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[发明专利]一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统-CN202011278986.0在审
发明人：魏劲松;徐君;王阳;刘人奇;唐泓炜 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11B7/24038 文献下载
摘要：一种光存储介质、光存储介质制备方法以及系统，本申请中，光存储介质包括基板和至少一个数据层，数据层包括记录层和间隔层，记录层位于间隔层之上；数据层位于基板之上。该记录层可以存储数据，在该记录层中包括分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域，这两种不同的区域可以指示不同的数据。在上述光存储介质中，由于分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域差异明显，在该光存储介质中记录层的层数增多，所能存储的数据增大的情况下，分布有相变材料的区域和未分布相变材料的区域仍能保证较佳的区分度，在确保数据读写的准确性的情况下，能够提高光存储介质中记录层的层数，增大光存储介质的容量。
一种存储介质制备方法以及系统

[发明专利]一种用于电子领域的光存储材料-CN201710434939.2在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：郁海丰
申请日： 2017-06-10 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： C07D417/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电子领域的光存储材料。电子俘获光存储的本质是材料的光激励发光特性。自从上世纪40年代出现关于光激励发光材料的报道以来，该材料在光存储、红外探测、辐射剂量测定、光信息处理等许多领域展现了其应用潜力。本发明提供的材料性能优异，可以用于制备电子俘获光存储材料。
电子俘获光存储光存储材料电子领域光激励光信息处理材料性能发光材料发光特性辐射剂量红外探测应用潜力光存储制备

[发明专利]一种电子俘获光存储材料-CN201710434956.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：郁海丰
申请日： 2017-06-10 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： C07D417/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子俘获光存储材料。电子俘获光存储的本质是材料的光激励发光特性。自从上世纪40年代出现关于光激励发光材料的报道以来，该材料在光存储、红外探测、辐射剂量测定、光信息处理等许多领域展现了其应用潜力。本发明提供的材料性能优异，可以用于制备电子俘获光存储材料。
电子俘获光存储光激励光信息处理材料性能发光材料发光特性辐射剂量红外探测应用潜力光存储制备

[发明专利]有机发光存储材料及应用该材料的双稳态OLED存储器-CN202110552186.1在审
发明人：钱妍;臧璇;密保秀;仪明东;高志强 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： C07D209/86 文献下载
摘要：本申请公开了有机发光存储材料及应用该材料的有机双稳态发光二极管存储器，提出了两种有机发光存储材料以及使用该材料的OLED结构的发光存储器，本发明所述的两种有机双稳态发光二极管OBLED发光存储器件具备OLED器件的发光特性、同时还具有有机双稳态器件OBD的存储功能，是一种兼存储与发光功能于一身的多功能OBLED发光存储器件，并且都表现出相同的先低导态再高导态的一次写入多次读取WORM存储行为。在有机电致发光及可视信息和保密存储领域具有巨大的潜在应用价值。而且，本发明所述的OBLED发光存储器件制备工艺简单、成本低廉、OLED发光效果稳定，具有很高的使用及推广价值。
有机发光存储材料应用双稳态 oled 存储器

[发明专利]超分辨光存储材料-CN202010540652.X有效
发明人：章英杰;徐敏;谢海军 -专利权人：上海蔚星科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： G11B7/243 文献下载
摘要：本发明提供超分辨光存储材料，涉及光存储材料技术领域。该超分辨光存储材料，所述材料为银‑稀土混合物‑二芳基乙烯类衍生物，其分子式为AgxMyRz光存储材料，具有良好的光稳定性以及热稳定性，室温下半衰期时间得到延长，光存储材料具有寿命长、存储密度高、速率快等特点，具有良好的吸收调制特性。
分辨存储材料

[发明专利]一种蓝紫光纳米光储存材料及制备方法-CN01102741.X无效
发明人：张家骅;黄世华;虞家琪 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2001-01-04 - 公布日： 2002-08-14 - 主分类号： C09K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及光信息存储技术,是一种发光型蓝光纳米光存储材料及其制备方法。本发明利用纳米材料具有较多的表面态特点,设计出一类特殊纳米光学材料,在紫外光辐照下,表面态发生性质改变,引起材料发光强度发生显著永久变化,从而可利用辐照前后发光强度的显著变化,实现蓝紫光光存储。所述的材料为纳米ZnSMn,采用化学共沉淀方法合成纳米颗粒或进一步制成薄膜。此种光存储材料与其它发光型光存储材料相比,具有多次读出性能好的优点。而且,由于蓝紫光具有较短波长及材料由纳米单元组成,存储密度高。
一种紫光纳米储存材料制备方法

[发明专利]光存储介质和用于写入、删除和读取数据的光设备-CN200680022792.6无效
发明人：瓦季姆·吉约吉耶维奇·基伊科;弗拉基米尔·尼古拉耶维奇·布里亚克;阿列克谢·B·叶戈罗夫 -专利权人： INTV贸易有限公司
申请日： 2006-06-23 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： G11B7/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种光存储介质和用于对光存储介质数据进行写入、删除和读取的设备。所述光存储介质由掺光致变色物质和不掺光致变色物质层的交替的聚合物层的多层结构组成。数据的读取通过将读取波长的辐射引入不带有光致变色介质的光存储介质的波导层，并通过检测带有光致变色材料的光存储介质层中发生折射系数变化处的发光变化来实现。用于写入、删除和读取光存储介质数据的设备包括：三波长的辐射源，用于辐射传输的光系统，独立辐射调制的光学三通道系统，通过朝向光存储介质层的垂直和竖直运动进行写入和删除的用于辐射聚焦的光系统，用于不带有光致变色物质的光存储介质层侧向发光的光系统，从而能够实现在垂直于不带有光致变色材料的光存储介质层的平面上的运动。根据本发明的这些设备可以用于要求存储可能要执行校正的大量数据的计算技术的所有领域。这些设备还可以用于记录，存储和重放视频和音频文件。
存储介质用于写入删除读取数据设备

[发明专利]一种含高温陷阱的光存储发光材料及其制备方法和应用-CN202111082090.X有效
发明人：张家骅;廖川;吴昊;张亮亮 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C09K11/80 文献下载
摘要：本发明提供了一种含高温陷阱的光存储发光材料，属于固体发光材料技术领域，其化学式为：(Y1‑x‑yTbxR光存储发光材料的制备方法和应用。本发明的含高温陷阱的光存储发光材料，在300℃‑600℃高温区至少存在三个陷阱热释峰，最强热释峰的峰值温度超过370℃，最高温热释峰的峰值超过480℃，克服目前用于光存储的材料陷阱过浅(热释峰值温度小于300℃)导致的存储时间短的问题，经紫外光辐照写入光信息后能够实现室温长期光存储。
一种高温陷阱存储发光材料及其制备方法应用

[发明专利]全息光存储膜片及其制备方法与专用生产原料-CN03100551.9无效
发明人：张复实;蒲守智;孙梵;袁鹏;李勇 -专利权人：清华大学
申请日： 2003-01-17 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： C07D333/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种全息光存储膜片及其制备方法与专用生产原料。本发明提供的专用生产原料为通式(I)化合物：其中，R₁为H原子或甲基，R为C原子数小于10的烷基、醇和杂环烷基。本发明提供的全息光存储膜片，由玻璃基片及涂敷在所述基片上的光存储材料组成，所述光存储材料为通式(I)化合物和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的混合物。
全息存储膜片及其制备方法专用生产原料

[发明专利]一种全息光存储聚合物及其制造方法-CN201711259188.1有效
发明人：危仁波;童利芬;尤勇;刘孝波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2017-12-04 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： C08F120/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种全息光存储聚合物及其制造方法。全息光存储聚合物是一种含有手性基团的假芪型偶氮高分子材料。全息光存储聚合物的制造方法是以S‑2‑甲基‑1‑丁醇为手性源，通过与4‑氨基苯甲酸反应得到带有手性基团的苯胺衍生物，然后再通过重氮偶合反应制备含有手性基团的假芪型偶氮单体，最后通过聚合反应将合成的偶氮单体聚合得到相应的聚合物全息光存储聚合物的偶氮基团与聚合物主链之间的柔性间隔基为2‑16个亚甲基。该全息光存储聚合物的分子量可调，在532纳米的干涉激光照射下，可以在该全息光存储聚合物表面加工出12重及以上的表面准晶结构，可以在1分钟内于该全息光存储聚合物膜表面进行全息光存储，形成的全息图案可以被擦除并重新写入
一种全息存储聚合物及其制造方法

[发明专利]用于单光束超分辨光存储的荧光聚合材料及其光存储方法-CN202011456546.X在审
发明人：赵苗;原续鹏;阮昊;郭新军 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C08F222/20 文献下载
摘要：本发明公开一种用于单光束超分辨光存储的荧光聚合材料及其光存储方法,方法步骤包括：设置单光束超分辨光存储写入系统，所述激光器发射所述单光束调整所述物镜后达到荧光聚合材料内部，使得激光单光束与荧光聚合材料内部发生聚合反应采用通过利用荧光聚合材料对单光束作用的不同的阈值其所反应的聚合程度不一样，显示出来的荧光强度也不一样，调节所述光束功率的大小，形成荧光对比度差，实现超分辨光存储的写入。材料包括：包括光引发剂、单体和聚集诱导发光染料，以各组分占材料的摩尔量计，光引发剂为0.1％～5％，聚集诱导发光染料为0.1％～5％，单体为90％～99.8％。本发明通过引入聚集诱导发光染料，通过同一种材料里面多阈值形成的荧光变化，形成超分辨的写入点，实现单光束超分辨存储。
用于光束分辨存储荧光聚合材料及其方法

[发明专利]铕、铥共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法-CN201811550397.6在审
发明人：张金苏;刘盛意;陈宝玖;李香萍;孙佳石;徐赛;程丽红 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种铕、铥共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法，所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr_1‑y‑xAl₂Si₂O<本发明制备的光存储材料与以往材料相比，性能极大提升，在光存储性能测试中，共掺杂样品的光激励发光初始强度与单掺杂Eu²⁺相比均有明显提高，既适用于新型在近紫外被宽带激发的白光LED蓝光荧光粉，也是一种高性能的光信息存储材料，适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。
光存储材料制备电子俘获型共掺杂铝硅酸锶光信息存储材料电子显微镜高温固相法光存储性能蓝光荧光粉电子通讯宽带激发信息存储医疗检测白光LED 光激励近紫外照相发光掺杂测试

[发明专利]铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法-CN201811550411.2有效
发明人：刘盛意;张金苏;陈宝玖;李香萍;孙佳石;徐赛;程丽红 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： C09K11/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种铕、钕共掺杂的铝硅酸锶电子俘获型光存储材料及其制备方法，所述电子俘获型光存储材料的化学式为Sr1‑x‑yAl2光存储材料与以往材料相比，性能极大提升，除了具备光存储材料之外，荧光粉的高亮度还可作为长余辉照明，以及白光LED的蓝色发光源，适于在医疗检测、电子通讯、电子显微镜照相和信息存储等多个应用领域。
掺杂硅酸电子俘获存储材料及其制备方法

[发明专利]TaVIn_1－xM_xSBrF_1－yI_y∶Re_z,Au_0.1光存储发光材料及其制备方法-CN200710151096.1无效
发明人：张晓松;李岚;李江勇;张艳芳;董冬青;奚群 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、镉离子共激活的TaVIn_1－xM_xSBrF_1－yI_y∶Re_z，Au_0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。
tavin sub sbrf re au 0.1 存储发光材料及其制备方法

[发明专利]Ba_1－xMgLiGaM_xFBr_1－yS_y∶Re_z,Ag_0.1光存储发光材料及其制备方法-CN200710151095.7无效
发明人：李岚;张晓松;李江勇;张艳芳;董冬青;庄晋燕 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2007-12-17 - 公布日： 2008-05-28 - 主分类号： C09K11/85 文献下载
摘要：本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、银离子共激活的Ba_1－xMgLiGaM_xFBr_1－yS_y∶Re_z，Ag_0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。
ba sub mgligam fbr re ag 0.1 存储发光材料及其制备方法

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