“光半导体”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1286365个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]发光半导体器件-CN201380050223.2在审
发明人： A.维尔姆 -专利权人：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：说明了一种发光半导体器件，具有-带有活性区（11）的发光半导体芯片（1），该活性区在运行中辐射具有第一频谱的光（31），-波长转换元件（2），其远离半导体芯片（1）地放置并且在具有第一频谱的光（31）的光路中布置在该半导体芯片（1）之后，该波长转换元件至少部分地将具有第一频谱的光（31）转换为具有第二频谱的光（32），以及-滤波层（3），该滤波层将从外部入射到半导体器件上的光（33）的至少一部分（34）进行反射，其中从外部入射到半导体器件上的光（33）的被滤波层（3）反射的部分（34）具有可见波长范围，并且在半导体器件关断的状态下叠加由波长转换元件引起的色觉。
发光半导体器件

[发明专利]带光反射层的光半导体元件的制造方法、带光反射层和荧光体层的光半导体元件的制造方法-CN201680016213.0在审
发明人：大薮恭也;河野广希;周逸旻 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：带光反射层的光半导体元件的制造方法具备如下工序将多个光半导体元件的电极面彼此隔开间隔地临时固定于临时固定片材的工序，该多个光半导体元件具有设置有电极的电极面；发光面，其与电极面相对，设置有发光层；以及连结面，其将电极面的周端缘和发光面的周端缘连结；将光反射片材向彼此相邻的光半导体元件的第1间隙填充而在多个光半导体元件的连结面形成光反射层的工序；将光反射层的附着于多个光半导体元件的发光面的部分去除的工序；以及在彼此相邻的光半导体元件之间将光反射层切断的工序
反射层半导体元件制造方法荧光

[发明专利]照明装置-CN201310552722.3有效
发明人：罗兰德·菲德林;菲利普·黑尔比希;托马斯·法伊尔 -专利权人：欧司朗股份有限公司
申请日： 2013-11-08 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： F21S8/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有多个半导体光源和多个光导体的照明装置，其中光导体分别具有至少一个光耦合输入面和光耦合输出面，其中至少一个半导体光源的发射光的表面分别与光导体的光耦合输入面相关联，以至于由至少一个半导体光源的发射光的表面发出的光射到与其相关联的光导体的光耦合输入面上，并且其中光导体的光耦合输出面矩阵状地设置，其中相应的光导体的光耦合输入面小于与所述光导体相关联的至少一个半导体光源的发射光的表面，并且设有具有网格单元的网格状遮光板，网格状遮光板设置在光导体的光耦合输入面的区域中，以至于属于不同的光导体的光耦合输入面设置在网格状遮光板的不同的网格单元中。
照明装置

[发明专利]光半导体元件密封用片-CN202180025748.5在审
发明人：田中俊平;浅井量子;花冈稔 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： C08F20/18 文献下载
摘要：提供处理容易、能够以简易的工序且短时间对光半导体元件进行密封的光半导体元件密封用片。光半导体元件密封用片1为用于对配置于基板上的1个以上的光半导体元件进行密封的片，所述光半导体元件密封用片1具备：用于对前述光半导体元件进行密封的密封树脂层10、和贴附于密封树脂层10的剥离片20，密封树脂层光半导体元件密封用片1可以在密封树脂层10的与贴附有剥离片20的面10a相反侧的面10b具备基材层30。
半导体元件密封

[发明专利]半导体光转换构造-CN200980132156.2无效
发明人：迈克尔·A·哈斯;张俊颖;托马斯·J·米勒 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-06-01 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明公开了半导体光转换构造。所述半导体光转换构造包括：第一半导体层，用于吸收第一波长的光的至少一部分；半导体势阱，用于将所吸收的第一波长的光的至少一部分转换成更长的第二波长的光；以及第二半导体层，能够吸收所述第一波长的光的至少一部分第一半导体层在第二波长下具有最大第一折射率。第二半导体层在第二波长下具有大于最大第一折射率的第二折射率。
半导体转换构造

[发明专利]增益钳制双向半导体光放大器的中长距双工同源相干系统-CN202211060311.8有效
发明人：唐明;李伟昊 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H04B10/291 文献下载
摘要：本发明公开了一种增益钳制双向半导体光放大器的中长距双工同源相干系统，属于光纤通信领域。包括：第一收发机、第一半导体光放大器、第二收发机、第二半导体光放大器及双工光纤链路；本发明通过设计的半导体光放大器，调节远端本振光的波长与功率，使本振光钳制半导体光放大器的增益，将非线性效应显著的半导体光放大器变成适用于相向传输信号光线性放大的理想器件，进而实现信号光的线性放大及本振光的放大；同时，通过调节信号光的波长，改变半导体光放大器中信号光与远端本振光的波长间隔，降低信号光对远端本振光相位调制的影响，使收端信号光与本振光顺利进行相干探测。
增益钳制双向半导体放大器中长双工同源相干系统

[发明专利]切割半导体晶片摄影机系统及方法-CN202180071727.7在审
发明人： B·M·迈耶;J·S·凯泽;J·F·瓦利;J·D·依欧夫;V·塔纳;W·L·卢特尔 -专利权人：环球晶圆股份有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：一种用于对半导体晶片进行成像的半导体晶片成像系统包含：护罩面板，其界定黑箱；摄影机，其定位于所述黑箱中用于对所述半导体晶片进行成像；及照明面板，其用于将漫射光引导到所述半导体晶片。所述漫射光的部分经反射离开所述半导体晶片且所述摄影机通过检测所述经反射的漫射光而对所述半导体晶片进行成像。
切割半导体晶片摄影机系统方法

[发明专利]半导体发光装置-CN201010103881.1无效
发明人：城岸直辉;增井勇志;幸田伦太郎;荒木田孝博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-01-25 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： H01S5/125 文献下载
摘要：本发明提供半导体发光装置，其包括：半导体发光元件，依次包括第一多层反射器、具有发光区域的有源层和第二多层反射器；半导体光检测元件，相对于半导体发光元件设置于第一多层反射器侧，并且包括构造为吸收从发光区域发射的光的光吸收层；以及绝缘氧化层，设置在半导体发光元件和半导体光检测元件之间。
半导体发光装置

[发明专利]光伏器件及其制造方法-CN201210524534.5有效
发明人：曹金波;蔡钟佑;威廉.H.胡贝尔;辛骞骞;徐晟 -专利权人：第一太阳能马来西亚有限公司
申请日： 2012-12-07 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：提出了一种光伏器件。该光伏器件包括第一半导体层、第二半导体层和布置在第一半导体层和第二半导体层之间的夹层，其中，该夹层包括镁。还提出了制造光伏器件的方法。
器件及其制造方法

[发明专利]一种高效聚光的光伏发电设备和方法-CN202011148738.4在审
发明人：张陈乐;林国勇 -专利权人：深圳技术大学
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H02S20/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种高效聚光的光伏发电设备，该光伏发电设备包括光伏区域和热电区域，其中光伏区域中的半导体光伏电池可以将太阳光中的光能转换成电能，热电区域中的半导体热电电池可以将太阳光中的热能转换成电能。在光伏发电设备温度过高的情况下，半导体光伏电池发电效率低，而且还有半导体光伏电池损坏的危险。因此可以通过液晶透镜关闭光伏区域的透光，使得半导体光伏电池尽快散热后继续工作，而半导体热电电池正好利用高温时太阳光的热能进行电能转换，从而提高整体光伏发电设备的发电效率。
一种高效聚光发电设备方法

[发明专利]半导体晶片、受光传感器制造方法及受光传感器-CN201510134916.0在审
发明人：植松彰;松尾笃 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-03-26 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶片、受光传感器制造方法及受光传感器。该半导体晶片具有：半导体基板；电介质多层膜，形成在半导体基板上，成为受光传感器的光学滤波器；以及光检测区域，形成于半导体基板，将半导体基板的泊松比设为VS，杨氏模量设为ES，半径设为r，厚度设为b，并将电介质多层膜的应力设为
半导体晶片传感器制造方法

[发明专利]一种半导体发光结构及其制备方法-CN202310324786.1有效
发明人：郭银涛;王俊;肖垚;程洋;肖啸;夏明月 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的电流限制层，所述电流限制层包括出光区和环绕所述出光区的氧化区，所述出光区的材料中包括主体元素和第一掺杂元素，所述第一掺杂元素用于在所述出光区中引入张应变。所述半导体发光结构的可靠性提高且寿命延长。
一种半导体发光结构及其制备方法

[发明专利]底层涂料组合物及使用此底层涂料组合物的光半导体装置-CN201310303812.9在审
发明人：小材利之;岩田充弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-07-18 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： C09D183/04 文献下载
摘要：本发明提供一种底层涂料组合物及使用底层涂料组合物的高可靠性的光半导体装置，该组合物可提高构装有光半导体元件的基板与密封光半导体元件且由加成反应固化型硅酮组合物组成的密封材料之间的粘接性，并防止基板上形成的金属电极的腐蚀本发明提供一种底层涂料组合物，将构装有光半导体元件的基板与密封光半导体元件且由加成反应固化型硅酮组合物所组成的密封材料粘接，其含有：(A)1分子中具有至少1个以上的巯基的烷氧基硅烷化合物；(B)钛化合物本发明还提供一种光半导体装置，其利用该底层涂料组合物将构装有光半导体元件的基板与密封光半导体元件且由加成反应固化型硅酮组合物组成的密封材料粘接而成。
底层涂料组合使用半导体装置

[发明专利]光半导体装置用基板和其制造方法、及光半导体装置和其制造方法-CN201310177684.8在审
发明人：小内谕;岩田充弘;原田良文;木村真司 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明是一种光半导体装置用基板，其具有搭载光半导体元件且与该光半导体元件的第1电极电性连接的第1导线、及与前述光半导体元件的第2电极电性连接的第2导线，通过注射成型在分别并列配置多条的前述第1导线与前述第由此，提供一种光半导体装置用基板和其制造方法、使用此基板的光半导体装置和其制造方法，所述基板采用使用了金属导线且散热特性优异的结构并可以使光半导体装置薄型化；所述基板的制造方法可低成本且容易地制造此光半导体装置用基板
半导体装置用基板制造方法

[发明专利]光半导体装置及其制造方法-CN200910221863.0有效
发明人：近藤亮介;酒井隆照 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供使用焊锡膏在封装基板上装配光半导体元件而构成的光半导体装置。光半导体装置包含：在主面上具有下垫板的封装基板、以及与下垫板焊锡接合的光半导体元件。封装基板的基体材料使用陶瓷。各个贯通孔的开口直径为40μm以上100μm以下，并且，多个贯通孔的开口面积的合计为包含被焊锡材料堵住的贯通孔在内的光半导体元件和下垫板的接合区域的面积的50％以下。各个贯通孔的形成有光半导体元件和下垫板的接合部的一侧的上端部被焊锡材料堵住。在回流焊处理中，焊锡膏中包含的溶剂漰沸而使光半导体元件飞溅。上述光半导体装置能够防止这种情况。
半导体装置及其制造方法

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
下一页»
尾页
共 100000 条