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[发明专利]制备钙钛矿膜层的设备和方法、太阳能电池及制备方法-CN202111554742.5在审
发明人：李明洁;吴俊杰;李明;王雪戈;邵君;于振瑞 -专利权人：无锡极电光能科技有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备钙钛矿膜层的设备和方法、太阳能电池及制备方法，设备包括：共蒸发装置，包括共蒸发沉积腔室、连接共蒸发沉积腔室的进端的准备腔室、连接共蒸发沉积腔室的出端的第一出片腔室，准备腔室和第一出片腔室可抽真空且可导通或封闭，共蒸发沉积腔室可抽真空，共蒸发沉积腔室内设有蒸发源；加热退火装置，包括控温腔室、连接控温腔室的出端的第二出片腔室，控温腔室内的温度可调，控温腔室与第一出片腔室相连，第二出片腔室可抽真空且可导通或封闭；本发明能实现连接真空共蒸发沉积钙钛矿膜，工艺流程简单，可提高生产效率，实现连续生产，还可以在绒面基底以及具有一定粗糙度的基底上制备钙钛矿膜层。
制备钙钛矿膜层设备方法太阳能电池

[发明专利]碱金属掺杂铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法-CN201711203485.4在审
发明人：杨亦桐;张超;邓朝文;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：碱金属掺杂铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的制备方法：步骤1：将镀Mo的聚酰亚胺、钛箔或不锈钢箔衬底放置共蒸发腔室；步骤2：真空条件下在Mo背电极上共蒸发In、Ga、Se材料2－4min；步骤3：共蒸发Cu、In、Ga、Se材料25－30min；步骤4：共蒸发In、Ga、Se材料6－9min；步骤5：共蒸发NaF、Se材料8－12min；步骤6：共蒸发KF、Se材料4－6min；步骤7：保持衬底温度在340－360℃不变，停止Se蒸发源加热，直至Se蒸发源温度低于160℃后，铜铟镓硒薄膜吸收层制备完成。
共蒸发吸收层铜铟镓硒薄膜制备碱金属掺杂蒸发源衬底薄膜太阳电池薄膜表面不锈钢箔电学性能界面复合界面结晶聚酰亚胺真空条件背电极腔室钛箔加热保证

[发明专利]一种共蒸发制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池吸收层的方法-CN201410653908.2在审
发明人：杨亦桐;王胜利;李微;赵彦民;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2016-06-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种共蒸发制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池吸收层的方法。本发明属于薄膜太阳电池技术领域。一种共蒸发制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池吸收层的方法，其铜锌锡硫硒薄膜太阳电池为多层结构；制备步骤：1、将镀Mo的衬底放置在共蒸发设备腔室，Cu、ZnS、Sn、Se蒸发源分布蒸发腔室下方；2、将蒸发腔内抽真空至3×10^-4Pa，衬底加热至500℃，各蒸发源加热，在Mo背电极上共蒸发Cu、ZnS、Sn、Se；3、停止Cu、ZnS蒸发源加热，共蒸发Sn、Se；4、停止Sn蒸发源加热，至衬底温度低于300℃，停止Se蒸发源加热，待衬底冷却取出。本发明具有有效抑制Zn元素再蒸发，得到成分接近化学计量比的铜锌锡硫硒薄膜材料，薄膜的结晶质量高，均匀性和光电性能好等优点。
一种蒸发制备铜锌锡硫硒薄膜太阳电池吸收方法

[实用新型]一种多源共蒸发取样装置及多源共蒸发镀膜系统-CN201822170577.3有效
发明人：黄春泉;牙侯固 -专利权人：华夏易能(广东)新能源科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多源共蒸发取样装置及多源共蒸发镀膜系统，所述多源共蒸发镀膜系统包括真空蒸发腔和设于所述真空蒸发腔内的至少一个金属蒸发源，所述多源共蒸发取样装置包括至少一个取样单元，所述取样单元与所述金属蒸发源一一对应，所述取样单元设于所述真空蒸发腔的外壁，所述取样单元内设有与所述真空蒸发腔连通的取样通道，所述取样通道的底部设有载玻片容纳槽，所述载玻片容纳槽内可拆卸地设有载玻片，所述载玻片与所述取样通道的轴线垂直。本申请中的多源共蒸发取样装置取样路径便捷，取样速度较快，取样结果准确，提高了取样的质量，进而提高了数据监测的准确性，极大地提高了对金属蒸发源的控制质量，达到提高镀膜质量的目的。
共蒸发多源取样单元金属蒸发源取样通道取样装置镀膜系统容纳槽载玻片玻片取样本实用新型取样结果取样路径数据监测轴线垂直可拆卸镀膜腔内外壁连通申请

[发明专利]利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS 薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS 薄膜-CN201380004292.X有效
发明人：郭智惠;尹载浩;安世镇;尹庆勋;申基植;丁国荣;安承奎;赵阿拉;朴海森;崔森武 -专利权人：韩国ENERGY技术硏究院
申请日： 2013-02-05 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：公开了一种利用简化的共蒸发法来制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法及利用该方法制造的用于太阳能电池的CIGS薄膜。根据本发明的制造用于太阳能电池的CIGS薄膜的方法包括如下步骤：(a步骤)通过共蒸发在500至600℃的衬底上沉积Cu、Ga和Se；(b步骤)在维持与a步骤相同的衬底温度的同时，通过共蒸发来沉积Cu、Ga、Se和In；和(c步骤)在降低衬底温度的同时，依次通过共蒸发沉积Ga和Se，然后通过真空蒸发单独沉积Se。因此，与三步共蒸发法相比简化了工艺步骤，充分实现通过薄膜内晶体生长和Ga的组成分布获得的带隙分级的益处，从而使得能够提高加工效率。
利用简化蒸发制造用于太阳能电池 cigs 薄膜方法

[实用新型]一种多源共蒸发薄膜沉积装置-CN202220004349.2有效
发明人：周焱文 -专利权人：武汉普昊科技有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多源共蒸发薄膜沉积装置，包括多源共蒸发薄膜沉积装置本体，所述多源共蒸发薄膜沉积装置本体包括箱体、设置在箱体内部的真空腔和设置在真空腔内部的基板；包括防凝结装置，所述防凝结装置包括遮蔽组件、防护组件和转动组件；具体涉及蒸发薄膜沉积技术领域。该多源共蒸发薄膜沉积装置，通过设置防凝结装置，当多源共蒸发薄膜沉积装置在镀膜完成打开门体前，通过转动轮盘使铰链带动遮蔽套转动，折叠管与遮蔽组件脱离后受重力下落，直至软垫圈与基板相接触，可将镀膜产品覆置于折叠管内部
一种多源共蒸发薄膜沉积装置

[发明专利]共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜-CN200510021978.7无效
发明人：雷智;冯良桓;姚菲菲;张静全;黎兵;李卫;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2005-11-02 - 公布日： 2006-05-03 - 主分类号： C23F17/00 文献下载
摘要：共蒸发结合后退火工艺制备AlSb薄膜，本项发明所属域为新型光电子材料。在开发新型太阳能电池材料的过程中，AlSb由于具有能隙宽度为1.6eV，可吸收太阳可见光谱能量的98％因而受到人们的重视。目前制备高质量AlSb薄膜的方法和手段较少，主要有AlSb单晶溅射沉积，高温衬底Al、Sb共蒸发沉积。用单晶溅射沉积需要高品质的AlSb单晶，由于原料成本问题，此法难以在太阳电池中采用；高温衬底共蒸发，需在高真空条件下对衬底加温600℃以上，对沉积设备要求很高。本发明主要是采用室温衬底共蒸发Al、Sb，然后用退火方法来获得AlSb薄膜，使得共蒸发设备成本大幅降低，有利于工业化制备AlSb薄膜。
蒸发结合退火工艺制备 alsb 薄膜

[实用新型]一种沉积多元膜材的共蒸发系统-CN201420596130.1有效
发明人：王开安;黄仲漩;丁坤宝;林恩浩;王大亮 -专利权人：奥昱新材料技术（嘉兴）有限公司
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种沉积多元膜材的共蒸发系统，所述共蒸发系统包括多个蒸发源，每个蒸发源配有蒸发源控制器，同时蒸发源放置于蒸发源封闭体内。所述共蒸发系统还带有蒸气混合室，各个蒸发源封闭体与蒸气混合室之间通过封闭管道连接，连接管道以及蒸气混合室配有加热装置，各个蒸发源与蒸气混合室的连接管道接口处以及蒸气混合室的出气口处安装了可变蒸气过滤器。
一种沉积多元蒸发系统

[发明专利]一种太阳能电池CIGS吸收层的制备方法-CN201810813615.4有效
发明人：陈腾 -专利权人：鸿翌科技有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于太阳能电池的CIGS吸收层的制备方法，包括以下步骤：提供基底，并在基底上蒸发沉积第一NaF层；在第一NaF层上共蒸发沉积第一In/Ga/Se层；在第一In/Ga/Se层上共蒸发沉积Cu/Se层；在Cu/Se层上蒸发沉积第二NaF层；在第二NaF层上共蒸发沉积第二In/Ga/Se层。
一种太阳能电池 cigs 吸收制备方法

[发明专利]合金共蒸发材料及应用该合金共蒸发材料进行蒸发镀膜的方法-CN201210297356.7在审
发明人：曹达华 -专利权人：深圳富泰宏精密工业有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： C23C14/14 文献下载
摘要：发明提供一种合金共蒸发材料，包括一第一蒸发料及包覆该第一蒸发料的第二蒸发料，该第一蒸发料由一种金属或合金构成，该第二蒸发料由另一种金属构成，该第一蒸发料的熔点低于第二蒸发料的熔点。本发明还提供了一种应用该合金共蒸发材料进行蒸发镀膜的方法。
合金蒸发材料应用进行镀膜方法

[实用新型]一种共蒸发装置和制备电极的设备-CN201721784896.2有效
发明人：张晓琨;税烺 -专利权人：成都亦道科技合伙企业（有限合伙）
申请日： 2017-12-19 - 公布日： 2018-07-10 - 主分类号： C23C14/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及锂电池技术领域，尤其涉及一种共蒸发装置和制备电极的设备。本实用新型的共蒸发装置包括多个蒸发位、蒸发腔、至少一挡板以及基片台，多个蒸发位、挡板及基片台均收纳在蒸发腔内，多个蒸发位和基片台分别位于挡板的两侧，至少一挡板形成有一汇流口，多个蒸发位用于安装多个相同或者不同的蒸料，多个蒸发位上的多个蒸料蒸发产生的多个原子汇合在汇流口处形成一混合沉积源，基片台用于承载基片且相对于汇流口可移动。本实用新型的共蒸发装置和制备电极的设备可以同时进行多种蒸料的蒸发沉积镀膜，结构简单，操作方便，生产效率高，符合大规模生产的需求。
蒸发共蒸发基片台本实用新型挡板电极汇流口蒸料制备蒸发腔承载基片挡板形成生产效率蒸发沉积收纳沉积源可移动锂电池镀膜汇合

[发明专利]一种CIGS薄膜太阳电池的制备方法-CN201811286286.9在审
发明人：张冲;王雪戈 -专利权人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司
申请日： 2018-10-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种CIGS薄膜太阳电池的制备方法，包括：在基底上沉积Mo电极层；在所述基底带有Mo电极的一面共蒸发沉积In、Ga、Se，并同时蒸发碱金属氟化物，形成第一化合物层；在所述第一化合物层上共蒸发Cu、Se，形成第二化合物层；在所述第二化合物层上再次共蒸发In、Ga、Se，形成CIGS表面层。
一种 cigs 薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产时的碱金属掺杂处理法-CN201911203612.X有效
发明人：胡煜霖;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司;浙江尚越新能源开发有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产时的碱金属掺杂处理法，依次包括如下步骤：（1）先沉积一层Mo背电极层；（2）再沉积一层碱金属卤化物；（3）再共蒸发In、Ga、第六主族固态单质，（4）再共蒸发Cu、第六主族固态单质；（5）再沉积一层碱金属卤化物；（6）再共蒸发Cu、第六主族固态单质；（7）再共蒸发In、Ga、第六主族固态单质；（8）最后再沉积一层碱金属卤化物；（9）退火处理。
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池大规模生产碱金属掺杂处理

[发明专利]铜锌锡硒薄膜太阳电池的制备方法-CN201310714983.0在审
发明人：杨亦桐;王胜利;李微;杨立;赵彦民;乔在祥 -专利权人：中国电子科技集团公司第十八研究所
申请日： 2013-12-16 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜锌锡硒薄膜太阳电池的制备方法，步骤包括：在真空蒸发室中，1.衬底的Mo背电极下分布Cu、Zn、Sn、Se蒸发源；2.Mo背电极上共蒸发Zn、Sn、Se，形成预置层薄膜；3.共蒸发Cu、Se，形成富Cu吸收层薄膜；4.共蒸发Zn、Sn、Se，Mo背电极上形成贫Cu吸收层薄膜；5.衬底先后在Sn、Se气氛降温后在Se气氛再降温，形成铜锌锡硒薄膜吸收层；6.铜锌锡硒薄膜吸收层上面依次制作CdS本发明采用多源共蒸发制备铜锌锡硒太阳电池吸收层薄膜，制备过程在真空蒸发室中一次性完成，不需要经过硒化的后处理过程，工艺流程更加简便。
铜锌锡硒薄膜太阳电池制备方法

[发明专利]柔性CIGS薄膜太阳电池吸收层制备工艺-CN201210035806.5无效
发明人：张建柱 -专利权人：任丘市永基光电太阳能有限公司
申请日： 2012-02-17 - 公布日： 2013-08-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：首先在衬底上沉积背电极钼层，然后利用三步法共蒸发的方法沉积CIGS吸收层，第一步在衬底温度300～400℃时，共蒸发In、Ga和Se元素；第二步，在衬底温度550～580℃时，共蒸发Cu和Se元素，直到薄膜富铜时结束；第三步，在衬底温度550～580℃时，共蒸发In、Ga和Se元素，最终得到满足化学计量比的CIGS薄膜。
柔性 cigs 薄膜太阳电池吸收制备工艺

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