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[发明专利]供体基板-CN201410111915.X无效
发明人：权宁吉;林亨泽 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种供体基板包括具有第一表面和第二表面的基体层、在基体层的第一表面上的补充硬度层和在补充硬度层上的转印层。补充硬度层的硬度大于基体层的硬度。
供体

[发明专利]用于在表面上施加图案化结构的方法和系统-CN201780065557.5有效
发明人：加里·阿鲁季诺夫 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： B41M3/00 文献下载
摘要：一种在表面上施加图案化结构的方法包括在光源(3)与接收表面(5)之间提供包括供体材料(1a)的供体基板(1)，并通过光源(3)来提供指向供体基板(1)的光脉冲(3a)，该光脉冲(3a)被配置为使供体材料(1a)从供体基板(1)被转移到接收表面(5)上，其中，供体基板(1)包括该供体基板(1)的离散部分(2a)上的供体材料(1a)的图案(2)。供体基板(1)上的图案(2)被转移以便在接收表面(5)上形成供体材料(1a)的图案(4)。
用于表面上施加图案结构方法系统

[发明专利]藉由激光诱发正向转印以印刷三维结构-CN201580031944.8在审
发明人： M.曾努;Z.科特勒 -专利权人：奥博泰克有限公司
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：一种用于材料沉积的方法，其包括提供具有相对的第一与第二表面及在该第二表面上形成的包括金属的供体膜(36)的透明供体基板(34)。在含氧氛围中接近受体基板(22)定位该供体基板，其中该第二表面面向该受体基板。引导激光辐射脉冲通过该供体基板的该第一表面且冲射于该供体膜上，以便诱发熔融材料的液滴(44)自该供体膜喷射至该受体基板上，从而在该受体基板上形成该金属的粒子(46)，其外层(54)包含该金属的氧化物。
藉由激光诱发正向印刷三维结构

[发明专利]在材料中形成断面的方法-CN201280021785.X有效
发明人：欧拉丽·陶森;弗雷德里克·马曾 -专利权人：原子能和替代能源委员会
申请日： 2012-04-27 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及一种由基板（20）或供体基板形成半导体材料层（26）的方法，所述基板或供体基板由相同的半导体材料制成，所述方法包括：在所述供体基板中形成浓度在5×1018原子/cm3和5×1020原子/cm3之间的高锂浓度区域（22）；然后，将氢注入（24）到在所述高锂浓度区域或所述高锂浓度区域的附近的供体基板中；将加固件（19）施加至所述供体基板；施加热预算以使得通过所述注入界定的层（34）剥离。
材料形成断面方法

[发明专利]用于确定供体基板中的合适注入能量的方法和用于制造绝缘体上半导体结构的工艺-CN201780014686.1有效
发明人：卢多维克·埃卡尔诺;纳迪娅·本默罕默德;卡里纳·杜雷特 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于确定供体基板(30)中的至少两种原子物质的合适注入能量以形成限定待转移到受体基板(10)上的单晶半导体层(32)的弱化区(31)的方法，包括以下步骤：(i)在供体基板(30)和受体基板(10)中的至少一个上形成介电层；(ii)将物质共同注入供体基板(30)中；(iii)将供体基板(30)结合在受体基板(10)上；(iv)沿着弱化区(31)分离供体基板(30)，以转移单晶半导体层(32)并且回收供体基板的剩余部分(34)；(v)检查供体基板的剩余部分(34)的或者在步骤(iv)转移了单晶半导体层(32)的受体基板(10)的周边环部；(vi)如果环部展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量太高；(vii)如果环部未展示转移到受体基板上的区域，则推断步骤(ii)的注入能量合适。
用于确定供体中的合适注入能量方法制造绝缘体上半导体结构工艺

[发明专利]供体基板及其制造方法和制造有机发光显示设备的方法-CN201210158894.8在审
发明人：辛慧媛;金相洙;朴商勋;孙永睦;金英一 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2012-05-21 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种供体基板及其制造方法和制造有机发光显示设备的方法。该供体基板具有多个凹槽和多个隔离结构。隔离结构可以由凹槽限定。在第一基板上形成第一电极。供体基板可以布置在第一基板上方，并且可以执行激光诱导热成像工艺，以便在像素区内形成多个发光层。可以在像素限定层和发光层上形成第二电极。可以从供体基板中有效地获得具有精细尺寸的有机发光层。隔离结构可以与供体基板一体地形成，因此供体基板可以在激光诱导热成像工艺以后容易地重复使用。
供体及其制造方法有机发光显示设备

[发明专利]供体基板制造装置、方法及有机电致发光显示装置制造方法-CN200410010491.4无效
发明人：金茂显;宋明原;陈炳斗;李城宅 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：一种制造用于LITI的供体基板的装置，包括：真空室；线性移动并穿过真空室内部的供体基板；以及位于真空室中并在供体基板上形成转移层的沉积装置。
供体制造装置方法有机电致发光显示装置

[发明专利]激光诱致热成像用膜的去除装置-CN201110176821.7有效
发明人：梁相熙;金相午;将盛旭;金焕 -专利权人： AP系统股份有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：该装置包括：基板台，该基板台上设置有基板；辊单元，相继压制设置在该基板台上的供体薄膜；以及喷射单元，设置于该基板台并在该供体薄膜和该基板之间喷射空气从而将该供体薄膜从该基板上分离。
激光诱致成像去除装置

[发明专利]用于微装置的传送的系统和方法-CN202210839127.7在审
发明人：朱明伟;斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘;付博义;胡·T·额;奈格·B·帕蒂班德拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种用于在基板上定位微装置的设备包括：一个或更多个支撑件，所述一个或更多个支撑件用于保持供体基板和目标基板；粘合剂分配器，所述粘合剂分配器用于输送粘合剂于供体基板上的微装置上；传送装置，所述传送装置包括传送表面以从供体基板传送微装置至目标基板控制器被配置为操作粘合剂分配器，以基于目标基板上的选择的微装置的所需间隔，选择性地分配粘合剂至供体基板上的所选择的微装置上。控制器被配置为操作传送装置，使得传送表面在供体基板上接合粘合剂，造成所选择的微装置粘附至传送表面，且接着传送表面从供体基板传送所选择的微装置至目标基板。
用于装置传送系统方法

[发明专利]用于微装置的传送的系统和方法-CN201780037396.9有效
发明人：朱明伟;斯瓦帕基亚·甘纳塔皮亚潘;付博义;胡·T·额;奈格·B·帕蒂班德拉 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-06-15 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种用于在基板上定位微装置的设备包括：一个或更多个支撑件，所述一个或更多个支撑件用于保持供体基板和目标基板；粘合剂分配器，所述粘合剂分配器用于输送粘合剂于供体基板上的微装置上；传送装置，所述传送装置包括传送表面以从供体基板传送微装置至目标基板控制器被配置为操作粘合剂分配器，以基于目标基板上的选择的微装置的所需间隔，选择性地分配粘合剂至供体基板上的所选择的微装置上。控制器被配置为操作传送装置，使得传送表面在供体基板上接合粘合剂，造成所选择的微装置粘附至传送表面，且接着传送表面从供体基板传送所选择的微装置至目标基板。
用于装置传送系统方法

[发明专利]制备具有单晶薄膜的基板的方法-CN200910117817.6有效
发明人：久保田芳宏;川合信;田中好一;飞坂优二;秋山昌次;野岛义弘 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2009-02-25 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种在没有使用特殊基板的情况下容易地制备几乎没有晶体缺陷的包括在上面或上方的单晶薄膜的基板的方法。更具体地说，提供一种制备包括形成在处理基板的上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板
制备具有薄膜方法

[发明专利]嵌入式电阻的直接印刷-CN201980005680.7在审
发明人：戈兰·汉妮娜;布舒汀·德米崔;提德哈·吉尔;福斯迪克·吉迪恩 -专利权人：奥宝科技股份有限公司
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01C17/06 文献下载
摘要：一种用于制作一电子装置的方法包含：辨识电路基板上的轨迹，在电路基板上，将在轨迹的第一端点与第二端点之间形成具有指定电阻的电阻器。将透明供体基板靠近在电路基板上所辨识的轨迹定位，透明供体基板具有相对的第一表面及第二表面、及形成于第二表面上的供体膜，供体膜包含电阻性材料，其中第二表面面朝电路基板。引导激光辐射的脉波照射于供体膜上，以诱导电阻性材料的小滴自供体膜喷射至电路基板上沿着轨迹的相应的相邻位置处，其中相邻位置之间的间隔被选择以在第一端点与第二端点之间形成具有指定电阻的电路迹线。
嵌入式电阻直接印刷

[发明专利]供体基板、转移设备与供体基板制备方法-CN202210599908.3在审
发明人：彭信翰;王国安;陈秋行;黄柏源;文锡 -专利权人：深圳市海目星激光智能装备股份有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种供体基板、转移设备与供体基板制备方法，供体基板用于将转移材料转移至接收基板，包括沿厚度方向依次层叠设置的基层、吸收层与转移层，基层能够供激光穿过，吸收层能够吸收激光，以驱动转移层分离，其中，供体基板还包括保护层，保护层覆盖转移层背离吸收层的表面，保护层的熔点高于转移层的熔点。本发明通过保护层覆盖转移层，可以减少或者避免转移层在加热过程中的氧化，保证转移层与接收基板之间的连接强度，进而保证LED的焊接质量。
供体转移设备制备方法

[发明专利]使用电场将压电层从供体基板分离-CN201780048417.7有效
发明人： C·查尔斯-艾尔弗雷德 -专利权人：索泰克公司
申请日： 2017-08-01 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L41/312 文献下载
摘要：本发明涉及一种将压电层转移到支撑基板上的方法。还涉及一种用于执行所述方法的至少一部分的分离室。本发明的将压电层从供体基板分离到支撑基板上的方法包括以下步骤：a)在压电供体基板中提供预定分裂区域；b)将压电供体基板附接到支撑基板以形成复合结构；以及c)将压电层从压电供体基板分离，包括施加电场。
使用电场压电供体分离

[发明专利]微小结构体的转移方法和微小结构体的安装方法-CN202080060319.7在审
发明人：小川敬典;大堀敬司;上田修平;近藤和纪;小材利之;松本展明;北川太一;大竹滉平;川原实 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：根据微小结构体的转移方法，其至少包含：(i)将在供给基板的一面形成的多个微小结构体与在供体基板上形成的有机硅系橡胶层贴合的工序；(ii)通过从所述供给基板将多个微小结构体的一部分或全部分离、经由所述有机硅系橡胶层转移至所述供体基板，从而得到临时固定有多个微小结构体的供体基板的工序；(iii)对临时固定有所述多个微小结构体的供体基板清洗或中和的工序；(iv)将所述清洗或中和后的临时固定有多个微小结构体的供体基板干燥的工序；(v)为了将所述干燥后的临时固定有多个微小结构体的供体基板供于下一工序而转移的工序，由于能够在将微小结构体临时固定于一张供体基板的状态下供于多个工序，因此能够在无工序数的增加的情况下有效率地进行微小结构体的转移。
微小结构转移方法安装

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