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[发明专利]一种量子计算用C波段低温低噪声放大器-CN202110728550.5在审
发明人：张诚;何川;王小川;渠慎奇;王生旺;陆勤龙;王丽;詹超;王自力;吴志华;张士刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十六研究所
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H03F1/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子计算用C波段低温低噪声放大器，属于微波器件技术领域，包括外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器，外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器通过金丝W2级联，宽带单片低噪声放大器采用三级mHEMT管芯电路结构。本发明采用了混合微波集成电路形式，整个放大器电路除了第一级输入匹配采用外部电路结构，其他均采用微波单片集成电路，在缩小电路体积的同时，拓展了带宽。
一种量子计算波段低温低噪声放大器

[实用新型]一种量子计算用C波段低温低噪声放大器-CN202121481979.0有效
发明人：张诚;何川;王小川;渠慎奇;王生旺;陆勤龙;王丽;詹超;王自力;吴志华;张士刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第十六研究所
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H03F1/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种量子计算用C波段低温低噪声放大器，属于微波器件技术领域，包括外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器，外部输入微带匹配电路和宽带单片低噪声放大器通过金丝W2级联，宽带单片低噪声放大器采用三级mHEMT管芯电路结构。本实用新型采用了混合微波集成电路形式，整个放大器电路除了第一级输入匹配采用外部电路结构，其他均采用微波单片集成电路，在缩小电路体积的同时，拓展了带宽。
一种量子计算波段低温低噪声放大器

[实用新型]一种宽动态范围模拟前端-CN201621121819.4有效
发明人：文必洋;田震;王思捷;赵久瑞 -专利权人：武汉大学
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种宽动态范围模拟前端，包括变压器输入、低噪声放大器1、带通滤波器1、低噪声放大器2、带通滤波器2、AGC电路、变压器输出以及供电电源。变压器输入、低噪声放大器1、带通滤波器1、低噪声放大器2、带通滤波器2、AGC电路以及变压器输出依次级联，供电电源分别与低噪声放大器1、低噪声放大器2以及AGC电路相连，变压器输入部分的输入与天线相连，变压器输出部分的输出与后级电路相连。本实用新型通过多级放大、滤波和宽动态范围的AGC电路，实现信号的低噪声放大。通过信号完整性设计，保证了系统的高信噪比和高稳定度。
一种动态范围模拟前端

[发明专利]一种接收机及可降低噪声系数且增加隔离度的AGC控制系统-CN201610769368.3有效
发明人：朱受东;管海兵;向良军;王德刚 -专利权人：湖南基石通信技术有限公司
申请日： 2016-08-30 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H04B1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可降低噪声系数且增加隔离度的AGC控制系统，自动增益控制电路包括两个射频开关及低噪声放大器；低噪声放大器连接于两个射频开关之间；耦合电路的输出端连接检波电路的输入端，检波电路的输出端连接控制器的输入端；控制器的输出端分别连接两个射频开关及低噪声放大器的控制端，用于判断直流电压信号是否大于预设大信号门限值，若是，控制两个射频开关使接收端直接连接耦合电路，控制低噪声放大器关闭；若否，控制两个射频开关使接收端通过低噪声放大器连接耦合电路本发明能够在大信号情况下，避免低噪声放大器饱和失真，也能够在小信号情况下，减小插损对接收机整体噪声系数的影响。本发明还公开了一种接收机，包括上述系统。
一种接收机降低噪声系数增加隔离 agc 控制系统

[实用新型]片外输出阻抗匹配网络、低噪声放大电路、装置及终端-CN202022223140.9有效
发明人：丁团结;宋楠;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（重庆）科技有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：本实用新型提供的一种片外输出阻抗匹配网络和低噪声放大电路，通过将片内低噪声放大器的输出端先与电感串联，然后再与电容并联，实现了对片内低噪声放大器的输出阻抗匹配，保证了片内低噪声放大器的高增益和低噪声，缓解了由片内低噪声放大器芯片内部器件寄生严重
输出阻抗匹配网络噪声放大电路装置终端

[发明专利]一种具有干扰抑制的低噪声放大器电路-CN201710739693.X有效
发明人：张有明;黄风义;张凌晗;姜楠;唐旭升 -专利权人：东南大学;爱斯泰克（上海）高频通讯技术有限公司;南京展芯通讯科技有限公司
申请日： 2017-08-25 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有干扰抑制的低噪声放大器电路，包括低噪声放大器电路和具有干扰抑制的退化网络。低噪声放大器电路包含共源放大器。具有干扰抑制的退化网络由电感和电容组成，具有干扰抑制的退化网络的一端连接共源放大器的源级，另一端连接直流电压。具有干扰抑制的退化网络能够在特定频率产生谐振，称为“谐振频率”。谐振频率由具有干扰抑制的退化网络的电感和电容、共源放大器寄生参数共同决定。具有干扰抑制的退化网络能够在谐振频率处形成极大的阻抗，降低谐振频率处的低噪声放大器电路的增益，从而抑制谐振频率处的干扰信号。本发明能够有效抑制干扰信号，不会恶化低噪声放大器的噪声系数、增益、输入阻抗匹配，也不会增加直流功耗。
一种具有干扰抑制低噪声放大器电路

[发明专利]用于低噪声放大器模块的系统和方法-CN201510886328.2有效
发明人： N·伊尔科维;D·克雷尔;P·奥利维拉 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：根据实施例，一种电路包括：被置于第一集成电路上的低噪声放大器晶体管、被置于第二集成电路上的单刀多掷(SPMT)开关，以及被耦合在低噪声放大器晶体管的控制节点与低噪声放大器晶体管的输出节点之间的旁路开关。该SPMT开关将多个模块输入端子耦合到低噪声放大器晶体管的控制节点，并且旁路开关包括被耦合在低噪声放大器晶体管的控制节点与中间节点之间的第一开关、被耦合在中间节点与低噪声放大器晶体管的输出节点之间的第二开关第一集成电路和第二集成电路被置于一衬底上。
用于低噪声放大器模块系统方法

[发明专利]一种低噪声放大器电路及射频前端电路-CN202211586230.1在审
发明人：程仁豪 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本申请涉及一种低噪声放大器电路及射频前端电路，所述低噪声放大器电路包括第一晶体管和第二晶体管，其中：所述第一晶体管的栅极连接所述低噪声放大器电路的输入端，所述第一晶体管的源极接地；所述第二晶体管的栅极和漏极连接所述低噪声放大器电路的供电端，所述第二晶体管的漏极还连接所述低噪声放大器电路的输出端；所述第一晶体管的漏极和所述第二晶体管的源极合并在一起；其中，所述第一晶体管为浮体晶体管，所述第二晶体管为体接触晶体管。本申请具有提升放大器性能并减少电路占用面积的效果。
一种低噪声放大器电路射频前端

[发明专利]一种双电源电压跨导校准低功耗的低噪声放大器-CN202110363502.0有效
发明人：刘帘曦;孙刘昭宇;廖栩锋;马健;朱樟明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-04-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种双电源电压跨导校准低功耗的低噪声放大器，其特征在于，所述低噪声放大器包括PTAT电流产生电路模块(1)、偏置调节电路模块(2)和低噪声放大器核心电路模块(3)，所述PTAT电流产生电路模块(1)、所述偏置调节电路模块(2)和所述低噪声放大器核心电路模块(3)依次连接。本发明中的共栅级放大器偏置于亚阈值区，以节省功耗。同时，为了解决亚阈值区晶体管的性能容易受到温度工艺的影响，本发明提出跨导校准技术，稳定了晶体管的跨导。此外为了降低本发明的低噪声放大器核心电路模块的电源电压从而降低功耗，本发明采用了无源负载技术和片上巴伦前馈技术。
一种双电源电压校准功耗低噪声放大器

[发明专利]一种高功率防护系统及其制备方法-CN202110483124.X有效
发明人：卢振;周亮;张成瑞;毛军发 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种高功率防护电路及其制备方法，包括PIN限幅器、低噪声放大器、硅基，PIN限幅器的输出端与低噪声放大器的输入端通过接地共面波导相连接；PIN限幅器的输入端与低噪声放大器的输出端通过接地共面波导形成GSG结构，信号经过限幅器进入低噪声放大器；PIN限幅器和低噪声放大器安置在硅基的凹槽内，涂覆一层BCB作为介质，在BCB上制作金属层形成电气连接和输入输出结构。本发明封装后的防护模块尺寸小，信号传输性能优异，能有效提升低噪声放大器对高功率微波的防护能力。采用BCB埋置封装工艺减小了引线长度，降低了防护模块的插损。通过在低噪声放大器输入端放置PIN限幅器，可提升低噪声放大器的损毁阈值。
一种功率防护系统及其制备方法

[发明专利]终端接收机及其提高接收灵敏度的方法-CN201610971191.5在审
发明人：李远勇 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H04B1/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种终端接收机及其提高接收灵敏度的方法，所述终端接收机包括：接收天线、接收滤波器及其前端电路、低噪声放大器、后端接收电路、基带处理单元、以及布设在接收天线和接收滤波器及其前端电路之间的具有旁路功能的前置低噪声放大器；基带处理单元，用于在设定的旁路功能切换条件下，控制开启或关闭前置低噪声放大器的旁路功能，使得前置低噪声放大器工作在旁路模式或者低噪声模式下；其中，设定的旁路功能切换条件包括：在接收信号满足设定的弱信号及低干扰标准时，关闭所述前置低噪声放大器的旁路功能；在接收信号满足设定的强信号或者强干扰标准，开启所述前置低噪声放大器的旁路功能。
终端接收机及其提高接收灵敏度方法

[发明专利]一种片内集成低噪声放大器-CN201110332638.1有效
发明人：刘洋;于奇;张小龙;杨帆;彭媛;孙明远 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-03-28 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：一种片内集成低噪声放大器，涉及到集成电路领域中的芯片设计技术，该低噪声放大器应用于接收器的射频前端。本发明的电路分为信号输入网络、放大器部分和噪声抵消部分，在915MHz频率处可实现全集成。本发明采用了电压并联负反馈结构作为输入阻抗网络匹配的一部分，具有低输入阻抗特性，便于调节阻抗匹配，电路中结合了低噪声放大器的噪声抵消技术，短沟道器件的低输出阻抗特性及窄带低噪声放大器良好的选频特性设计而成，电路中采用的电感数目少，减小了芯片面积，便于集成化，降低了成本，是一种理想的集成低噪声放大器。
一种集成低噪声放大器

[发明专利]一种零中频接收机及通信设备-CN201910244300.7有效
发明人：高存浩;高媛菲 -专利权人：海能达通信股份有限公司
申请日： 2019-03-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H04B1/30 文献下载
摘要：本申请公开了一种零中频接收机及通信设备，该零中频接收机包括天线、低噪声放大器以及功率限制电路，天线用于接收射频信号；低噪声放大器与天线连接，用于对射频信号进行放大；功率限制电路与低噪声放大器连接，用于根据射频信号的功率，控制低噪声放大器的输出功率，以使得解调出来的信号中干扰信号的功率小于第一预设功率。通过上述方式，本申请能够控制低噪声放大器的输出功率，使得解调电路输出的信号中干扰信号的功率小于底噪的功率，改善接收机的接收质量。
一种中频接收机通信设备

[发明专利]低噪声放大器的改进结构-CN201410514387.2在审
发明人：梁波 -专利权人：绵阳雷迪创微电子科技有限公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2015-01-28 - 主分类号： H03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开了低噪声放大器的改进结构，包括避雷器、输入隔离器、前级低噪声放大器、二级低噪声放大器、声表面滤波器、三级低噪声放大器、四级低噪声放大器、检波器、微处理器和输出隔离器，所述的输入隔离器、前级低噪声放大器、二级低噪声放大器、声表面滤波器和三级低噪声放大器依次连接；所述四级低噪声放大器和输出隔离器依次连接，在三级低噪声放大器和四级低噪声放大器之间还依次连接第一衰减器和第二衰减器；所述前级低噪声放大器和二级低噪声放大器上均连接避雷器，避雷器均接地；所述四级低噪声放大器和输出隔离器之间还连接检波器，检波器与微处理器连接，微处理器还连接第一衰减器和第二衰减器。
低噪声放大器改进结构

[发明专利]一种宽带匹配的可变增益低噪声放大器-CN201910539165.9有效
发明人：徐志伟;厉敏;李娜雨;王绍刚;张梓江;高会言;虞小鹏;宋春毅 -专利权人：浙江大学
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2021-01-26 - 主分类号： H03F3/193 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种宽带匹配的可变增益低噪声放大器。本发明能通过电信号进行控制，灵活调整低噪声放大器的增益。相比于传统低噪声放大器，本发明所述的低噪声放大器具有输入端和输出端的宽带阻抗匹配性能，适用于需要处理宽带射频接收信号的场合。
一种宽带匹配可变增益低噪声放大器