专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种异甘草的合成方法-CN200810196922.9无效
  • 杨静;周敏君;余伟;程昊;李颖;叶岚岚;张晶 - 武汉大学
  • 2008-09-11 - 2009-01-28 - C07C49/835
  • 本发明公开了一种化学物质异甘草的合成方法,步骤为:A.在路易斯碱催化下2,4-二羟基苯乙的合成;B.2-羟基-4-甲氧基苯乙的合成;C.3-(4-羟基苯基)-1-(4-甲氧基-2-羟基苯基)-丙烯的合成及重结晶;D.3-(4-羟基苯基)-1-(2,4-二羟基苯基)-丙烯即异甘草的合成及重结晶;E.将上述得到的异甘草粗品通过柱层析洗脱精制得到异甘草产品,经紫外、红外、质谱及核磁共振检测后与异甘草标准品的谱图相同
  • 一种甘草合成方法
  • [发明专利]一种穗花外植体培植方法-CN201710718338.4在审
  • 陈礼培;王惠珍;萧洪东;钟希琼;何丽烂;邓日烈 - 佛山科学技术学院
  • 2017-08-18 - 2017-12-15 - A01H4/00
  • 本发明公开了一种穗花外植体培植方法,其包括如下步骤1)将穗花种子接入萌发培养基中;2)将步骤1)接种后的萌发培养基置于温度为25~28℃、光照强度为1200~1500lx、光照时间为14h/d的条件下培养10天;3)将步骤2)所得穗花无菌苗下胚轴平均切成0.8~1.2mm的外植体小段后,接种到诱导培养基中,所述诱导培养基中添加有由浓度为0.1mg/L的2,4‑D和浓度为0.5mg/L的BA复配而成的复合生长调节剂本发明通过确定培植过程中从穗花种子萌发到外植体愈伤组织诱导的最佳培植条件,使得培植出的穗花外植体诱导率高,愈伤组织生长量大,同时愈伤组织花青含量大。本发明适用于穗花愈伤组织及花青的量产。
  • 一种穗冠花外植体培植方法

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