效
发明人：侯俊峰;张明哲;田少华;蒋亮;董福元 -专利权人：北方民族大学
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本申请涉及一种铌酸锂陶瓷溅射靶材及其制备方法、应用，包括以下步骤：球磨化学计量比铌酸锂原粉；取还原金属粉和铌酸锂粉体A混合均匀，放入真空气氛炉中处理，然后依次经过酸液酸洗、清洗液清洗，抽滤干燥后得到铌酸锂粉体B；将铌酸锂粉体B放入放电等离子烧结炉中烧结，得到相对密度为93.4%至98.1%的铌酸锂陶瓷溅射靶材。采用化学计量比铌酸锂粉体预处理加放电等离子烧结技术制备铌酸锂陶瓷溅射靶材，通过对铌酸锂粉体A缺陷化处理，提高铌酸锂粉体B中的氧空位浓度，能够制备得到致密度高以及纯度高的铌酸锂陶瓷溅射靶材，相对密度高，避免在制备铌酸锂陶瓷溅射靶材的过程中加入聚乙烯醇
一种铌酸锂陶瓷溅射及其制备方法应用

[发明专利]一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法-CN201710400616.1有效
发明人：杨文龙;林家齐;陈高汝;刘刚 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明涉及功能陶瓷材料的制备领域，特别是涉及一种高介电常数钽铌酸钾陶瓷的制备方法。本发明是要解决现有钽铌酸钾陶瓷介电常数低限制了其在介电材料领域的应用的问题。方法：一、棒状钽铌酸钾粉体的制备；二、制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。本发明用于制备超高介电常数的钽铌酸钾陶瓷。
一种超高介电常数钽铌酸钾陶瓷制备方法

[发明专利]一种制备铌酸锂表面图形的方法-CN201110245639.2无效
发明人：郑婉华;齐爱谊;王海玲;渠红伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-08-25 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C30B33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备铌酸锂表面图形的方法，该方法包括：在铌酸锂衬底表面制作掩膜图形；采用氟基等离子对铌酸锂衬底进行干法刻蚀，以刻蚀铌酸锂；采用氧等离子对铌酸锂衬底进行刻蚀，以刻蚀在铌酸锂表面形成的氟化锂；重复上述采用氟基等离子及氧等离子的刻蚀步骤，直至完成铌酸锂表面图形的制备。利用本发明，解决了氟基等离子刻蚀铌酸锂时表面再沉积氟化锂的问题，达到制备大深度、底面光滑铌酸锂表面图形的目的。本方法简单易用，可以用于铌酸锂的刻蚀，获得大深度、底面光滑的铌酸锂表面图形。
一种制备铌酸锂表面图形方法

[发明专利]铌酸锂包覆正极材料制备方法、铌酸锂包覆正极材料和应用-CN202110869214.2在审
发明人：杨伟;方凯斌;谢谦;丘秀莲;陈家俊;庞晓贤;陈胜洲 -专利权人：广州大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种铌酸锂包覆正极材料制备方法、铌酸锂包覆正极材料和应用，涉及电池材料技术领域，本发明提供的铌酸锂包覆正极材料的制备方法通过将正极材料分散在调节剂溶液中，使得调节剂均匀吸附于正极材料表面，再通过调节剂的正电性将铌酸铵草酸盐水合物均匀吸附到正极材料表面，后续通过与锂源混合煅烧，制备得到铌酸锂均匀包覆于正极材料表面形成均匀致密铌酸锂层的铌酸锂包覆正极材料，从而实现通过采用调节剂的加入制备得到铌酸锂均匀致密包覆于正极材料表面的铌酸锂包覆正极材料。
铌酸锂包覆正极材料制备方法应用

[发明专利]一种氧化铌和氧化钽的制备方法-CN202110995803.5在审
发明人：石波;李石凤;邓朝勇;李超;李斌;梁原 -专利权人：稀美资源（广东）有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：一种氧化铌或氧化钽的制备方法，涉及钽铌湿法冶炼领域；用铌液(氟铌酸或氟氧铌酸溶液)或钽液(氟钽酸溶液)与硼酸反应得到铌酸或钽酸；过滤铌酸或钽酸后的母液用于制备氟硼酸钾；与钽铌行业用氨中和铌液或钽液制备氢氧化铌或氢氧化钽的传统方法相比，不产生含氟含氨废水，实现清洁化生产，同时得到锑、铜等杂质元素含量低的高纯度氧化铌或氧化钽产品。本发明采用全新的方法制备氧化铌或氧化钽，解决了传统钽铌湿法冶炼产生大量含氟含氨碱性废水及钽铌氧化物产品中杂质元素锑难分离的问题，同时得到高纯度的氧化铌或氧化钽产品，并进一步制取氟硼酸钾实现氟资源的回收。
一种氧化制备方法

[发明专利]一种铌镍酸钡-铌酸钾铁电薄膜材料及其制备方法与应用-CN202211491383.8在审
发明人：李传青;蔡玉;王飞飞;段志华;赵祥永;王涛;唐艳学;石旺舟 -专利权人：上海师范大学
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料及其制备方法与应用，该铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料包括自下而上依次设置的衬底、底电极层、薄膜层和透明顶电极层；所述衬底为无机云母衬底；所述薄膜层为铌镍酸钡‑铌酸钾BaNi1/2Nb1/2O3]0.1，制备方法为溶胶凝胶法与现有技术相比，本发明的制备方法经济环保，制备工艺简单，制备的铌镍酸钡‑铌酸钾铁电薄膜材料为全新柔性全无机薄膜，能实现稳定的光响应输出，有望在光伏器件领域实现应用。
一种铌镍酸钡铌酸钾铁电薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]一种基于铌酸钾钠无铅压电纳米纤维的机电转换元件制备方法-CN201210189718.0有效
发明人：胡永明;王威;王钊;顾豪爽;熊娟;陈侃松 -专利权人：湖北大学
申请日： 2012-06-11 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L41/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于铌酸钾钠无铅压电纳米纤维的机电转换元件制备方法。该方法包括电极制备、铌酸钾钠前躯体配制、采用静电纺丝法制备铌酸钾钠纳米纤维与铌酸钾钠纳米发电机组建与封装等步骤。该方法实现了大面积制备铌酸钾钠纳米纤维，将铌酸钾钠纳米纤维用于组建机电转换元件，既可以保证元件具有较高的电输出能，又避免了对坏境和人体的毒害。
一种基于铌酸钾钠无铅压电纳米纤维机电转换元件制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠-铌酸钾锂压电陶瓷及其制备方法-CN201010109269.5有效
发明人：李永祥;王有亮;陆毅青;赵宇;王东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-02-11 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌酸钾钠-铌酸钾锂压电陶瓷及其制备方法。该铌酸钾钠-铌酸钾锂无铅压电陶瓷，其化学式为(1-y)(K1-xNax)NbO3-(y/5.15)K2.9Li1.95Nb5.15O15.3，其中0.3≤x≤0.7，0＜y≤0.50。本发明采用两步固相反应烧结工艺来制备铌酸钾钠-铌酸钾锂陶瓷：先分别预合成纯相的铌酸钾钠和铌酸钾锂，然后将二者混合压片后进行反应烧结。制备的铌酸钾钠-铌酸钾锂压电性能优异，d33可达219pC/N左右，kP可达47％以上，居里温度TC高达488℃以上。由本发明方法制备的高性能铌酸盐体系无铅压电陶瓷，在高温条件下收发两用型压电换能器方面具有重要的应用价值。
一种铌酸钾钠铌酸钾锂压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种氟铌酸钾结晶的制备方法-CN202110671566.7在审
发明人：张伟宁;张宇;郭涛;张向楠;马东鹏 -专利权人：宁夏东方钽业股份有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本申请涉及氟铌酸钾制备方法技术领域，特别地，涉及一种氟铌酸钾结晶的制备方法。为了解决工艺流程和反应条件复杂、产品杂质高，收率偏低等问题。所述制备方法包括：选取氢氧化铌粉体溶于氢氟酸溶液，得到铌酸溶液，过滤所述铌酸溶液，去除杂质；过滤后的所述铌酸溶液升温至60℃或以上，加入氯化钾、氟化钾、氢氧化钾中的任一种，保温至少30min进行合成反应，得到氟铌酸钾溶液；将所述氟铌酸钾溶液冷却至25‑30℃，分离样品和母液，将所述样品进行洗涤、干燥，获得氟铌酸钾结晶。
一种氟铌酸钾结晶制备方法

[发明专利]一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用-CN201510329631.2有效
发明人：王俊;张柏宇;新巴雅尔;李艳;郭峰;马文 -专利权人：内蒙古工业大学
申请日： 2015-06-15 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体及其制备方法及应用，其制备方法包括：如下步骤：(1)配制溶液A；(2)配制溶液B；(3)溶液A与溶液B混合制得溶液C；(4)溶液C中加碱制得前驱体溶液D；(5)前驱体溶液D反应干燥制得固体产物；(6)制得铌掺杂钛酸锶纳米粉体或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体。用铌或铌镧掺杂钛酸锶纳米粉体制备铌或铌镧掺杂钛酸锶热电陶瓷片的方法。本发明的优点：本发明采用水热法首次成功制备出纳米级铌掺杂钛酸锶粉体和铌镧掺杂钛酸锶粉体，掺杂浓度达到30％，并研究了其热电性能，得到目前在钛酸锶基热电陶瓷中最高的热电性能。
一种掺杂钛酸锶纳米及其制备方法应用

[发明专利]铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件-CN202111195202.2有效
发明人：张国权;钱月照;张子晴;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X本发明提供的制备方法对样品结构无要求，无需底电极，且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。
铌酸锂晶体结构制备方法光电器件

[发明专利]一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法-CN201310252932.0无效
发明人：代丽;焦珊珊;钱钊;李大勇;林家齐;王喜明 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法，它涉及一种掺杂铌酸锂晶体及其制备方法。本发明是要解决现有的镱铥掺杂的铌酸锂晶体抗光损伤能力较低的问题。本发明一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体由Nb2O5、LiCO3、In2O3、Yb2O3和Tm2O3制成。制备方法：一、混合；二、采用提拉法生长晶体；三、极化；即得到铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。本发明制备的铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体光洋度高、成分均一、无瑕疵、无生长条纹和无裂纹产生，在保证了镱铥掺杂的铌酸锂晶体原有优良性能的同时抗光损伤能力显著提高；本发明铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体的制备方法简单，便于操作本发明可用于制备铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体。
一种铟镱铥三掺杂铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]铌酸锂晶体及其制备方法-CN202111022496.9有效
发明人：薛冬峰;陈昆峰;王晓明 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：本申请属于光电材料技术领域，尤其涉及一种铌酸锂晶体及其制备方法。其中，铌酸锂晶体的制备方法，包括步骤：计算铌酸锂晶体生长的温度场结构；计算铌酸锂晶体的生长参数；将锂源和铌源进行混合干燥处理，得到混合原料；在空气氛围中，对混合原料进行烧结处理，得到铌酸锂多晶料块；在计算的温度场结构中，将铌酸锂多晶料块融化后，在籽晶的引导下，依据计算的生长参数，采用提拉法进行晶体生长后，得到铌酸锂晶体。本申请铌酸锂晶体的制备方法，通过模拟、推演和计算方法分别计算铌酸锂晶体的温度场结构和生长参数，然后在计算的温度场结构中，依据计算的晶体生长参数，采用提拉法进行晶体生长，显著提高铌酸锂晶体的生长效率。
铌酸锂晶体及其制备方法

[发明专利]一种铌酸锂纳米器件的刻蚀方法-CN202210080620.5在审
发明人：江安全;敖孟寒 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/461 文献下载
摘要：本发明属于光电器件制备技术领域，具体为一种铌酸锂材料的刻蚀方法。本发明方法包括：在铌酸锂表面制备金属钝化层，用来提高纳米图形的保形性以及侧壁刻蚀倾斜角；沉积硬掩膜，并采用微电子光刻技术进行图形化处理；在待刻蚀的铌酸锂区域沉积活性金属薄膜，以提高刻蚀深度；将覆盖有活性金属层的铌酸锂晶体在还原气氛中进行退火；然后采用相应的酸溶液和碱溶液去掉铌酸锂表面的金属及其与铌酸锂的反应物，得到具有一定刻蚀深度的铌酸锂纳米图形。所制备的大规模铌酸锂纳米器件阵列尺寸可控，保形性和重复性好，侧壁倾斜角大于80°，图形凸块表面光滑。铌酸锂纳米器件制备步骤简单，难度低，可降低大规模生产成本。
一种铌酸锂纳米器件刻蚀方法

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