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[发明专利]光酸产生剂-CN202111387926.7在审
发明人： G·I·梅杰;V·韦伯;P·W·J·斯塔尔 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： C07F7/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型光酸产生剂化合物阳离子，其包含元素，所述元素对于92eV光子(极紫外(EUV))具有至少0.5×107·cm2光酸产生剂化合物阳离子和阴离子的光酸产生剂。此外，本发明旨在提供一种包含所述光酸产生剂和酸不稳定聚合物的光致抗蚀剂组合物。最后，本发明涉及使用光致抗蚀剂组合物产生酸的方法和在基材上形成图案化材料特征的方法。
产生

[发明专利]光酸产生剂及含有该光酸产生剂的光致抗蚀剂-CN201110128498.6有效
发明人： E·阿恰达;李明琦;C-B·徐 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2011-03-31 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： C07C309/17 文献下载
摘要：光酸产生剂及含有该光酸产生剂的光致抗蚀剂。本发明涉及合成光酸产生剂化合物(“PAGs”)的新方法、新的光酸产生剂化合物和含有这些PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。在特别的方面，光酸产生剂具有1)SO3-基团，2)一个或多个氟化碳原子和3)一个或多个直接或间接地被酮酸酯基团取代的氟化碳原子。
产生含有光致抗蚀剂

[发明专利]树脂组合物和并入有该树脂组合物的流通池-CN202080047552.1在审
发明人： Y·罗赫连科;T·J·默克尔 -专利权人：伊鲁米纳公司
申请日： 2020-12-21 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：一种示例性树脂组合物包含环氧树脂基质、第一光酸产生剂和第二光酸产生剂。该第一光酸产生剂包含分子量小于约250g/mol的阴离子。该第二光酸产生剂包含分子量大于约300g/mol的阴离子。在一个示例中，i)该第一光酸产生剂的阳离子，或ii)该第二光酸产生剂的阳离子，或iii)该第一光酸产生剂和该第二光酸产生剂的阳离子在使该树脂组合物固化的入射光的波长下具有至少0.1L/(g*cm)的质量衰减系数
树脂组合并入流通

[发明专利]光酸产生剂及包含该光酸产生剂的光刻胶-CN201210520596.9在审
发明人： E·阿恰达;C-B·徐;李明琦;山田晋太郎;W·威廉姆斯三世 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C07C381/12 文献下载
摘要：具有式(I)所示结构的光酸产生剂化合物：[A-(CHR1)p]k-(L)-(CH2)m-(C(R2)2)n-SO3-Z+ (I)，其中A是任选地包含O、S、N、F或包含上述至少一种的组合的取代或未取代的单环本发明还公开了光酸产生剂的前体化合物、包含所述光酸产生剂的光刻胶组合物，和涂覆有所述光刻胶组合物的基材。
产生包含光刻

[发明专利]光酸产生剂及包含该光酸产生剂的光刻胶-CN201710070871.4在审
发明人： E·阿恰达;C-B·徐;李明琦;山田晋太郎;W·威廉姆斯三世 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： C07C309/65 文献下载
摘要：具有式(Ⅰ)所示结构的光酸产生剂化合物[A‑(CHR1)p]k–(L)‑(CH2)m‑(C(R2)2)n‑SO3‑Z+(I)其中A是任选地包含O、S、N、F或包含上述至少一种的组合的取代或未取代的单环、本发明还公开了光酸产生剂的前体化合物、包含所述光酸产生剂的光刻胶组合物，和涂覆有所述光刻胶组合物的基材。
产生包含光刻

[发明专利]一种化学放大光刻胶及其制备与使用方法-CN202211660681.5在审
发明人：傅志伟;吴信;王文毅;朱玉呈;李效军;梅崇余;潘新刚 -专利权人：徐州博康信息化学品有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：化学放大光刻胶包括如下质量百分比的各组分：聚合物树脂，光刻胶的15～30％；光致酸产生剂，聚合物树脂的2.1～11％；淬灭剂，光致酸产生剂的15～20％；流平剂，光刻胶的0.02～0.1％；溶剂，补足百分百；所述光致酸产生剂包括第一光致酸产生剂和第二光致酸产生剂，所述第一光致酸产生剂为含氟结构的光致酸产生剂，所述第二光致酸产生剂为不含氟结构的光致酸产生剂且光解后产生芳基磺酸结构的酸。
一种化学放大光刻及其制备使用方法

[发明专利]光酸产生剂、其制备方法及包含光酸产生剂的抗蚀剂组合物-CN201210028643.8有效
发明人：吴贞薰;尹队卿;洪容和;赵承德 -专利权人：锦湖石油化学株式会社
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： C07C309/10 文献下载
摘要：本发明涉及光酸产生剂、其制备方法及包含光酸产生剂的抗蚀剂组合物。本发明提供由下式(1)表示的光酸产生剂、制备所述光酸产生剂的方法，以及包含所述光酸产生剂的抗蚀剂组合物：[化学式1]产生制备方法包含抗蚀剂组合

[发明专利]光致抗蚀剂材料和用由其构成抗蚀图形的半导体装置制法-CN99100817.0无效
发明人：山名慎治 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1999-02-23 - 公布日： 2002-10-30 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明为提供一种在化学放大负型光致抗蚀剂中兼具有抑制稀疏与致密尺寸差和侧壁凹凸少的光致抗蚀剂形状的光致抗蚀剂图形，使用将分子量为100-1000、产生扩散距离为30-60nm酸的光致酸产生剂，与分子量为100-1000、产生扩散距离为10-30nm酸的光致酸产生剂以摩尔比5-95％的比例混合，光致酸产生剂的总量为树脂量百分比1-15％的光致抗蚀剂材料。
光致抗蚀剂材料构成图形半导体装置制法

[发明专利]光酸产生剂、其制备方法及包含光酸产生剂的抗蚀剂组合物-CN201210028642.3有效
发明人：吴贞薰;申珍奉;金兑坤;徐东辙 -专利权人：锦湖石油化学株式会社
申请日： 2012-02-07 - 公布日： 2012-08-08 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光酸产生剂、其制备方法及包含光酸产生剂的抗蚀剂组合物。本发明提供由下式(1)表示的光酸产生剂、制备所述光酸产生剂的方法，以及包含所述光酸产生剂的抗蚀剂组合物：[化学式1]产生制备方法包含抗蚀剂组合

[发明专利]一种含光致酸产生剂光敏聚合物及其制备方法-CN202211180931.5有效
发明人：刘斌;权京哲 -专利权人：苏州威迈芯材半导体有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明提供一种含光致酸产生剂光敏聚合物，本发明的含光致酸产生剂光敏聚合物的制备方法，光敏聚合物可以通过包括光酸产生剂来制备为光敏聚合物，其中乙烯基被引入脂环中，从而使将光致酸产生剂在抗蚀剂中的降低不均匀性和浓度
一种含光致酸产生光敏聚合物及其制备方法

[发明专利]光致抗蚀剂组合物及图案形成方法-CN202211182841.X在审
发明人：杨可;李明琦;李忠奉;C-B·徐;I·考尔;T·马兰戈尼;J·凯茨 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：光致抗蚀剂组合物包含：酸敏感聚合物，其包含含酯缩醛基团的重复单元，其中该酸敏感聚合物不含叔烷基酯基团并且基本上不含芳香族基团；包含碱不稳定基团的材料；不含氟的光酸产生剂化合物，其产生pKa为‑2或更大的酸，并且其中该光致抗蚀剂组合物不含产生pKa小于‑2的酸的光酸产生剂；以及溶剂。该光致抗蚀剂组合物和使用该光致抗蚀剂组合物的图案形成方法特别地可用于在半导体制造工业中形成精细光刻图案。
光致抗蚀剂组合图案形成方法

[发明专利]感光化射线性或感放射线性树脂组合物、抗蚀剂膜、图案形成方法、电子器件的制造方法-CN201980039802.4在审
发明人：小岛雅史;上村稔;川岛敬史;后藤研由;山本庆;丸茂和博;王惠瑜 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2019-07-01 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：并且，提供一种涉及上述感光化射线性或感放射线性树脂组合物的抗蚀剂膜、图案形成方法及电子器件的制造方法。感光化射线性或感放射线性树脂组合物包含：光产酸剂A，其产生通式(I)所表示且pKa为‑1.00以上的酸；选自由产生pKa比由光产酸剂A产生的酸大1.00以上的酸的光产酸剂B、及共轭酸的pKa比由光产酸剂A产生的酸大1.00以上的含氮化合物C组成的组中的1种以上；以及酸分解性树脂，在包含产生pKa小于‑1.00的酸的光产酸剂D情况下，光产酸剂A的含有摩尔数相对于光产酸剂D的含有摩尔数之比为1.0以上。
感光射线放射线性树脂组合抗蚀剂膜图案形成方法电子器件制造

[发明专利]形成半导体器件的图案的方法-CN201210383423.7在审
发明人：朴贞珠;金京美;金珉廷;李东峻;金富得 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： G03F1/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成半导体器件的图案的方法，该方法包括：形成包括光致产酸剂和光致产碱剂的光致抗蚀剂层；通过对所述光致抗蚀剂层进行第一曝光从所述光致抗蚀剂层的第一曝光部分中的光致产酸剂产生酸；以及通过对所述第一曝光部分的一部分进行第二曝光从所述光致抗蚀剂层的第二曝光部分中的光致产碱剂产生碱，并且中和酸。该方法还包括：在所述第一曝光和第二曝光之后烘烤所述光致抗蚀剂层，并且脱封其中产生了酸的所述第一曝光部分的光致抗蚀剂层，以形成脱封的光致抗蚀剂层；以及通过使用显影剂除去所述脱封的光致抗蚀剂层来形成光致抗蚀剂图案
形成半导体器件图案方法

[发明专利]包含具有光酸产生官能团和碱溶解度增强官能团的重复单元的聚合物和相关光致抗蚀剂组合物和电子装置形成方法-CN201510650560.6有效
发明人： P·J·拉博姆;V·吉安;J·W·萨克莱;J·F·卡梅伦;S·M·科莱;A·M·科沃克;D·A·瓦莱里 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2015-10-09 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C08F120/38 文献下载
摘要：聚合物包括重复单元，所述重复单元中的大部分是光酸产生重复单元。所述光酸产生重复单元中的每一个包括光酸产生官能团和碱溶解度增强官能团。所述光酸产生重复单元中的每一个包含阴离子和光酸产生阳离子，所述阴离子和所述光酸产生阳离子全体地具有结构(I)光致抗蚀剂组合物的组分，所述光致抗蚀剂组合物进一步包括在酸的作用下在碱性显影剂中展现溶解度的变化的第二聚合物。
包含有光产生官能团溶解度增强重复单元聚合物相关光致抗蚀剂组合电子装置

[发明专利]带有光产酸剂的含光自由基产生剂的光致抗蚀剂组合物-CN01118895.2无效
发明人：郑载昌;李根守;郑旼镐;白基镐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物,更具体涉及一种包括(a)光致抗蚀剂树脂,(b)光产酸剂,(c)有机溶剂和(d)光自由基发生剂的光致抗蚀剂组合物。该光致抗蚀剂组合物能降低或阻止由于光致抗蚀剂上部组合物产生的酸浓度相对于光致抗蚀剂下部组合物产生的酸浓度高所造成的倾斜图像的生成。
有光产酸剂自由基产生光致抗蚀剂组合

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