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- [发明专利]半导体封装及其制造方法-CN202110361488.0在审
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崔伦华
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JMJ韩国株式会社
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2021-04-02
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2021-07-09
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H01L23/495
- 本发明包括：延伸形成有一个以上的第1基板端子(111)的一个以上的第1基板(110)；在第1基板(110)上面通过超音波熔接粘接的一个以上的第2基板(120)；在第2基板(120)上面粘接的一个以上的半导体芯片(130)；覆盖将一个以上的半导体芯片(130)和第2基板(120)的超音波熔接的区域的封装外壳(140)；及与第1基板(110)分离形成,通过电信号线(151)与一个以上的半导体芯片(130)电性连接且一个以上向封装外壳(140)外部裸露的端子(150)，在封装外壳(140)内部形成的端子(150)的厚度与第1基板(110)的厚度相同或更小，在第2基板(120)的上面表面形成有一个以上的压印槽(122)。
- 半导体封装及其制造方法
- [发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201510087840.0有效
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冈田吉文
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斯克林集团公司
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2015-02-25
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2018-04-24
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H01L21/67
- 本发明提供基板处理方法及装置，在利用能并行使用的多个基板处理单元进行基板处理的情况下，不使由基板处理单元处理后的基板等待从被基板处理单元搬出的等待搬出时间变长。以不使由基板处理单元处理后的基板，等待被基板搬运部从基板处理单元搬出的时间超过允许时间的方式，从多个基板处理单元中选择并行使用的两个以上的基板处理单元。制作基板处理的基板处理管理表，该基板处理包括通过基板搬运部向两个以上的基板处理单元搬运基板的基板搬运处理、在两个以上的基板处理单元中的基板处理、通过基板搬运部从两个以上的基板处理单元搬出基板的基板搬出处理根据该基板处理管理表来控制基板处理单元和基板搬运部，依次对多个基板进行基板处理。
- 处理方法以及装置
- [发明专利]基板支撑架、基板处理装置及基板处理系统-CN202010979502.9在审
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刘成真
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圆益IPS股份有限公司
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2020-09-17
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2021-05-11
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H01L21/683
- 本发明涉及基板处理装置的基板支撑架、基板处理装置及基板处理系统。本发明公开了一种基板处理装置的基板支撑架，包括：一个以上的静电吸盘，安装基板通过静电力吸附基板；密封部，结合于静电吸盘，以在安装基板的状态下防止向上侧暴露静电吸盘；其中，密封部包括：一个以上的外廓密封部件，沿着由一个以上的静电吸盘形成的整体为直角四边形的边缘可拆卸地设置在静电吸盘，以构成直角四边形；一个以上的中心密封部件，在对应于2张直角四边形基板之间的位置结合静电吸盘，以区划分别支撑2张直角四边形基板的一对支撑区域；一个以上的连接密封部件，连接中心密封部件及外廓密封部件。
- 支撑架处理装置系统
- [发明专利]基板处理装置以及基板处理系统-CN201980045760.5在审
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桥本光治;清水进二;堀口博司;山本真弘
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株式会社斯库林集团
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2019-09-03
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2021-02-23
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H01L21/02
- 本发明的目的在于提升基板处理装置以及基板处理系统的各个处理单元中的处理的精度。基板处理装置具有多个处理单元、搬运单元、多个传感器部、存储部以及一个以上的控制单元。多个处理单元根据规定处理的条件的规程对基板实施处理。搬运单元将一组基板中的多个基板依次搬运至多个处理单元。多个传感器部取得关于各个处理单元的基板处理的状况的一种以上的指标相关的信号。存储部基于多个传感器部所取得的信号，存储关于各个处理单元的基板处理的状况的一种以上的指标相关的数据组。一个以上的控制单元针对使用一个以上的处理单元对一组基板中的至少一片以上的基板进行的处理，基于数据组修正规程的至少一部分。
- 处理装置以及系统
- [发明专利]耦合半导体封装-CN202110512159.1在审
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崔伦华
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JMJ韩国株式会社
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2021-05-11
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2021-08-10
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H01L23/31
- 本发明公开一种耦合半导体封装,包括：两个以上的基板垫(110)；在各个基板垫(110)上安装的一个以上的半导体芯片(120)；与各个基板垫(110)和各个半导体芯片(120)分别电性连接的一个以上的终端端子(130)；及覆盖一个以上的半导体芯片(120)和一个以上的终端端子(130)的一部分的封装外壳(140)，并且，一个以上的基板垫(110)的底面电性地导通，另一个以上的基板垫(110)的底面电性绝缘，
- 耦合半导体封装
- [发明专利]磁记录介质基板和硬盘驱动器-CN201710499215.6有效
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村濑功;杉本公德
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昭和电工株式会社
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2017-06-27
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2019-06-07
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G11B5/82
- 一种在铝合金基板的表面上形成了NiP系镀膜的磁记录介质基板，其中，所述铝合金基板包括：位于9.5质量％以上且11.0质量％以下的范围内的Si、位于0.45质量％以上且0.90质量％以下的范围内的Mn、位于0.32质量％以上且0.38质量％以下的范围内的Zn、及位于0.01质量％以上且0.05质量％以下的范围内的Sr。所述铝合金基板的合金组织中的Si颗粒的平均粒径为2μm以下。所述NiP系镀膜的膜厚为7μm以上。所述磁记录介质基板的外径为53mm以上，厚度为0.9mm以下，杨氏模量(E)为79GPa以上。
- 记录介质硬盘驱动器
- [发明专利]静电电容测量用的测量器-CN201810263265.9有效
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杉田吉平;南朋秀;西尾哲
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东京毅力科创株式会社
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2018-03-28
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2021-05-04
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G01R27/26
- 测量器具备基底基板、第一传感器、一个以上的第二传感器、以及电路基板。第一传感器具有沿着基底基板的边缘设置的第一电极。一个以上的第二传感器提供一个以上的第二电极，分别固定在基底基板上。电路基板搭载在基底基板上，与第一传感器及一个以上的第二传感器连接。电路基板构成为：对第一电极和一个以上的第二电极提供高频信号，根据第一电极中的电压振幅获取与静电电容对应的第一测量值，根据一个以上的第二电极中的电压振幅获取与静电电容对应的一个以上的第二测量值。测量器具有被固定在该测量器内并且面对一个以上的第二电极的一个以上的基准面。
- 静电电容测量测量器
- [发明专利]电路基板及其制造方法-CN02800057.9无效
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西井利浩
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松下电器产业株式会社
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2002-01-11
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2003-11-12
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H05K3/46
- 本发明的电路基板的制造方法，包括有以下步骤：一内层基板叠层步骤，是用以叠层内层用基板材料及一枚以上的内层用金属膜；一内层电路形成步骤，用以将所述金属膜形成电路，以成为内层电路基板；一多层叠层步骤，用以叠层一枚以上的多层用金属膜、二枚以上的多层用基板材料及一枚以上的内层电路基板；及一外层电路形成步骤，是用以将多层用金属膜形成电路；而内层用基板材料与多层用基板材料分别以不同材料构成。根据本发明，可使内层电路基板中的配线层间连接质量等稳定化，可提高外层电路的粘接强度等机械强度。
- 路基及其制造方法
- [发明专利]金属柱、包含其的半导体封装及半导体封装制造方法-CN202110045393.8在审
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崔伦华
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JMJ韩国株式会社
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2021-01-12
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2021-11-19
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H01L23/498
- 本发明提供一种半导体封装，包括：第一基板(110)，形成特定图案(111)，以能够进行电连接；第二基板(120)，与第一基板(110)相对分隔形成，形成特定图案(121)，以能够进行电连接；一个以上半导体芯片(130)，与第一基板(110)接合；一个以上金属柱(140)，为了分散直接来自第二基板(120)的CTE压力，在第一基板(110)和第二基板(120)之间形成为非垂直结构，一侧与一个以上半导体芯片(130)上接合；一个以上终端引线(150)，与第一基板(110)或第二基板(120)电连接；封装外壳(160)，包裹第一基板(110)和第二基板(120)，并将终端引线(150)裸露至外部，从而，防止因施加外部压力而导致粘合剂
- 金属包含半导体封装制造方法
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