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[发明专利]差动开关、D/A转换器、半导体集成电路及通信机器-CN200980000165.6无效
发明人：生驹平治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H03M1/74 文献下载
摘要：一种差动开关电路，由第1差动开关基本电路(1)和第2差动开关基本电路(2)并联连接构成，第1差动开关基本电路(1)中多个晶体管(TP121、TP122)共享源极节点后形成第1公共源极节点(N1)，第2差动开关基本电路(2)中多个晶体管(TP131、TP132)共享源极节点后形成第2公共源极节点(N2)，第1公共源极节点(N1)和第2公共源极节点(N2)，按照每个时钟脉冲周期，被交替地复位成为规定的电压。
差动开关转换器半导体集成电路通信机器

[实用新型]一种ESD保护电路及显示面板-CN201821167757.X有效
发明人：于靖;庄崇营;李林 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2018-07-23 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种ESD保护电路及显示面板，可有效减少占用空间降低工艺难度，该ESD保护电路包括有第一信号线、第二信号线、公共电极线和ESD保护单元；ESD保护单元中有共用节点，包括第一薄膜晶体管，栅极连接至第一信号输入端，源极和漏极连接于第一信号输入端和共用节点间；第二薄膜晶体管，栅极连接至第二信号输入端，源极和漏极连接于第二信号输入端和共用节点间；第三薄膜晶体管，栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第一信号输入端和公共电极线间；第四薄膜晶体管，其栅极连接至共用节点，源极和漏极连接于第二信号输入端和公共电极线间；第五薄膜晶体管，其栅极连接至公共电极线，源极和漏极连接于公共电极线和共用节点间。
共用节点输入端薄膜晶体管公共电极线栅极连接漏极源极第二信号显示面板本实用新型工艺难度有效减少占用空间

[发明专利]射频开关电路-CN201310068067.4有效
发明人：河尚勋;朴成焕;金相喜;金南兴;裵孝根 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-03-04 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种用于减小开关控制信号的偏差电压的影响的射频开关电路，包括第一开关电路单元，连接在第一节点和公共节点之间并根据具有低或高电平的第一控制信号操作，第一节点连接至第一信号端口，公共节点连接至公共端口；第二开关电路单元，连接在第二节点和公共节点之间并根据具有与第一控制信号相反的相位的第二控制信号操作，第二节点连接至第二信号端口；第一分流电路单元，连接在第二节点和公共源极节点之间并根据第一控制信号操作；第二分流电路单元，连接在第一节点和公共源极节点之间；及源极电压产生单元，产生源极电压，源极电压具有的电压电平等于在第一控制信号和第二控制信号中具有低电平的控制信号的电压电平并且高于地电位。
射频开关电路

[发明专利]用于切换射频信号的切换设备-CN201511020609.6有效
发明人：西蒙·施密德 -专利权人：罗德施瓦兹两合股份有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：该切换设备包括至少一个第一场效应晶体管，该第一场效应晶体管包括第一源极节点、第一栅极节点和第一漏极节点，其中在半导体基板上，第一栅极节点布置在第一漏极区域和第一源极区域之间。该切换设备包括至少一个第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管包括第二源极节点、第二栅极节点和第二漏极节点，其中在同一个半导体基板上，第二栅极节点布置在第二漏极区域和第二源极区域之间。第一晶体管的第一源极区域直接连接至第二晶体管的第二漏极区域，以形成该切换设备的公共节点。该切换设备的输入节点和输出节点直接连接至公共节点。该切换设备由公共半导体基板上的偶数个场效应晶体管形成。
用于切换射频信号设备

[发明专利]发射器-CN200910216920.6无效
发明人：张大中;林旭熙;尹永彬 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2009-12-31 - 公布日： 2010-09-29 - 主分类号： H04B1/04 文献下载
摘要：该发射器包括第一放大单元，包括第一放大器和第二放大器，第一放大器包含第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管，具有连接第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管的公共源极，第二放大器包含第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管，具有连接第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管的公共漏极，并且，第二放大器与第一放大器并联连接；第二放大单元，其包括类似于第一放大单元的结构；以及差分输出节点，其包括连接至第一放大单元的输出级的正节点以及连接至第二放大单元的输出级的负节点，第一放大器的公共源极和第二放大器的公共漏极共同连接至正节点，第三放大器的公共源极和第四放大器的公共漏极共同连接至负节点。
发射器

[发明专利]三维半导体器件及其制造方法-CN201310552973.1有效
发明人：金锡基 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：所述方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成包括公共源极节点的第一半导体层；在第一半导体层上形成晶体管区，其中，晶体管区包括与半导体衬底的表面大体平行的水平沟道区、和从水平沟道区向与半导体衬底的表面大体垂直的方向分支出的源极区和漏极区；处理第一半导体层以对应于源极区而定位公共源极节点；在源极区与漏极区之间的空间中形成栅极；在源极区和漏极区上形成加热电极；以及在暴露出的加热电极上形成电阻可变材料层。
源极区半导体层漏极区衬底半导体公共源极节点加热电极晶体管区水平沟道电阻可变材料层三维半导体器件半导体器件方向分支垂直的平行制造暴露

[发明专利]信号接收器电路-CN201910046871.X有效
发明人：金旼昶 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：一种信号接收器电路包括：负电压施加器，其响应于第一时钟处于第一逻辑电平而将负电压施加到公共源极节点；第一采样晶体管，其响应于第一输入信号而将电流从第一采样节点吸收到公共源极节点；第二采样晶体管，其响应于第二输入信号而将电流从第二采样节点吸收到公共源极节点；均衡器，其响应于第一时钟处于第二逻辑电平而使第一采样节点与第二采样节点均衡；预充电器，其响应于第二时钟处于第一逻辑电平而将第一输出节点和第二输出节点预充电到上拉电压，并响应于第二时钟处于第二逻辑电平而将第一和第二输出节点分别电耦接到第二采样节点和第一采样节点；以及放大器，其响应于第二时钟处于第二逻辑电平而放大第一与第二输出节点之间的电压差。
信号接收器电路

[实用新型]电流镜-CN200720119331.2无效
发明人：程航;李波;李定;夏君 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2007-03-31 - 公布日： 2008-03-12 - 主分类号： G05F3/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电流镜，包括：输入MOS管，所述输入MOS管的漏极与所述电流输入端相连；与所述输入MOS管源极相连的公共节点；第一双极型晶体管，所述第一双极型晶体管的基极与所述输入MOS管的漏极相连，集电极与所述公共节点相连，发射极与所述输入MOS管的栅极相连；与所述输入MOS管具有相同类型导电沟道的输出MOS管，所述输出MOS管的栅极与所述输入MOS管的栅极相连，源极与所述公共节点相连；输出双极型晶体管，所述输出双极型晶体管的集电极与所述电流输出端相连，发射极与所述输出MOS管的漏极相连，基极与所述输入MOS管的栅极相连。
电流

[发明专利]用于检测半导体元件特性的半导体器件及其操作方法-CN202110019161.5在审
发明人：洪玧锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：根据一个实施例，半导体器件包括：第一监测焊盘和第二监测焊盘；测试电路，包括：NMOS晶体管，其漏极和源极耦接在第一电压端子与公共节点之间；PMOS晶体管，其漏极和源极耦接在公共节点与第二电压端子之间；第一开关元件，其具有经由第一电阻器耦接到公共节点的第一端子和与第一监测焊盘耦接的第二端子；以及第二开关元件，其具有经由第二电阻器耦接到公共节点的第三端子和与第二监测焊盘耦接的第四端子；以及测试控制电路，其适用于控制测试电路
用于检测半导体元件特性半导体器件及其操作方法

[发明专利]改进用于MRI的低噪声前置放大器的输入阻抗-CN201080032378.X有效
发明人： A·赖高斯基 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H03F1/08 文献下载
摘要：前置放大器(46)包括具有公共源极配置的场效应晶体管(64)。当场效应晶体管的栅极被耦合到放大器输入电路(例如MRI线圈)时，场效应晶体管(64)的漏极被耦合到放大器输出端。该前置放大器还包括第一源-地连接部(66)和第二源-地连接部(68)。第一源-地引线(66)将场效应晶体管的源极耦合到放大器输入电路的接地节点，而第二源-地引线(68)将场效应晶体管的源极耦合到放大器输出电路的接地节点。结果，放大器输出电流基本在第二源-地引线(68)两端生成电压降。因此，放大器输入电路较少地受到任何公共源-地连接部两端的任何公共电压降的影响。
改进用于 mri 噪声前置放大器输入阻抗

[发明专利]用于单相异步电动机的可逆双电源空间矢量逆变电路及控制方法-CN201310559661.3有效
发明人：王丁 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-11-12 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： H02P21/00 文献下载
摘要：本发明包括直流电源DC1、DC2；和八个开关管，S1、S2、S5和S6为NMOS晶体管；S3、S4、S7和S8为PMOS晶体管；DC1的正极同时连接S1、S2源极；DC1的负极同时连接S3、S4源极；DC2的正极同时连接S5、S6源极；DC2的负极同时连接S7、S8源极；S1、S3漏极的公共节点连接主线圈LQ的一端；S6、S8漏极的公共节点连接辅助线圈LD的一端；S2、S4、S5和S7漏极的公共节点连接主线圈LQ与辅助线圈LD的公共连接点。
用于单相异步电动机可逆双电源空间矢量电路控制方法

[发明专利]用于集成的横向扩散场效应晶体管的连接布置-CN201880012876.4在审
发明人： S.L.涂;M.A.斯图伯;B.塔斯巴斯;S.B.莫林;R.蒋 -专利权人：斯兰纳亚洲有限公司
申请日： 2018-02-14 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：在半导体衬底上方的有源层中，一种半导体装置具有包括源极、漏极和栅极的第一横向扩散场效应晶体管(LDFET)，以及包括源极、漏极和栅极的第二LDFET。所述第一LDFET的所述源极和所述第二LDFET的所述漏极电连接到公共节点。在所述有源层上方形成第一正面触点和第二正面触点，并且形成电连接到所述半导体衬底的衬底触点。所述第一正面触点、所述第二正面触点和所述衬底触点中的每一者电连接到所述第一LDFET的所述漏极、所述第二LDFET的所述源极和所述公共节点中不同的相应一者。
触点衬底漏极源极电连接场效应晶体管公共节点横向扩散源层半导体半导体装置连接布置

[发明专利]源极驱动器集成电路和包括其的显示设备-CN201280070710.0有效
发明人：金志勋;闵庚直;李海远;陈炳润 -专利权人：硅工厂股份有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种源极驱动器集成电路，其包括公共节点、多个用于输入功率的焊盘以及公共功率线，其中多个用于输入功率的焊盘的一部分与外部功率源连接，用于输入功率的多个焊盘的剩余部分通过公共节点与该用于输入功率的多个焊盘的上述一部分连接；以及公共功率线通过公共节点与多个用于输入功率的焊盘连接。
驱动器集成电路包括显示设备

[发明专利]读出放大器电路和半导体存储器件-CN96100422.3无效
发明人：筑出正树;有本和民 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 1996-01-11 - 公布日： 1999-10-06 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：在读出操作启动之前，将ｎ沟道读出放大器晶体管（２２４ｃ,２２４ｄ）的背栅极电位设置到大于操作电源电位和地电位之间的中间电位的背栅极预充电电位，然后在读出操作期间，背栅极电位随着ｎ型公共源极节点电位（ＣＳＮｎ型公共源极节点（２２１ｂ）预充电到该中间电位。设置背栅极预充电电位，使其不大于中间电位加上一个ｐｎ结扩散电位之和的电位，从而抑制了自每个读出放大器晶体管的背栅极至源极或漏极的漏电流。
读出放大器电路半导体存储器件

[发明专利]采样电路及直流-直流变换器-CN202211316077.0在审
发明人：袁冰;薛晓磊 -专利权人：拓尔微电子股份有限公司
申请日： 2022-10-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H02M1/00 文献下载
摘要：其中，任意相邻的两个第一开关管之间存在公共节点，放电单元的输入端与公共节点电连接。当第一开关管为断开状态时，公共节点处的电压仍为第一开关管导通状态时的电压。本申请实施例中的放电单元可以拉低相邻的两个第一开关管之间公共节点处的电压，使公共节点处的电压值与开关管栅极电压之间的差值小于第一开关管的源极和栅极之间的耐压值，防止公共节点处的电压值与开关管栅极电压之间的差值大于第一开关管的源极和栅极之间的耐压值
采样电路直流变换器

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