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- [实用新型]一种无泵打磨除尘一体机-CN202122707945.5有效
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陈赛声
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浙江三化抛光设备股份有限公司
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2021-11-08
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2022-08-05
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B01D47/02
- 本实用新型涉及一种无泵打磨除尘一体机，包括内部为中空结构的壳体，所述壳体的内部通过隔板将其分离为除尘区域及气液分离区域，所述气液分离区域相对于除尘区域的上方，所述除尘区域包括一级气液混合区域及气液冲击区域，且一级气液混合区域及气液冲击区域沿壳体的长度方向分布。当本装置在使用时，先行对其内部进行注水，随后离心风机开始工作，抛光机工作时所产生的废屑，可经由一级气液混合区域、二级气液混合区域及气液冲击区域进行三重过滤、降尘，随后于离心桶内部进行气液分离，过滤后的气体经由排气口排出，水流则继续流动至一级气液混合区域处以达到对打磨过程中的废屑进行循环、持续过滤、降尘。
- 一种打磨除尘一体机
- [发明专利]晶体管和形成晶体管的方法-CN202080054770.8在审
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M·纳哈尔;M·米奇
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美光科技公司
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2020-07-31
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2022-03-11
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H01L29/78
- 本发明公开一种晶体管，其包括：顶部源极/漏极区域；底部源极/漏极区域；以及竖直地位于所述顶部与底部源极/漏极区域之间的沟道区域。栅极可操作地横向邻近所述沟道区域。所述顶部源极/漏极区域、所述底部源极/漏极区域和所述沟道区域分别具有晶粒和紧邻的所述晶粒之间的晶界。所述底部源极/漏极区域和所述沟道区域中的至少一者在其内具有内部界面，所述内部界面位于在所述内部界面上方的所述晶粒与在所述内部界面下方的所述晶粒之间。直接在所述内部界面上方的所述晶粒中的至少一些与直接在所述内部界面下方的所述晶粒中的至少一些物理接触。直接在所述界面上方和下方的紧邻的所述物理接触的晶粒之间的所有所述晶界相对于彼此对准。所述内部界面包括(a)和(b)中的至少一者，其中(a)：直接在所述内部界面上方的电导率修改掺杂剂浓度低于直接在所述内部界面下方的浓度，和(b)：横向不连续的绝缘氧化物。本发明公开包含方法的其它实施例。
- 晶体管形成方法
- [发明专利]半导体装置-CN201710519874.1有效
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西村武义
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富士电机株式会社
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2017-06-30
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2022-03-04
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H01L29/739
- 在SJ结构的半导体装置中，将本体区域和电流检测区域进行分离并抑制耐压下降。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置具备：半导体基板；包括形成在半导体基板的内部的1个以上的工作用单元的本体区域；包括形成在半导体基板的内部的1个以上的电流检测用单元的电流检测区域；以及在半导体基板的内部设置在本体区域和电流检测区域之间，包括耐压结构部的中间区域，在本体区域、电流检测区域和中间区域中，使第1导电型的管柱和第2导电型的管柱以等间隔交替地配置。
- 半导体装置
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