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[发明专利]一种共插层剂改性蒙脱土/尼龙610T复合材料及其制备方法-CN201310693731.4在审
发明人：杨桂生;柯昌月 -专利权人：上海杰事杰新材料（集团）股份有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C08L77/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种共插层剂改性蒙脱土/尼龙610T复合材料，由包含以下重量份的组分制成：尼龙610T100份，蒙脱土5～15份，共插层剂5～10份，润滑剂5～10份，抗氧剂5～10份。制备方法如下：将干燥后100份尼龙610T、共插层剂改性的蒙脱土、5～10份润滑剂和5～10份抗氧剂混合均匀，将混合料加入到双螺杆挤出机料斗中，经双螺杆挤出机挤出造粒、干燥、注塑成型得到共插层剂改性蒙脱土本发明公开的共插层剂改性蒙脱土/尼龙610T复合材料综合力学性能大幅度提升，热变形温度大幅度提高且吸水率较低，尺寸稳定性好。
一种共插层剂改性蒙脱土尼龙 610 复合材料及其制备方法

[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法-CN201710003272.0有效
发明人： J·施泰格瓦尔德;T·加尼;O·戈隆茨卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面，从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。将一对源极/漏极沟槽接触部电耦合至所述外延半导体层。所述源极/漏极沟槽接触部包括共形金属层和填充金属。所述共形金属层与所述外延半导体层共形。所述填充金属包括插塞和阻挡层，其中，所述插塞填充形成于所述鳍状物和所述共形金属层之上的接触沟槽，所述阻挡层充当所述插塞的衬，从而避免所述共形金属层材料和插塞材料的相互扩散。
环绕沟槽接触结构制作方法

[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法-CN201710513083.8有效
发明人： J·施泰格瓦尔德;T·加尼;O·戈隆茨卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面，从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。将一对源极/漏极沟槽接触部电耦合至所述外延半导体层。所述源极/漏极沟槽接触部包括共形金属层和填充金属。所述共形金属层与所述外延半导体层共形。所述填充金属包括插塞和阻挡层，其中，所述插塞填充形成于所述鳍状物和所述共形金属层之上的接触沟槽，所述阻挡层充当所述插塞的衬，从而避免所述共形金属层材料和插塞材料的相互扩散。
环绕沟槽接触结构制作方法

[发明专利]环绕式沟槽接触部结构和制作方法-CN201180076472.X在审
发明人： J·施泰格瓦尔德;T·加尼;O·戈隆茨卡 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2011-12-30 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：外延半导体层在所述源极区/漏极区之上覆盖每一鳍状物的顶表面和侧壁表面，从而在相邻鳍状物之间界定了高高宽比缝隙。将一对源极/漏极沟槽接触部电耦合至所述外延半导体层。所述源极/漏极沟槽接触部包括共形金属层和填充金属。所述共形金属层与所述外延半导体层共形。所述填充金属包括插塞和阻挡层，其中，所述插塞填充形成于所述鳍状物和所述共形金属层之上的接触沟槽，所述阻挡层充当所述插塞的衬，从而避免所述共形金属层材料和插塞材料的相互扩散。
环绕沟槽接触结构制作方法

[发明专利]一种超分子共插层结构抗光老化材料的制备方法-CN201810459930.1在审
发明人：李殿卿;赵梦垚;唐平贵;冯拥军;马若愚 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2018-05-15 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C08K5/42 文献下载
摘要：本发明提供了一种超分子共插层结构抗光老化材料的制备方法，是将紫外吸收剂与受阻胺光稳定剂共插层到LDH得到该光老化材料。其制备方法是，先采用共沉淀法制备紫外吸收剂插层LDH，再利用受阻胺光稳定剂与紫外吸收剂碱性的差异，借助强碱能够制备弱碱的原理，将受阻胺光稳定剂与紫外吸收剂插层LDH反应，强碱性的受阻胺光稳定剂将替换LDH层间弱碱性的紫外吸收剂，得到受阻胺光稳定剂与紫外吸收剂共插层LDH。该方法减少了价格昂贵的受阻胺光稳定剂的用量，极大地提高了受阻胺光稳定剂的利用率，降低了受阻胺光稳定剂与紫外吸收剂共插层LDH的制备成本，且具有制备方法操作简单、反应条件温和、层间受阻胺光稳定剂和紫外吸收剂的摩尔比值易于调控
受阻胺光稳定剂紫外吸收剂制备共插层抗光老化超分子层间插层强碱弱碱反应条件老化材料共沉淀强碱性弱碱性再利用替换调控

[发明专利]一种热塑性聚合物/粘土纳米复合材料及其制备方法和用途-CN200710099793.7无效
发明人：关家玉;欧晓斌 -专利权人：北京中科普惠科技发展有限公司
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C08L23/06 文献下载
摘要：采用插层复合法，按重量份将离子交换总容量为80meq－100meq/100g的钙基或钠基蒙脱土粘土2－15份，生物活性物质0.005－0.1份，季铵盐插层剂0.5－5份，进行插层共混合，得到均匀分散共混物备用；将热塑性聚合物85－98份在熔融状态下，加入上述的分散共混物2－15份，均匀搅拌进行熔融共插层，经挤出成型制得。
一种塑性聚合物粘土纳米复合材料及其制备方法用途

[实用新型]一种直插式整体灌封共模电感-CN202222009092.2有效
发明人：林森茂;金承翠;邹军;石明明 -专利权人：天长市富安电子有限公司;富安电子(南通)有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01F27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种直插式整体灌封共模电感，主要包括磁芯本体、线圈、底座、绝缘壳、灌封胶、引脚。本实用新型针对现有的立式、卧式的直插式共模电感所设计，首先在磁芯外包覆一层磁环绝缘材料，磁环绝缘为弹性绝缘材料，其次对直插式共模电感整体加装尼龙绝缘壳，待组装完毕后填充环氧树脂灌封胶，形成一种直插式灌封式共模电感
一种直插式整体灌封共模电感

[发明专利]一种三维存储器及其接触插塞的制造方法-CN202011171431.6有效
发明人：李兆松;魏健蓝;毛晓明;高晶 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维存储器及其接触插塞的制造方法，包括：提供半导体晶圆，包括衬底、堆叠结构及层间介质层，堆叠结构中形成有沿高度方向贯穿堆叠结构的阵列共源极以及位于阵列共源极外围的台阶区域；对层间介质层及堆叠结构进行刻蚀，以同时形成暴露阵列共源极的开口和台阶区域的顶部接触孔；经由开口去除阵列共源极中心的填充物，以至暴露阵列共源极边缘的第一导电介质；在开口和顶部接触孔中填充第二导电介质以形成接触插塞。本发明还提供了一种包含上述制造方法形成的接触插塞的三维存储器。本发明所提供的三维存储器及其制造方法能够简化工艺流程步骤，尤其能够减少第二导电介质的使用量以降低工艺成本。
一种三维存储器及其接触制造方法

[发明专利]四元共混可降解插层抗菌高透保鲜膜及制备方法-CN202111600215.3有效
发明人：潘艳芳;张洁;贾晓昱;陈兰;赵志永 -专利权人：中国农业科学院农产品加工研究所
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C08L67/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种四元共混可降解插层抗菌高透保鲜膜，其原料组分及重量份数为：四元共混可降解保鲜膜基材100份、缓释纳米插层抗菌助剂1～2份、透气助剂2～5份、降解促进助剂1～2.5份。本发明制得的四元共混可降解插层抗菌高透保鲜膜，机械及力学性能良好、成膜韧性及稳定性提高，集保湿透气、纳米抗菌、快速降解功能为一体，具有更高的安全性和可控性，便于工业化生产，用于生鲜食品的气调防霉保鲜。
四元共混可降解抗菌保鲜膜制备方法

[发明专利]无焊垫外扇晶粒叠层结构及其制作方法-CN201711119770.8有效
发明人：陈士弘 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明公开了一种无焊垫的外扇晶粒叠层结构，包括位于基材上的第一晶粒；第一介电层，共形地覆盖于第一晶粒上；第一线路重布层，位于第一介电层上；第一插塞，电性连接第一晶粒和第一线路重布层；第一覆盖层，共形地覆盖于第一线路重布层上；第二晶粒，贴附于第一覆盖层上；第二介电层，共形地覆盖于第二晶粒上；第二线路重布层，位于第二介电层上；第二插塞，电性连接第二晶粒和第二线路重布层；第二覆盖层，共形地覆盖于第二线路重布层上；图案化导电层，位于第二覆盖层上；层间连接结构分别将第一线路重布层和第二线路重布层连接至图案化导电层。
无焊垫外扇晶粒结构及其制作方法

[发明专利]多组分显色阴离子共插层超分子结构颜料及其制备方法-CN201110085768.X无效
发明人：李殿卿;唐平贵;冯拥军;冯俊婷 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2011-04-07 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： C09B67/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种多组分显色阴离子共插层的超分子结构颜料及其制备方法。该超分子插层结构颜料的化学组成通式为：M2+1-xM3+x(OH)2(An-)x/n·mH2O。该颜料的制备方法是将混合盐溶液、两种或两种以上显色阴离子化合物的混合溶液和碱溶液混合，将显色阴离子同时插入到水滑石层间，从而制备出一系列多组分显色阴离子共插层的超分子结构颜料。该颜料颜色不同于单一显色阴离子插层的超分子结构颜料，其颜色可以通过调变插入水滑石层间的不同显色阴离子的摩尔比进行调控。该颜料的制备方法简单，便于大规模生产。
组分显色阴离子共插层超分子结构颜料及其制备方法

[发明专利]一种碳纳米管插层蒙脱土增强充油型乳液共凝橡胶的制备方法-CN201510113180.9在审
发明人：谷正;宋国君;王立;李培耀;焦克智;邵帅 -专利权人：青岛大学
申请日： 2015-03-15 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： C08L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳纳米管插层蒙脱土增强充油型乳液共凝橡胶的制备方法。其主要成分为：橡胶100重量份，油1-40重量份，碳纳米管插层改性有机蒙脱土1-40重量份，防老剂0.1-5重量份；制备方法为：将碳纳米管插层改性蒙脱土悬浮液、防老剂加入到橡胶胶乳中，温度保持30-60℃搅拌5-30分钟；在上述混合物中加入乳化油并搅拌1-10分钟；加入絮凝剂絮凝、脱水干燥即制备了碳纳米管插层蒙脱土增强充油型乳液共凝橡胶。该方法可以克服传统的机械共混工法存在的填料分散不均匀、能耗高的缺点，工艺简单，成本低，易于推广。可通过调节橡胶中纳米填料的比例，适合于不同用户的需求。采用该方法制备的乳液共沉橡胶性能优异，其在力学性能、耐磨、抗静电等方面都有较大的提高。
一种纳米管插层蒙脱土增强充油型乳液橡胶制备方法

[发明专利]一种荧光素和庚烷磺酸钠共插层水滑石的光学pH传感器及其制备方法-CN201010033948.9无效
发明人：卫敏;史文颖;陆军;段雪 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明公开了属于光学pH传感器制备技术领域的一种荧光素和庚烷磺酸钠共插层水滑石的光学pH传感器及其制备方法。该传感器由导电材料和表面镀覆的荧光素和庚烷磺酸钠共插层水滑石薄膜组成。其制备方法：首先制备水滑石前体胶体溶液，然后进行离子交换得到荧光素和庚烷磺酸钠共插层水滑石胶体溶液，最后采用电泳沉积法在导电基底镀覆成膜。
一种荧光庚烷磺酸钠共插层水滑石光学 ph 传感器及其制备方法

[实用新型]双面共挤围栏长城板-CN202223613086.4有效
发明人：周华强;蔡培鑫;雷文;邱瑞 -专利权人：江苏福瑞森塑木科技股份有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： E04H17/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种双面共挤围栏长城板，属于新材料技术领域。双面共挤围栏长城板由外结构层和内结构层通过双面共挤形成整体结构，外结构层包覆在内结构层的外周，双面共挤围栏长城板具体由左插板、第一竖板、第二竖板、第三竖板、第四竖板、第五竖板、第六竖板、左上横板、中上横板本实用新型可实现快速连续化生产，生产效率高；采用双面共挤设计，外结构层确保长城板具有良好的耐老化性能，内结构层满足长城板的刚性和强度需求；采用中空型腔设计，重量轻、成本低，运输、安装方便；采用左插板和右开口卡槽设计
双面围栏长城

[实用新型]一种用于包装的多层共挤薄膜-CN202320311906.X有效
发明人：王锡权;王晓明 -专利权人：哈尔滨鹏程新材料科技股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： B32B3/08 文献下载
摘要：一种用于包装的多层共挤薄膜，本实用新型涉及一种多层共挤薄膜，本实用新型的目的是为了解决现有共挤膜对紫外线的阻隔性较差，使得包装后的食品常常容易因阳光照射出现氧化而导致腐坏，从而缩短了食品的保质期的问题，一种用于包装的多层共挤薄膜，它包括抗菌PE层、阻燃层、隔热层、缓冲层、PET膜层和缓冲件；抗菌PE层、阻燃层、隔热层、缓冲层和PET膜层由下至上依次一体固定连接，缓冲件插装在缓冲层内，缓冲件为遮光薄片。
一种用于包装多层薄膜

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