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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]光学模块-CN201580061601.6有效
发明人：中西裕美 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01S5/0683 文献下载
摘要：提供一种光学模块，其实现对从半导体发光器件发射的光的强度的高精度调整。光学模块包括光形成部件和保护构件。光形成部件包括基底构件；安装在基底构件上的半导体发光器件；安装在基底构件上的透镜，透镜被配置为变换从半导体发光器件发射的光的光斑尺寸；以及安装在基底构件上的光接收器件，光接收器件在半导体发光器件的发射方向上布置在半导体发光器件以及透镜之间，且光接收器件被配置为直接接收来自半导体发光器件的光。
光学模块

[发明专利]光半导体发光装置、照明器件及显示装置-CN201380045411.6有效
发明人：栗野恭行;大塚刚史;佐藤洋一;山口健儿;原田健司 -专利权人：住友大阪水泥股份有限公司
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：一种光半导体发光装置、具备该半导体发光装置的照明器件及显示装置。光半导体发光装置具有光半导体发光元件和含有荧光体粒子的光转换层并发出白光，其中，在光转换层中含有特定的光散射组合物，或者在光转换层上设置有含有特定的光散射组合物的光散射层。
半导体发光装置照明器件显示装置

[发明专利]光泵浦半导体激光系统-CN200410068118.4无效
发明人：李汉培;朴沼渊 -专利权人：南京LG同创彩色显示系统有限责任公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2006-05-17 - 主分类号： G02F1/35 文献下载
摘要：本发明是有关光泵浦半导体激光系统的技术。本发明中的光泵浦半导体激光系统由如下结构组成：即，将电气信号转换成光信号的激光二极管；对上述光进行集光处理的镜头；将输入的光转换成一定的波长，并输出基本波的光泵浦半导体；连接在光泵浦半导体的下部，并将在光泵浦半导体中发生的高热传送到外部的放热板；放行通过镜头被集光处理的光，并将其入射到光泵浦半导体中，而将在光泵浦半导体中发生的基本波折射到反射镜上的全反射棱镜；对折射的基本波进行反射和共振处理，并输出共振光的反射镜；对共振的基本波进行增幅处理的半波长结晶体
光泵浦半导体激光系统

[发明专利]光半导体装置及其制造方法-CN201310252029.4有效
发明人：高木和久 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01S5/22 文献下载
摘要：根据本发明，获得能够使半导体激光器部的振荡光的横模稳定化、并且防止频率特性的劣化的光半导体装置及其制造方法。在n-InP衬底(1)上集成有半导体激光器部(2)和光调制器部(3)。光调制器部(3)将从半导体激光器部(2)出射的光调制。半导体激光器部(2)具有垂直脊(4)，光调制器部(3)具有倒台面脊(5)。这样由光调制器部(3)和半导体激光器部(2)来改变脊型结构，能够使半导体激光器部(2)的振荡光的横模稳定化，并且防止频率特性的劣化。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811233288.1在审
发明人：林建宏;刘振宇 -专利权人：宸鸿光电科技股份有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法在此揭露，其中半导体装置包含半导体岛区与半导体元件。半导体岛区位于基板的第一面上，并包含结晶部分，其是由闪光灯透过光罩的透光区域照射半导体岛区所形成。半导体岛区为非晶态或微结晶态。半导体元件的通道位于结晶部分内。通过半导体岛区的图案设计配合光罩且/或光调节层的图案设计，并以闪光灯照射以进行半导体的结晶化，如此可有效地提高结晶强度的一致性。
半导体装置及其制造方法

[实用新型]半导体装置-CN201821713972.5有效
发明人：林建宏;刘振宇 -专利权人：宸鸿光电科技股份有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种半导体装置在此揭露，其中半导体装置包含半导体岛区与半导体元件。半导体岛区位于基板的第一面上，并包含结晶部分，其是由闪光灯透过光罩的透光区域照射半导体岛区所形成。半导体岛区为非晶态或微结晶态。半导体元件的通道位于结晶部分内。通过半导体岛区的图案设计配合光罩且/或光调节层的图案设计，并以闪光灯照射以进行半导体的结晶化，如此可有效地提高结晶强度的一致性。
半导体岛区半导体装置半导体元件图案设计闪光灯照射光调节层透光区域非晶态结晶化透过光微结晶有效地光罩基板半导体配合

[发明专利]封装层被覆光半导体元件、其制造方法和光半导体装置-CN201310743032.6在审
发明人：片山博之;野吕弘司;伊藤久贵 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明涉及封装层被覆光半导体元件、其制造方法和光半导体装置。所述封装层被覆光半导体元件的制造方法具备下述工序：配置工序，将封装层配置于支撑台的厚度方向的一侧；以及被覆工序，在配置工序之后，通过封装层以露出光半导体元件的一侧的表面的方式对其进行被覆，得到封装层被覆光半导体元件
封装被覆半导体元件制造方法装置

[发明专利]光半导体装置-CN200710005407.3有效
发明人：吉川则之;南尾匡纪;石黑永孝;中西秀行;石田裕之;富田佳宏;福田敏行 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-02-08 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：本发明公开了一种光半导体装置。目的在于：提供一种使施加在半导体激光芯片的残留应力施加在所希望的方向上且一定的范围内，以提高半导体激光的性能、可靠性，提高批量生产性的光半导体装置。本发明的光半导体装置20，包括：半导体激光芯片21、安装半导体激光芯片21的基台23、和夹在基台23的上表面与半导体激光芯片21的下表面之间的焊剂层24。半导体激光芯片朝上弯曲为凸起的形状。
半导体装置

[发明专利]半导体激光装置、光拾取器及其制造设备和方法-CN02156963.0无效
发明人：立田英明;竹川浩;堀尾隆昭;弓达新治 -专利权人：夏普公司
申请日： 2002-11-09 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明涉及在诸如CD－ROM，CD－R，MO，DVD等光记录信息设备使用的光拾取器，组装成结合到光拾取器中的半导体激光装置，以及用于制造所述半导体激光装置的方法。本发明还涉及包括多个半导体激光芯片的结合在半导体激光装置中的半导体激光单元，以及用于制造所述半导体激光单元的方法，尤其涉及在制造所述半导体激光单元中使用的用于精确地焊接和装配半导体激光单元的设备，例如半导体激光芯片之芯片焊接机等
半导体激光装置拾取及其制造设备方法

[发明专利]半导体激光装置、光拾取器及其制造设备和方法-CN200510077966.6无效
发明人：立田英明;竹川浩;堀尾隆昭;弓达新治 -专利权人：夏普公司
申请日： 2002-11-09 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01S5/40 文献下载
摘要：本发明涉及在诸如CD－ROM，CD－R，MO，DVD等光记录信息设备使用的光拾取器，组装成结合到光拾取器中的半导体激光装置，以及用于制造所述半导体激光装置的方法。本发明还涉及包括多个半导体激光芯片的结合在半导体激光装置中的半导体激光单元，以及用于制造所述半导体激光单元的方法，尤其涉及在制造所述半导体激光单元中使用的用于精确地焊接和装配半导体激光单元的设备，例如半导体激光芯片之芯片焊接机等
半导体激光装置拾取及其制造设备方法

[实用新型]一种单端型半导体光放大器-CN201420589128.1有效
发明人：刘郁 -专利权人：深圳市宝易通科技有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单端型半导体光放大器，它涉及半导体领域，它包含第一半导体、第二半导体、探测光装置、泵浦光装置，第一半导体与第二半导体连接，其中第一半导体的一端与探测光装置的一端输入连接，第二半导体的一端与泵浦光装置的一端输入连接
一种单端型半导体放大器

[发明专利]光半导体电极以及使用具备光半导体电极的光电化学单元对水进行光分解的方法-CN201480001405.5在审
发明人：田村聪;羽藤一仁;德弘宪一;藏渊孝浩;水畑穰 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2014-04-21 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明为了提高氢的产生效率而提供一种具有高量子效率的光半导体电极、以及使用具备该光半导体电极的光电化学单元来对水进行光分解的方法。本发明的光半导体电极(200)，具备：导电基板(102)；第一半导体光催化剂层(202)，其形成在导电基板(102)的表面上；以及第二半导体光催化剂层(203)，其设置在第一半导体层的表面上，光半导体电极(200)在表面具有多个柱状突起，并且各柱状突起的表面由第二半导体光催化剂层(203)形成。
半导体电极以及使用具备光电化学单元进行分解方法

[发明专利]发光元件和显示装置-CN202111068511.3在审
发明人：李久和;丁愚南;孙眩镐 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L33/08 文献下载
摘要：一种发光元件包括：第一n型半导体层；设置在第一n型半导体层上的第一发光层；设置在第一发光层上的第一p型半导体层；设置在第一p型半导体层上的第二p型半导体层；设置在第一p型半导体层与第二p型半导体层之间的接合层；设置在第二p型半导体层上的第二发光层；设置在第二发光层上的第二n型半导体层；设置在第二p型半导体层上的p型电极；设置在第一n型半导体层上的第一n型电极；以及设置在第二n型半导体层上的第二n型电极。
发光元件显示装置

[发明专利]制造光源的方法-CN201510174114.2在审
发明人：金寿成;文盛铉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-04-13 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：提供了一种制造光源的方法，所述方法包括以下步骤：提供当向其施加电力时发射光的半导体光源；向半导体光源供应电力；接收半导体光源发射的光，并且执行对所接收的光的光学性质的第一测量；自第一测量已过去一段时间之后，接收半导体光源发射的光并执行对所接收的光的光学性质的第二测量；通过比较光学性质的第一测量和光学性质的第二测量的结果来确定半导体光源是否有缺陷；以及通过提供半导体光源的外围部件来构造包括半导体光源的光源，其中，作为确定半导体光源是否有缺陷的结果，所述半导体光源被确定为正常。
制造光源方法

[发明专利]一种宽光谱图像传感器结构及形成方法-CN201911175005.7在审
发明人：李梦;范春晖;奚鹏程;史海军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽光谱图像传感器结构及形成方法，图像传感器结构包括：设于半导体衬底正面上的感光单元；设于所述半导体衬底正面，自下而上依次位于所述感光单元中的宽禁带半导体材料层、第一半导体层、窄禁带半导体材料层和第二半导体层；其中，入射光由半导体衬底背面进入感光单元，利用宽禁带半导体材料层对入射光中的短波段光进行吸收，利用窄禁带半导体材料层对入射光中的长波段光进行吸收，以同时提高短波段和长波段的量子效率。
一种光谱图像传感器结构形成方法

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