专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]低温三层共挤复合薄膜的制备方法-CN201310201106.3有效
  • 吕文艺 - 福建凯达集团有限公司
  • 2010-07-08 - 2013-08-21 - B32B27/08
  • 本发明公开了一种耐低温三层共挤复合薄膜的制备方法,由流延机三层共挤而成复合薄膜,复合薄膜具有复合在一起的外层、中层和内层,中层的材料采用重量比为1∶10-1∶1的茂金属低密度线性聚乙烯和聚丙烯;其中,茂金属低密度线性聚乙烯的熔融指数为采用上述方案后,通过本发明方法制备的耐低温三层共挤复合薄膜,与传统的CPP薄膜相比,大大提高了三层共挤复合薄膜的耐低温耐冷冻性能,可以在-30℃环境下正常使用,而且不影响其阻隔性和强度,特别适合于水饺、
  • 低温三层复合薄膜制备方法
  • [发明专利]LED外延结构及其制备方法-CN202210924689.1有效
  • 程龙;郑文杰;曾家明;刘春杨;胡加辉 - 江西兆驰半导体有限公司
  • 2022-08-03 - 2022-10-25 - H01L33/14
  • 所述LED外延结构包括衬底及依次沉积在衬底上的第一半导体层、多量子阱层、低温p型GaN层及第二半导体层,低温p型GaN层包括依次沉积在多量子阱层上的Mg3N2量子点层、复合低温p型子层以及第二非掺杂GaN层;复合低温p型子层包括周期性交替堆叠的低温p型AlxGa1‑xN层及低温p型InyGa1‑yN层,低温p型AlxGa1‑xN层中Al组分及低温p型InyGa1‑yN层中In组分的含量均沿着本申请可提高低温p型GaN层中活化Mg的浓度以及空穴注入效率,减少量子阱非辐射复合效率,以提升LED芯片发光效率。
  • led外延结构及其制备方法

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