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[发明专利]一种巨介电常数介质材料及其制备方法和应用-CN202310926451.7在审
发明人：王梦龙;李拓;邹晓峰;王长红;苏康;柳萌;方兴 -专利权人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明属于介电材料技术领域，具体涉及一种巨介电常数介质材料及其制备方法和应用。>和Ta5+作为掺杂离子，结合在氮气或氢气与氮气混合气体气氛中进行热处理，通过控制掺杂含量，调控TiO2基介质材料的介电性能，从而提供具有巨介电常数、低介电损耗和良好频率稳定性介质材料，所得材料在实现介质材料巨介电常数和低介电损耗的同时，介电常数和介电损耗随频率的稳定性显著提高，从而满足高性能介质电容器或动态存储器等领域的应用需求
一种介电常数介质材料及其制备方法应用

[发明专利]介电材料组合物及其制备方法和用途-CN201410723031.X有效
发明人：刘鹏波;林长红;邹华维 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-12-02 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种介电材料组合物，它包括以下重量配比的组分：环氧树脂100份、低分子量聚苯醚10份～40份、高分子量聚苯醚5份～25份、固化催化剂1份～5份；所述低分子量聚苯醚的数均分子量为1500～5500本发明介电材料组合物的组分较为简单，热固化后形成半互穿网络结构，有效地改善了聚苯醚和环氧树脂的相容性，具有低介电常数、低介电损耗、高耐热等优良性能；同时，本发明制备介电材料组合物的方法，工艺简单，操作简便，成本较低，非常适合用于制备高性能的介电材料，具有良好的应用前景。
材料组合及其制备方法用途

[发明专利]一类具有超低介电常数的COFs薄膜材料-CN201811058370.5有效
发明人：冯霄;王博;邵鹏鹏;李婕 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明涉及一类具有超低介电常数的COFs薄膜材料，属于介电材料领域。所述薄膜材料是在两种不互溶的溶液界面间反应形成的一种高度结晶性的、厚度均一的、多孔的、柔性的、湿度抵抗的新型超低介电常数的薄膜材料，其介电常数可低至1.19；而且通过调控两种溶液的组成成分及浓度可以实现对其性能及厚度的调控相对传统的无机介电材料和有机高分子聚合物介电材料，本发明所述薄膜材料既具有无机介电材料良好的稳定性、较低介电常数的优势，又具有良好的柔性、易加工性和良好的湿度抵抗性能等优势，扩展了低介电常数的介电材料的体系
一类具有介电常数 cofs 薄膜材料

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201010131831.4无效
发明人：韩秋华;符雅丽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在前端器件层上的低介电材料层中形成出露所述前端器件层的沟槽，在所述沟槽内以及所述低介电材料层表面形成铜金属层，对所述铜金属层进行化学机械抛光处理，出露所述低介电材料层，对所述低介电材料层进行表面致密处理，在所述铜金属层和所述低介电材料层上形成掺杂氮的碳化硅层。根据本发明的方法能够有效解决半导体器件制造过程中的挥发性化合物对所制造的半导体器件的性能的影响的问题，节约半导体器件的生产成本，提高所制造的半导体器件的性能。
制造半导体器件方法

[发明专利]介电材料层及其形成方法、应用其的半导体结构-CN201811002385.X在审
发明人：刘曦光 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明提供一种介电材料层及其形成方法、应用其的半导体结构，其中介电材料层的形成方法包括：提供基底；将所述基底置于反应腔室中执行等离子体增强SFD工艺，形成介电材料层于所述基底上；其中，所述形成介电材料层包括：沉积阶段：在等离子体条件下沉积反应形成介电材料薄膜；氮化阶段：在等离子体条件下对所述介电材料薄膜进行氮化处理；其中所述沉积阶段与所述氮化阶段依次循环进行，形成所述介电材料层。通过本发明的等离子体增强SFD工艺可制得高品质的介电材料层，应用于半导体结构中可提高器件性能。
材料及其形成方法应用半导体结构

[发明专利]一种TOPCon电池的叠层钝化结构和TOPCon电池-CN202111067018.X在审
发明人：刘成法;陈达明;冯志强;王尧;张学玲;王倩 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池的叠层钝化结构和TOPCon电池，所述叠层钝化结构包括N型硅衬底，所述N型硅衬底正面从里到外依次设置有第一介电钝化层，第二介电钝化层和第三介电钝化层；所述第一介电钝化层为氧化铝层，所述第二介电钝化层为氧化硅层、碳化硅层或氮氧化硅层中的任意一层或至少两种的叠层，所述第二介电钝化层的厚度小于10nm，所述第三介电钝化层为氮化硅膜。本发明的叠层钝化结构对TOPCon电池正面的钝化效果好，还能显著改善表面陷光，提升电性能。
一种 topcon 电池钝化结构

[实用新型]一种TOPCon电池的叠层钝化结构和TOPCon电池-CN202122202739.9有效
发明人：刘成法;陈达明;冯志强;王尧;张学玲;王倩 -专利权人：天合光能股份有限公司
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种TOPCon电池的叠层钝化结构和TOPCon电池，所述叠层钝化结构包括N型硅衬底，所述N型硅衬底正面从里到外依次设置有第一介电钝化层，第二介电钝化层和第三介电钝化层；所述第一介电钝化层为氧化铝层，所述第二介电钝化层为氧化硅层、碳化硅层或氮氧化硅层中的任意一层或至少两种层的叠层，所述第二介电钝化层的厚度小于10nm，所述第三介电钝化层为氮化硅膜膜。本实用新型的叠层钝化结构对TOPCon电池正面的钝化效果好，还能显著改善表面陷光，提升电性能。
一种 topcon 电池钝化结构

[发明专利]一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板-CN202011431352.4在审
发明人：殷卫峰;张江陵;李莎;霍翠;张记明;刘锐 -专利权人：陕西生益科技有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： C08L71/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁介电树脂组合物、包含其的层压板及其印刷电路板，所述所述磁介电树脂组合物包括：树脂，尖晶石型磁性填料；所述的尖晶石型磁性填料包含Fe、Zn和M1元素，M1为选自Ni、Mg、Mn中的至少一种本发明的磁介电树脂组合物的磁导率高、磁损耗小，满足磁介电基板的性能要求。
一种磁介电树脂组合包含层压板及其印刷电路板

[发明专利]一种高介电常数弹性体复合材料的制备方法-CN202210555078.4在审
发明人：李斌;石磊;乔梓豪 -专利权人：中山大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明属于介电弹性体技术领域，具体涉及一种高介电常数弹性体复合材料的制备方法。所述高介电弹性体复合材料包括液体弹性体基体、离子导电液体和导电纳米颗粒，所述离子导电液体的体积分数为总体积的20％‑80％，所述导电纳米颗粒的质量分数为总质量的0.5％‑2％。该高介电弹性体复合材料为先将导电纳米颗粒均匀分散于液体弹性体基体，再加入离子导电液体制成均匀乳化的前驱液，最后经成型制备得到。该高介电弹性体复合介电常数高、介电损耗低，且保持了材料的回弹性、力电稳定性、大变形下的稳定性等其他性能，可用于高性能电容式传感器、电活性驱动等领域。
一种介电常数弹性体复合材料制备方法

[发明专利]一种TiO2-CN202011241262.9在审
发明人：单学文;殷景华 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：一种TiO2维度对TiO2/PVDF复合材料介电性能影响的建模与仿真方法，属于复合材料介电性能研究技术领域，用以解决现有技术不能直观体现TiO2/PVDF复合材料内部微观性能分布，从而不能更好地分析确定TiO2填料相貌对复合材料介电性能的影响。本发明采用有限元法对TiO2/PVDF复合材料体系结构与性能进行模拟与仿真研究，通过建立二维和三维两种模型，从电场强度、漏电流密度、体系能量密度分布角度系统地研究复合材料的击穿机理，进而研究填料形貌对复合材料介电性能的影响，仿真结果表明一维TiO2/PVDF复合材料有着更强的耐击穿能力。本发明方法一方面用于系统的研究复合材料介电性能提升的机理，另一方面可指导开发高储能密度的复合材料，减少研发成本，缩小研发周期。
一种 tio base sub

[实用新型]宽带高温介电性能测量装置-CN201020107013.6无效
发明人：张娜;张国华;陈婷;高春彦;成俊杰;宗惠庆;琚小琳 -专利权人：北京无线电计量测试研究所
申请日： 2010-02-03 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： G01R27/26 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种宽带高温介电性能测量装置，包括依次机械连接的第一降温组件、左穿墙、第一测试夹具、高温连接器、右穿墙、第二降温组件，所述的第一降温组件和第二降温组件通过电缆连接至控制采集装置，所述的第一测试夹具本装置采用高温误差修正技术和时域技术提高了高温介电性能的测量准确度。本测量装置弥补了现有高温介电性能测量装置频带窄、准确度低等缺点。
宽带高温性能测量装置

[外观设计]高温介电性能测试仪-CN202230737013.2有效
发明人：肖腊连;谢波 -专利权人：武汉研禾科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： 10-05 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：高温介电性能测试仪。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于高温测试平台、高温介电测试使用。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
高温性能测试仪

[发明专利]一种海洋能发电装置-CN202010810040.8在审
发明人：王文全;王秀;闫妍 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种海洋能发电装置，涉及开发新能源技术领域，包括：若干个介电弹性体发电模块、底座和蓄电装置，底座中设置有封闭的腔体，蓄电装置设置于腔体内；各介电弹性体发电模块均包括一个介电弹性体，介电弹性体的一端固定于底座上，另一端沿远离底座的方向延伸，介电弹性体发电模块用于将海洋内水流动的动能转化为电能，介电弹性体发电模块与蓄电装置电连接，本发明提供的海洋能发电装置的各项性能均优于传统的海洋能发电设备。
一种海洋发电装置

[发明专利]聚醚酰亚胺介电复合材料及其制备方法、应用-CN202211072428.8在审
发明人：沈洋;南策文;江李航;江建勇;潘家雨;胡澎浩 -专利权人：乌镇实验室
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C08L79/08 文献下载
摘要：本发明公开了聚醚酰亚胺介电复合材料及其制备方法、应用，聚醚酰亚胺介电复合材料，包括有聚醚酰亚胺聚合物和分散在聚醚酰亚胺聚合物中的经过表面改性的无机纳米陶瓷颗粒；所述无机纳米陶瓷颗粒为依次进行双氧水羟基化和硅烷偶联剂表面改性后的无机纳米陶瓷颗粒本发明的聚醚酰亚胺介电复合材料，具有良好介电性能，表面改性后，纳米陶瓷颗粒表面留有和聚合物类似的结构，提高了纳米陶瓷颗粒在聚合物中的相容性，也提高了纳米陶瓷颗粒的分散性，实验证明，本发明的聚醚酰亚胺介电复合薄膜材料具有良好的介电性能，是一种有希望在介电电容器、半导体及电子封装等现代电子电力领域应用的复合介电材料。
聚醚酰亚胺复合材料及其制备方法应用

[发明专利]人造介电材料以及由其制成的聚焦透镜-CN202180073257.8在审
发明人：斯列德科夫·维克托·阿莱克桑德罗维奇 -专利权人：广州司南技术有限公司
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01Q15/04 文献下载
摘要：本文提供一种人造介电材料，包括由介电材料制成的多个分层薄片和多个设置于所述介电材料制成的薄片上的孔中的导电元件；其中，每个所述导电元件大致呈管状，且沿自身长度方向开设有一条狭缝，从而在长度方向的两边缘之间留有缝隙本文还提供一种由该人造介电材料制成的透镜，和制备该材料的方法。这种人造介电材料和透镜可以提供理想良好的电介质、无线电波聚焦性能以及制造优势。
人造材料以及制成聚焦透镜