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[发明专利]半导体结构-CN202010805569.0在审
发明人：林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
半导体结构

[发明专利]一种用于太阳能电池的钝化介质膜-CN201110337119.4无效
发明人：周艳方;尹海鹏;张俊兵;刘淑华;单伟 -专利权人：晶澳（扬州）太阳能科技有限公司;合肥晶澳太阳能科技有限公司
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于太阳能电池的钝化介质膜，所述钝化介质膜是由第一介质膜组成的单层结构，或所述钝化介质膜是由第一介质膜和第二介质膜组成的迭层结构，其中第一介质膜与硅基体材料直接相接触，第二介质膜沉积在第一介质膜上该钝化介质膜具有良好的耐高温烧结和光学减反性能，制作方法工艺窗口较宽，可行性强，利于大规模生产。
一种用于太阳能电池钝化介质

[发明专利]一种分色镜堆-CN200410048379.X有效
发明人：吴葆刚;吴佶宁;高建谧;温景悟 -专利权人：温景悟
申请日： 2004-06-30 - 公布日： 2006-01-04 - 主分类号： G02B27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种分色镜堆，至少包括五层透明板和至少五层分色介质膜，所述透明板与所述分色介质膜相间设置，分色介质膜是红、绿、蓝三原色分色介质膜，该分色介质膜按白光带入射顺序，自前向后等间距且平行排列在同一条轴线上，所述三原色分色介质膜的长度相等，所述第二层分色介质膜的宽度是第一层分色介质膜宽度的二倍，所述第三层分色介质膜的宽度大于或等于第一层分色介质膜宽度的三倍，所述第四层分色介质膜的宽度大于或等于第一层分色介质膜宽度的二倍，第五层分色介质膜的宽度大于或等于第一层分色介质膜宽度的一倍，所述第一层分色介质膜宽度符合数学关系式：H＝L*tgA*2。
一种分色镜

[实用新型]一种新型金属化电容安全膜-CN201320873889.5有效
发明人：宋俊青;曹朝志;辛秀梅 -专利权人：河北海伟集团电子材料有限公司
申请日： 2013-12-29 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种新型金属化电容安全膜，包括电极镀层、绝缘介质膜隔离边、金属镀层、绝缘介质膜预留边、绝缘介质膜，其特征在于绝缘介质膜隔离边由两层绝缘介质膜通过向上挤压而成，通过绝缘介质膜隔离边将绝缘介质膜分割成菱形的小单元格，在绝缘介质膜上形成的菱形小单元格内设置有电极镀层，电极镀层的形状设置成菱形，相邻的电极镀层之间通过绝缘介质膜隔离边分隔开，绝缘介质膜隔离边上中间设置有缺口，绝缘介质膜隔离边上的缺口处设置有金属镀层，相邻的电极镀层之间又通过金属镀层连通，绝缘介质膜的一侧边处还设置有加宽的绝缘介质膜预留边。
一种新型金属化电容安全

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN99108904.9有效
发明人：乔伊·吉米·瓦塔那比;马修·托马斯·赫里克;特里·格兰特·斯帕克斯;奈杰尔·格莱梅·卡夫 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1999-06-24 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，形成沟槽级介质膜(26)和通孔级介质膜(24)覆盖半导体器件的衬底(10)。用对沟槽级介质膜(26)比对通孔级介质膜(24)有更高腐蚀选择性的第一腐蚀剂在沟槽级介质膜中(26)腐蚀出通孔开口(42)。在覆盖沟槽级介质膜(26)的光刻胶层(52)内构图沟槽开口(54)。用第二腐蚀剂腐蚀通孔级介质膜(24)将通孔开口(42)延伸到通孔级介质膜(24)内。腐蚀通孔级介质膜(26)形成沟槽开口。
半导体器件形成方法

[发明专利]薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备-CN202011140791.X在审
发明人：梁时元;崔栽荣;贺晓彬;李亭亭;杨涛;刘金彪 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄层电容结构、薄层电容结构的制造方法及电子设备，该薄层电容结构在上部电极和下部电极之间配置多层电介质膜的电介质层，多层电介质膜中任意相邻两层电介质膜的形成材料不相同，且每层电介质膜是根据该电介质膜具有的消光系数和折射率计算得到的膜厚沉积得到，以使得任意相邻两层电介质膜表面的反射光线相互抵消。对于每层电介质膜的膜厚由该电介质膜的固有属性消光系数和折射率计算得到，而不是每层电介质膜均采用相同膜厚沉积。对于根据消光系数和折射率决定的膜厚形成相应的电介质膜，可使得光线在每层电介质膜表面产生的反射光线相互抵消，由此可将多层电介质膜的反射光线累积降为最低，减小光刻对准失败的几率。
薄层电容结构制造方法电子设备

[实用新型]超低噪音谐振金属化膜电容器-CN202022191760.9有效
发明人：周小毛;王天乐;李柯 -专利权人：艾华新动力电容（苏州）有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低噪音谐振金属化膜电容器，包括芯体，芯体包括双面金属化介质膜、双面粘性介质膜和单面金属化介质膜，双面金属化介质膜、双面粘性介质膜和单面金属化介质膜串联卷绕形成芯体。本实用新型在双面金属化介质膜和单面金属化介质膜之间设有双面粘性介质膜，通过介质膜的双面粘性使得芯体的膜层紧密的连接，减少了电极与介质在电容谐振时的共振，有效的抑制噪音的产生，在全负荷条件下噪音值均低于20dB
噪音谐振金属化电容器

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN98100145.9无效
发明人：小田典明 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-01-20 - 公布日： 1998-07-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件包括具有一元件区及源极和漏极区的半导体基片,在所述半导体基片的元件区形成的含氮栅介质膜,在栅介质膜上形成的栅极,邻近栅极形成的以便确定其侧壁的第一介质膜,形成的以便于覆盖栅极和第一介质膜的第二介质膜,第二介质膜是掺杂氮的,及为覆盖第二介质膜形成的第三介质膜,第三介质膜是氮化硅构成的,还说明了一种制造此半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板-CN201611245730.3有效
发明人：齐永莲;曲连杰;贵炳强;赵合彬 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：一种显示基板及其制备方法、显示面板，该显示基板包括：第一基板；设置于所述第一基板上的子像素单元；设置于所述第一基板上的介质膜叠层；其中，所述介质膜叠层设置为消除通过所述介质膜叠层的具有特定波长范围内的蓝光，所述介质膜叠层包括交替层叠的至少一个第一介质膜层和至少一个第二介质膜层，所述第一介质膜层的折射率大于所述第二介质膜层的折射率。通过介质膜叠层中不同折射率的膜层交替设置，对入射光进行干涉可以将具有或接近特定中心波长的蓝光消除或减弱，以消除或减弱通过介质膜叠层的蓝光。
显示及其制备方法面板

[发明专利]一种约瑟夫森结器件及其制备方法-CN201610206399.8有效
发明人：庞远;王骏华;杨光;吕昭征;吕力 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2016-04-05 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明提供一种约瑟夫森结器件，包括：非超导介质膜和位于所述非超导介质膜之上的彼此间隔的第一超导介质膜和第二超导介质膜，还包括在所述第一超导介质膜和第二超导介质膜之间的至少一个正常金属电极，所述正常金属电极与所述非超导介质膜直接接触，并且与所述第一超导介质膜和所述第二超导介质膜分别彼此绝缘。
一种约瑟夫器件及其制备方法

[发明专利]氮化物类半导体激光元件和光学装置-CN201110319247.6无效
发明人：村山佳树 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2011-10-14 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01S5/028 文献下载
摘要：端面涂膜具有与出射侧谐振器面接触形成的由氮化铝构成的第1电介质膜、形成于第1电介质膜的出射侧谐振器面相反侧的由氧氮化铝构成的第2电介质膜、形成于第2电介质膜的第1电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第3电介质膜、形成于第3电介质膜的第2电介质膜相反侧的由氧氮化铝构成的第4电介质膜和形成于第4电介质膜的第3电介质膜相反侧的由氧化铝构成的第5电介质膜。
氮化物类半导体激光元件光学装置

[发明专利]具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件-CN98115145.0无效
发明人：西村武史;岩田直高 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 1998-05-29 - 公布日： 1999-02-24 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：一种制造包括金属－绝缘体－金属(MIM)电容器的半导体器件的方法,包括以下步骤在衬底上形成第一介质膜在第一介质膜上形成MIM电容器;形成覆盖MIM电容器的第二介质膜;选择性除去第一和第二介质膜,暴露衬底表面;利用盐酸进行表面处理;在第二介质膜和衬底上形成第三介质膜;及在第三介质膜上形成晶体管。第二介质膜保护MIM电容器的电容绝缘膜。
具有金属绝缘体电容半导体器件

[发明专利]制造声波装置的方法和声波装置-CN201710499132.7有效
发明人：中村健太郎;松仓史弥;高桥直树;松田隆志;宫下勉 -专利权人：太阳诱电株式会社
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03H3/08 文献下载
摘要：一种声波装置制造方法包括以下步骤：在压电基板上形成梳状电极和联接到梳状电极的布线层；在压电基板上形成第一电介质膜，该第一电介质膜具有比梳状电极和布线层的厚度大的膜厚度，并且覆盖梳状电极和布线层，并且由掺杂有其他元素的氧化硅或未经掺杂的氧化硅形成；在第一电介质膜上形成第二电介质膜，该第二电介质膜在布线层上方具有开口；通过使用蚀刻液的湿法蚀刻去除由第二电介质膜的开口露出的第一电介质膜，该蚀刻液使得第二电介质膜的蚀刻速率小于第一电介质膜的蚀刻速率，使得第一电介质膜残存以覆盖布线层的端面和梳状电极。
制造声波装置方法

[发明专利]固体摄像器件及其制造方法-CN200410097835.X无效
发明人：加藤良章 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-12-02 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种固体摄像器件，包括：将入射光转换成电荷的光电二极管(1)，在光电二极管(1)的上部形成的第一电介质膜(82)，在上述第一电介质膜(82)的上部形成的第二电介质膜(83)及第三电介质膜(21)，在上述第一至第三电介质膜的任意电介质膜之间设置的中空层(9)。
固体摄像器件及其制造方法

[发明专利]光源及其制备方法、背光模组、显示面板-CN201810689800.7在审
发明人：杨勇 -专利权人：武汉华星光电技术有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： G02F1/13357 文献下载
摘要：本申请公开了一种光源及其制备方法、背光模组、显示面板，该光源包括：基板、固定于基板表面的发光芯片、设置于发光芯片表面的微结构，以及覆盖微结构和基板表面的荧光膜层；其中，微结构包括第一介质膜层和第二介质膜层，第一介质膜层覆盖发光芯片，第二介质膜层覆盖第一介质膜层，第一介质膜层的折射率小于第二介质膜层的折射率，第二介质膜层的折射率大于荧光膜层的折射率。
介质膜层折射率光源发光芯片微结构背光模组基板表面显示面板荧光膜层制备覆盖混光特性基板申请

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