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[实用新型]一种太阳能电池正面栅线结构-CN202221518655.4有效
发明人：荆蓉蓉;张树德;钱洪强;周海龙;张俊巍;任慧雪 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池正面栅线结构，属于光伏技术领域。本申请提供的一种太阳能电池正面栅线结构包括主栅和细栅线，主栅线包括两侧主栅以及位于两侧主栅中间的中间区域主栅，细栅线包括位于两侧主栅外侧的两侧区域细栅线和位于两侧主栅中间的中间区域细栅线，其中，两侧主栅的栅线线宽宽于中间区域主栅的栅线线宽，两侧区域细栅线的栅线线宽宽于中间区域细栅线的栅线线宽。与中间栅线和中间区域细栅线相比，两侧主栅以及两侧区域细栅线的栅线线宽加宽，使得两侧主栅和两侧区域细栅线的电子收集能力加强，改善EL黑边情况，提升太阳能电池的产品质量。
一种太阳能电池正面结构

[发明专利]一种闪存器件及其制造方法-CN201910142572.6在审
发明人：张超然;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本申请提供一种闪存器件及其制造方法，该闪存器件包括半导体衬底、浮栅、栅堆叠层和擦除栅，其中，浮栅形成在衬底上，浮栅的一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，仅覆盖所述字线区一侧的浮栅上形成有栅堆叠层，其中栅堆叠层包括层叠的隔离层和控制栅，擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，擦除栅区一侧的浮栅上覆盖有擦除栅。在本申请实施例中，可以通过为擦除栅施加电压进行浮栅中电子的擦除，由于擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，则擦除栅区一侧的浮栅具有更多的尖角，这样在擦除栅上施加电压，将更容易擦除浮栅中的电子，因此擦除效率得以提高
浮栅擦除栅闪存器件栅堆叠阶梯结构施加电压字线区擦除衬底擦除效率隔离层控制栅覆盖尖角半导体申请制造

[发明专利]一种闪存器件及其制造方法-CN201910394766.5有效
发明人：罗清威;李赟;周俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-05-13 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供了一种闪存器件的制造方法，衬底上形成有浮栅层以及浮栅层上的图案化的栅堆叠层，栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，栅堆叠层一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，在栅堆叠层的侧壁上可以形成侧墙，沿横向去除字线区的部分厚度的侧墙，使字线区的侧墙和擦除栅区的侧墙厚度不一致，以侧墙及栅堆叠层为掩蔽，进行浮栅层的刻蚀，以形成浮栅，沿横向去除擦除栅区部分厚度的侧墙，这样，得到的浮栅层在擦除栅区保留较多且伸出侧墙一部分，从而得到非对称结构的浮栅层，简化形成浮栅的工艺流程，降低器件的制造成本。
一种闪存器件及其制造方法

[发明专利]一种闪存器件的制造方法-CN201910537524.7在审
发明人：张超然;周俊;李赟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请提供一种闪存器件的制造方法，衬底上形成有浮栅层，浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，栅堆叠层一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，在栅堆叠层的侧壁上可以形成沿着侧壁由内至外依次层叠的N个子侧墙，去除字线区的侧墙，以擦除栅区的侧墙为掩蔽，进行浮栅层的刻蚀，以形成浮栅，这样，在每一次阶梯成形工艺中可以去除一个子侧墙，并以剩下的子侧墙为掩蔽，各向异性刻蚀去除部分厚度的浮栅，依次进行M次阶梯成形工艺，去除剩余的子侧墙，以在擦除栅区一侧的浮栅中形成阶梯结构，由于擦除栅区一侧的浮栅为阶梯结构，则擦除栅区一侧的浮栅具有更多的尖角，这样在擦除栅上施加电压，将更容易擦除浮栅中的电子，擦除效率得以提高。
擦除栅侧墙浮栅去除浮栅层栅堆叠掩蔽阶梯成形阶梯结构闪存器件字线区侧壁各向异性刻蚀擦除效率施加电压依次层叠图案化擦除衬底尖角刻蚀制造申请

[发明专利]闪存结构及其形成方法-CN202210630988.4在审
发明人：曹子贵 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：一种闪存结构及其形成方法，其方法包括：位于浮栅材料层表面相互分立的两个初始控制栅结构，各初始控制栅结构包括初始控制栅、位于初始控制栅上的牺牲层和第一侧墙，初始控制栅之间具有控制栅开口，牺牲层之间具有暴露出控制栅开口的牺牲开口，第一侧墙位于牺牲开口侧壁；在控制栅开口和牺牲开口暴露出的初始控制栅结构侧壁形成初始第二侧墙和位于初始第二侧墙侧壁的第一介质层；刻蚀初始第二侧墙，直到初始第二侧墙顶部表面低于初始控制栅结构顶部表面，以形成第二侧墙；形成第二侧墙之后，刻蚀浮栅材料层，直到暴露出衬底，以形成过渡浮栅，所述过渡浮栅之间具有浮栅开口，在控制栅开口、牺牲开口和浮栅开口内形成擦除栅结构，提高工艺窗口。
闪存结构及其形成方法

[实用新型]可调式置物架-CN03221806.0无效
发明人：戴明华 -专利权人：戴明华
申请日： 2003-05-12 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： A47B45/00 文献下载
摘要：它至少包括一对侧栅和位于侧栅之间的搁物栅以及用于将搁物栅与侧栅联固的若干栅扣，特点是：它还包括有增设的调节栅、联结板，调节栅的数量与搁物栅的数量相一致，搁物栅的一端端部与其中的一枝侧栅联固，调节栅的一端端部与另一枚侧栅联固，搁物栅、调节栅的前、后侧侧缘分别置于相对应的联结板上。本实用新型由调节栅来满足对搁物栅所需的长度调节，有利于对受到空间限制的场所安放以及随使用者的实际使用需要进行安装、设置。
调式置物架

[发明专利]分栅快闪存储器及其制备方法-CN202110090045.2在审
发明人：李冰寒;江红;王哲献;高超;于涛易 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：本发明提供一种分栅快闪存储器及其制备方法，所述方法包括：提供一衬底，衬底上依次形成有浮栅层和掩模层。在掩模层上形成一沟槽，沟槽贯穿掩模层和浮栅层。形成字线，字线填充所述沟槽。去除掩模层。在浮栅层上形成控制栅侧墙，控制栅侧墙覆盖字线的侧壁；且控制栅侧墙靠近字线的侧壁垂直于浮栅层的表面。因此，本发明中的所述控制栅侧墙覆盖所述字线的侧壁，且所述控制栅侧墙上没有覆盖膜层，可直接将所述控制栅侧墙的引出。此外，本发明先形成字线，然后在字线的侧壁形成控制栅侧墙，且所述控制栅侧墙靠近字线的侧壁垂直于浮栅层的表面。无需刻蚀控制栅侧墙，从而避免控制栅侧墙靠近字线的一端出现尖端，以避免漏电流的出现，提高器件性能。
分栅快闪存及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN201810117271.3有效
发明人：张焕云;吴健 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供基底，基底表面具有第一栅介质膜；在部分第一栅介质膜上形成第一栅电极层；形成位于第一栅介质膜上的偏移侧墙膜，偏移侧墙膜覆盖第一栅电极层侧壁表面；之后在第一栅电极层两侧的基底中形成轻掺杂区；之后去除偏移侧墙膜和第一栅电极层周围的第一栅介质膜，使第一栅电极层底部的第一栅介质膜形成第一栅介质层；形成覆盖第一栅电极层和第一栅介质层的全部侧壁表面的间隙侧墙；在第一栅电极层、第一栅介质层和间隙侧墙两侧的基底中分别形成源漏掺杂区；在源漏掺杂区和基底上形成介质层；去除第一栅电极层和第一栅介质层，在介质层形成栅开口，栅开口的侧壁有间隙侧墙。
半导体器件及其形成方法

[实用新型]侧吹鼠笼式电栅除尘设备-CN201220088968.0有效
发明人：陈茂荣;尹彦章;姜宜宽 -专利权人：江苏紫光吉地达环境科技股份有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： B03C3/09 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种侧吹鼠笼式电栅除尘设备，包括箱体，进气管，出气管，电机，收灰斗，卸灰阀和鼠笼式电栅。所述箱体上端放置电动机，所述箱体下端与锥形收灰斗相连，收灰斗下部接有卸灰阀。本实用新型在箱体内设置三层由电动机带动旋转的鼠笼式电栅，并且鼠笼式电栅的旋转方向与进气管空气的泵入方向相反，使得空气中的较大的粉尘颗粒与电栅发生碰撞，部分转化成微细颗粒，极大地提高了电栅的除尘效率。
侧吹鼠笼式电栅除尘设备

[实用新型]焦侧导焦栅除尘装置-CN201120400350.9有效
发明人：李刚 -专利权人：宝钢集团新疆八一钢铁有限公司
申请日： 2011-10-20 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C10B43/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种焦侧导焦栅除尘装置，包括拦焦车，在拦焦车导焦栅顶面上方安装着一只辅助除尘罩，辅助除尘罩通过吸尘风机与安装在焦罐上方的除尘罩相连通。本实用新型风机通过辅助除尘罩抽走推焦时焦侧产生的烟尘至除尘罩内，粉尘烟气再被燃烧后被地面除尘站收走。通过此项改造焦侧出焦烟尘比以前减少35%-50%左右。
焦侧导焦栅除尘装置

[发明专利]分立栅存储器件及其形成方法-CN201210378507.1有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-29 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供一种分立栅存储器件及其形成方法。分立栅存储器件的形成方法包括：提供衬底，衬底上形成控制栅结构，相邻两个控制栅结构之间的区域为擦除栅区，相邻两个控制栅结构与所述擦除栅区相对的一侧为字线区；所述控制栅结构周围形成第一侧墙；第一侧墙周围形成第二侧墙；第二侧墙周围形成牺牲侧墙；形成浮栅；去除所述牺牲侧墙，暴露出浮栅部分；形成隧穿介质层，在字线区形成字线，在擦除栅区形成擦除栅。本发明还提供一种分立栅存储器件。本发明的第一、第二侧墙增加了字线与控制栅、字线与浮栅、控制栅与擦除栅之间的隔离效果，提高了存储器件的编程效率、均匀性和擦除效率、均匀性，尤其减小字线与浮栅之间的漏电，以解决写入干扰问题。
分立存储器件及其形成方法

[发明专利]具有屏蔽栅的沟槽分离侧栅MOSFET的制造方法-CN201510992756.3有效
发明人：范让萱;缪进征 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有屏蔽栅的沟槽分离侧栅MOSFET的制造方法，包括步骤：在半导体衬底中进行阱区和源区的注入并退火推进；形成硬质掩模层并进行光刻刻蚀工艺定义出栅极形成区域；进行第一次各向异性刻蚀形成沟槽，进行第二次各向同性刻蚀将沟槽的宽度和深度增加；形成栅介质层和栅极金属层；对栅极金属层进行回刻；对沟槽底部的半导体衬底进行各向异性刻蚀形成深沟槽；在深沟槽的内部表面以及栅极金属层侧面同时形成氧化层；进行源屏蔽金属层生长本发明能降低栅极电阻、减少RC延迟以拓展器件在高频电路中的应用，能减少热过程工艺步骤、缩短产品制造周期、能减小栅漏电容，能提高栅源隔离氧化层的厚度、减少栅源漏电。
具有屏蔽沟槽分离 mosfet 制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN201510148624.2有效
发明人：钟汇才;罗军;朱慧珑 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该方法可以包括：在半导体层上生长晶体牺牲栅层；对牺牲栅层进行构图，以形成牺牲栅；在牺牲栅的侧壁上形成栅侧墙；选择性去除栅侧墙内侧的牺牲栅，在栅侧墙内侧形成孔；以及在孔中填充栅介质层和栅导体层，形成栅堆叠
半导体器件制造方法

[发明专利]一种储备池元件-CN202310276157.6在审
发明人：刘阳辉;刘可康;梁琳子;罗致远 -专利权人：中山大学
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种储备池元件；所述元件包括：衬底层、栅介质层、沟道层、源漏电极、侧栅输入电极以及侧栅调控电极；所述栅介质层设置于所述衬底层的上方；所述沟道层、侧栅输入电极以及侧栅调控电极分别设置于所述栅介质层的上方；所述侧栅输入电极位于所述沟道层与所述侧栅调控电极之间，且当施加在所述侧栅调控电极的电压发生改变时，所述栅介质层中参与调控沟道层电导的可移动带电粒子的浓度改变；通过实施本发明，可以通过改变侧栅调控端的电压来改变沟道层中的电导
一种储备元件

[发明专利]一种具有清渣模块的平板格栅-CN202110094800.4在审
发明人：王阳;林惠凤 -专利权人：中国一冶集团有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： B01D29/03 文献下载
摘要：一种具有清渣模块的平板格栅，包括由框架和栅条焊接成的栅板，所述栅板的框架内可拆卸地卡设有清渣模块，所述清渣模块包括底部栅片、绳索和具有一定弯曲弹性的前侧栅片，所述前侧栅片的网格与栅条的位置相对应设置，多个网格的中端均设置有穿孔，所述底部栅片的一侧与前侧栅片迎水侧的下端可拆卸地相连接，底部栅片的另一侧向上弯曲，所述底部栅片靠近弯曲的网格上设置有与穿孔配合使用的扎孔，所述绳索穿过扎孔和穿孔后使前侧栅片和底部栅片进行斜拉固定；所述前侧栅片背水侧的上下端均匀设置有多个卡扣，所述卡扣均从框架的迎水侧沿栅条间隙穿至其背水侧，以使前侧栅片嵌入栅板的迎水侧。
一种具有模块平板格栅

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