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[发明专利]光栅耦合器-CN202080107820.4在审
发明人：西川智志;松浦雅広 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：光栅耦合器(1)具备第1光波导芯片(20)、第2光波导芯片(30)以及透明部件(40)。第1光波导芯片(20)包括第1基板(21)、第1波导光栅(25)以及第1芯片端面(20c)。第2光波导芯片(30)包括第2波导光栅(35)和第2芯片顶面(30a)。光栅耦合器(1)的使用波长范围内的光的光路在第1光波导芯片(20)的第1光入射出射面(20i)与第2光波导芯片(30)的第2光入射出射面(30i)之间被透明部件(40)填充。
光栅耦合器

[发明专利]光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置方法-CN201210261727.6在审
发明人：仇超 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-07-26 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置方法。根据本发明的光栅耦合器制造方法包括：有源区及光波导层制作过程，用于在制作光栅耦合器光波导层的同时形成MOS晶体管的有源区；多晶硅处理过程，用于在形成光栅耦合器的多晶硅覆盖层同时制造MOS晶体管的多晶硅栅极；以及光栅制造过程，用于制造光栅耦合器的光栅。根据本发明的光栅耦合器制造方法可有效地同时制造光栅耦合器以及CMOS电路，或者同时制造光栅耦合器以及MOS电路；并且，由于形成了具有多晶硅覆盖的光栅耦合器，提高了光栅耦合器的耦合效率。
光栅耦合器制造方法以及半导体器件装置

[发明专利]使用光栅耦合器的单侧图案化的光学目镜-CN202080043479.0有效
发明人： K·罗;V·辛格;N-W·皮;杨书强;F·Y·徐 -专利权人：奇跃公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：目镜包括基板和在基板的单侧上图案化的耦入光栅。第一光栅耦合器被图案化在基板的单侧上并且具有第一光栅图案。第一光栅耦合器被光学耦合到耦入光栅。第二光栅耦合器邻近第一光栅耦合器被图案化在基板的单侧上。第二光栅耦合器具有不同于第一光栅图案的第二光栅图案。第二光栅耦合器被光学耦合到耦入光栅。
使用光栅耦合器图案光学目镜

[发明专利]使用光栅耦合器的单侧图案化的光学目镜-CN202310086465.2在审
发明人： K·罗;V·辛格;N-W·皮;杨书强;F·Y·徐 -专利权人：奇跃公司
申请日： 2020-06-11 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G02B25/00 文献下载
摘要：本发明涉及使用光栅耦合器的单侧图案化的光学目镜。目镜包括基板和在基板的单侧上图案化的耦入光栅。第一光栅耦合器被图案化在基板的单侧上并且具有第一光栅图案。第一光栅耦合器被光学耦合到耦入光栅。第二光栅耦合器邻近第一光栅耦合器被图案化在基板的单侧上。第二光栅耦合器具有不同于第一光栅图案的第二光栅图案。第二光栅耦合器被光学耦合到耦入光栅。
使用光栅耦合器图案光学目镜

[发明专利]光子部件-CN202110704836.X在审
发明人：马可·维塔利;丹尼洛·布龙齐 -专利权人：斯科雅有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：该部件包括：第一光栅耦合器，其具有第一和第二光栅耦合器输出，并通过光栅耦合器输入连接到干涉器件的第一输出，第二光栅耦合器，其具有第一和第二光栅耦合器输出，并通过光栅耦合器输入连接到干涉器件的第二输出，第一光电探测器，其连接到第一光栅耦合器的第一光栅耦合器输出，第二光电探测器，其连接到第二光栅耦合器的第一光栅耦合器输出，和控制器件，其连接到第一和第二光电探测器，并且基于两个光电探测器的光信号形成用于控制干涉器件的控制信号，其中第一和第二光栅耦合器布置在相同芯片级中，并且第二光栅耦合器输出形成超出芯片级的耦合路径。
光子部件

[发明专利]光子集成芯片、毫米波发射机及接收机前端模组-CN202310653376.1在审
发明人：朱敏;田亮;张教;蔡沅成;雷明政;华炳昌;邹昱聪;肖金标;余建军;黄永明;尤肖虎 -专利权人：网络通信与安全紫金山实验室
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种光子集成芯片、毫米波发射机及接收机前端模组，所述光子集成芯片包括：光调制器、光探测器、光衰减器、光耦合器、第一光栅耦合器、第二光栅耦合器和第三光栅耦合器；第一光栅耦合器与光调制器连接；第二光栅耦合器与光衰减器连接；光调制器和光衰减器分别与光耦合器连接；光耦合器分别与光探测器和第三光栅耦合器连接。本发明提供的光子集成芯片，包括：光调制器、光探测器、光衰减器、光耦合器、第一光栅耦合器、第二光栅耦合器和第三光栅耦合器，可以实现接收或发送的功能，可同时应用于毫米波发射机前端模组和毫米波接收机前端模组，
光子集成芯片毫米波发射机接收机前端模组

[发明专利]光学装置和光学装置测试方法-CN202011561451.4有效
发明人：杉山昌树 -专利权人：富士通光器件株式会社
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：测试电路包括：第一光栅耦合器，其被配置为接收测试光；第二光栅耦合器，其被配置为输出通过了第一光栅耦合器的测试光作为参考光；以及第一分支耦合器，其被连接到第一光栅耦合器的输出。第一分支耦合器包括连接到光电路的输入并且被配置为将来自第一光栅耦合器的测试光分支并输出到光电路的第一输出。此外，第一分支耦合器包括连接到第二光栅耦合器的输入并且被配置为将来自第一光栅耦合器的测试光分支并输出到第二光栅耦合器的第二输出。
光学装置测试方法

[实用新型]一种多波导光栅合束调节装置-CN202223371087.2有效
发明人：牛瑞华;王石强;倪秀付;高新杰;刘华 -专利权人：无锡迈微光电科技有限公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多波导光栅合束调节装置，包括光栅耦合器和调节机构，所述光栅耦合器包括外侧设置的防护外壳，所述调节机构安装在光栅耦合器和防护外壳之间，所述调节机构包括立板、限位杆、限位螺栓和支撑组件，L型的两个所述立板竖直固定在防护外壳内表面且分别位于光栅耦合器右端前后侧，所述限位杆安装在立板上端表面，所述支撑组件安装在防护外壳内表面且位于光栅耦合器外侧；本实用新型通过将光栅耦合器和调节机构结合，调节机构可在不影响光栅耦合器对光衍射前提下，调节光栅耦合器在竖直方向的角度和高度，从而改变对光衍射角度和光束的传导角度，增加光栅耦合器安装使用范围和使用便捷性，且调节机构整体方便拆装。
一种波导光栅调节装置

[发明专利]光子部件-CN201780069876.3有效
发明人：马可·维塔利;丹尼洛·布龙齐 -专利权人：斯科雅有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G02B6/34 文献下载
摘要：根据本发明，该部件还包括：第一光栅耦合器(GC1)，其具有第一和第二光栅耦合器输出，并通过光栅耦合器输入连接到干涉器件的第一输出，第二光栅耦合器(GC2)，其具有第一和第二光栅耦合器输出，并通过光栅耦合器输入连接到干涉器件的第二输出，第一光电探测器(PD1)，其连接到第一光栅耦合器的第一光栅耦合器输出，第二光电探测器(PD2)，其连接到第二光栅耦合器的第一光栅耦合器输出，以及控制器件(30)，其连接到第一和第二光电探测器，并且基于两个光电探测器的光信号(I1、I2)，或通过光信号形成的评估信号，形成至少一个用于控制干涉器件的控制信号(ST1、ST2)，其中第一和第二光栅耦合器布置在，特别地，集成在部件的芯片(2000)的相同芯片级(E)中，并且其中，在第一和第二光栅耦合器的情况下，每个第二光栅耦合器输出均形成超出芯片级的耦合路径，即与芯片级成70度和110度之间的角度。
光子部件

[发明专利]一种硅光芯片探测器响应度测试装置和方法-CN201910905072.3有效
发明人：周扬;华士跃 -专利权人：中兴光电子技术有限公司
申请日： 2019-09-24 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅光芯片探测器响应度测试装置和方法，所述装置包括：光栅校准结构、耦合器校准结构以及响应度测试结构；所述光栅校准结构包括直波导、以及连接在所述直波导两端的2个光栅耦合端口，其中一个光栅耦合端口作为光栅输入端，另一个光栅耦合端口作为光栅输出端；所述耦合器校准结构包括校准耦合器、以及与所述校准耦合器通过波导相连的4个光栅耦合端口；所述响应度测试结构包括测试耦合器、与所述测试耦合器通过波导相连的两个光栅耦合端口，以及与所述测试耦合器通过波导相连的待测硅光探测器PD。采用对称结构，使得探测器测试的光栅输入端口与光栅输出端口在不移动探针、芯片、耦合光纤的情况下就可以互换。
一种芯片探测器响应测试装置方法

[发明专利]CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器-CN201710176151.6在审
发明人：张赞允;朱华;刘宏伟;陈力颖;李鸿强 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器，由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导，实现无损耗光传输及模式转换；一个双介质包层，位于双向光栅耦合器上方，用于抑制对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片，作为CMOS后工艺的衬底，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层，位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器下包层；一个环形金属对准标记，位于双介质包层上方，环绕在双向光栅耦合器周围，用于测试时对单模光纤进行对准。
cmos 工艺集成高效率双向光栅耦合器

[实用新型]CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器-CN201720285882.X有效
发明人：张赞允;朱华;刘宏伟;陈力颖;李鸿强 -专利权人：天津工业大学
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器，包括一个双向光栅耦合器，由一个用于垂直耦合的均匀光栅和两个模式转换器组成，均匀光栅作为单模光纤的垂直耦合接口，模式转换器用于连接双向光栅耦合器两侧多模光波导与单模光波导，实现无损耗光传输及模式转换；一个双介质包层，位于双向光栅耦合器上方，用于抑制对入射光的向上反射；一个CMOS IC芯片，作为CMOS后工艺的衬底，其中位于CMOS IC芯片表面、双向光栅耦合器底部的金属焊盘作为双向光栅耦合器的衬底反射镜；一个二氧化硅隔离层，位于CMOS IC芯片和双向光栅耦合器之间，作为双向光栅耦合器下包层；一个环形金属对准标记，位于双介质包层上方，环绕在双向光栅耦合器周围，用于测试时对单模光纤进行对准。
cmos 工艺集成高效率双向光栅耦合器

[发明专利]一种低背向反射的光栅耦合器-CN201810775320.2在审
发明人：邹俊;王昌辉 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2018-07-16 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：一种低背向反射的光栅耦合器，包括单模波导、锥形波导展宽区域和光栅区域，所述的单模波导和光栅区域通过锥形波导展宽区域相连接，光栅区域由一组相互平行的波导阵列组成。本发明提供了一种低背向反射的光栅耦合器，它解决了传统光栅耦合器受菲涅尔反射影响的问题，能有效抑制光栅耦合器的背向反射，并降低光栅耦合器输出谱中的功率抖动。
光栅耦合器背向反射光栅区域单模波导展宽区域锥形波导波导阵列传统光栅有效抑制菲涅尔输出谱耦合器抖动反射平行

[发明专利]激光雷达芯片和激光雷达-CN202210874886.7有效
发明人：郑学哲;李晨蕾 -专利权人：苏州旭创科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： G01S7/4911 文献下载
摘要：本申请涉及一种激光雷达芯片和激光雷达，激光雷达芯片包括分光器、分束器、接收器和发射器，发射器为焦平面开关阵列发射器，发射器包括光开关阵列和光栅耦合器阵列，光栅耦合器阵列通过光开关阵列连接分光器，分光器同时与接收器相连，光栅耦合器阵列通过分束器与接收器连接，分束器与分光器相连；激光雷达芯片接收激光信号，通过分光器输出测量光至焦平面开关阵列发射器，同时通过分光器输出本振光至接收器；光开关阵列通过相应的光开关来将测量光导入到光栅耦合器阵列中相应的光栅耦合器，并通过光栅耦合器出射；光栅耦合器接收到的反射回波通过分束器进行偏振分束后传输至接收器；光栅耦合器为双偏振光栅耦合器。
激光雷达芯片

[发明专利]一种光学器件测试结构及其制作方法-CN202110189580.3在审
发明人：杨妍;张鹏;孙富君;唐波;李彬;刘若男;谢玲;李志华 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本公开提供一种光学器件测试结构及其制作方法，其中结构包括：基底；以及在所述基底上形成的器件层，所述器件层包括光器件、端面耦合器和光栅耦合器；其中，所述光器件与所述端面耦合器通过光波导连接；所述端面耦合器和所述光栅耦合器耦合连接，所述光栅耦合器位于所述基底上待制作划片深槽的区域。本公开提供的光学器件测试结构，结合了端面耦合器和光栅耦合器的优点，可以同时解决光芯片的晶圆级测试和芯片封装问题。
一种光学器件测试结构及其制作方法

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