“五氧化二钽”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9541262个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高折射率纳米颗粒-CN201780091654.1在审
发明人： Y·勒克莱尔;赵健;施利毅;袁帅;张美红;王竹仪 -专利权人：依视路国际公司;上海大学
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：披露了一种用于制备五氧化二钽胶体的合成方法，其包括以下步骤：a.提供无定形五氧化二钽的透明溶液，b.使所述溶液经受溶剂热条件以便形成五氧化二钽纳米晶体，c.将所述五氧化二钽纳米晶体分散在溶剂中以便形成五氧化二钽胶体
折射率纳米颗粒

[发明专利]一种五氧化二钽晶须及其制备方法-CN202010710830.9有效
发明人：郭顺;郑金凤;聂全新;颉维平;梁宏源;刘创红 -专利权人：宁夏东方钽业股份有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-08-31 - 主分类号： C30B29/16 文献下载
摘要：本申请涉及金属化学冶炼技术领域，尤其涉及一种五氧化二钽晶须及其制备方法。本申请提供的五氧化二钽晶须及其制备方法，以钽酸溶液为前驱体溶液，制备五氧化二钽晶须，利用该前驱体溶液在一定的水热条件和分散剂作用下，可以调节反应溶液的表面张力，使五氧化二钽取向结晶，从而控制五氧化二钽以纤维结构生长，获得独特的一维取向结构形貌，进而提高五氧化二钽的比表面积和活性结点。通过本申请中五氧化二钽晶须制备方法制得的一维取向结构形貌的五氧化二钽晶须，具有较大的比表面积，且活性高，同时具有良好的孔隙度，尤其适用于作为光催化剂、镁蒸汽还原五氧化二钽制备金属钽粉、高介电材料等领域的使用
一种氧化二钽晶须及其制备方法

[发明专利]棒状五氧化二钽纳米晶/石墨烯复合光催化剂的制备方法-CN201310075481.8有效
发明人：朱申敏;毛琳;张荻;李尧;杨庆庆 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B01J23/20 文献下载
摘要：本发明涉及棒状五氧化二钽纳米晶/石墨烯复合光催化剂的制备方法，配置五氧化二钽前驱溶液后，将氧化石墨超声分散于五氧化二钽前驱体溶液中，经过水热反应后再离心过滤并干燥，即制备得到棒状五氧化二钽纳米晶/石墨烯复合光催化剂与现有技术相比，本发明利用该前驱液在合适的水热条件下取向结晶这一特性，控制了五氧化二钽以棒状的形式在石墨烯上的生长，制备得到棒状五氧化二钽纳米晶/石墨烯复合物，该方法通过对五氧化二钽形貌的控制，得到的取向态五氧化二钽更有利于光生电子空穴的分离
棒状五氧化纳米石墨复合光催化剂制备方法

[发明专利]五氧化二钽纳米颗粒/石墨烯复合光催化剂的制备方法-CN201310044607.5有效
发明人：朱申敏;毛琳;张荻;路涛;朱呈岭 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2013-02-04 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： B01J23/20 文献下载
摘要：本发明涉及五氧化二钽纳米颗粒/石墨烯复合光催化剂的制备方法，以氧化石墨为基体，利用商用五氧化二钽配置了所述催化剂的前驱体，通过双氧水等试剂对五氧化二钽前驱液的调节，辅助超声的方法，实现了五氧化二钽纳米颗粒在石墨烯表面的生长，得到了五氧化二钽纳米颗粒/石墨烯复合光催化剂。所制备得到的五氧化二钽纳米颗粒/石墨烯复合光催化剂，由于石墨烯的电子接收作用，以及纳米五氧化二钽的紫外光催化性，在光催化分解有机污染物、光解水制氢等方面具有广阔的应用前景。
氧化纳米颗粒石墨复合光催化剂制备方法

[实用新型]一种五氧化二钽生产用高效筛分装置-CN202220764381.0有效
发明人：车家和 -专利权人：九江中澳钽铌有限公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种五氧化二钽生产用高效筛分装置，涉及五氧化二钽筛分装置技术领域，包括：筛分箱、支撑腿、控制器、第一放置板、第一收纳框、第二放置板、第二收纳框、进料斗、转轴、旋转板、导料板、导料块、振动筛、振动器、限流板、第一出料口、底腔、第二出料口；有益效果在于：当五氧化二钽倒入进料斗内部时，五氧化二钽与旋转板接触，通过五氧化二钽掉落在旋转板产生的重力作用，使转轴带动旋转板旋转，使旋转板可将五氧化二钽分散流入至导料板上；然后导料板上的五氧化二钽再流入至振动筛上，同时通过导料板上的导料块，可使五氧化二钽流入至振动筛上时更加分散，从而可提高振动筛对五氧化二钽的筛分效果，防止筛分不彻底。
一种氧化生产高效筛分装置

[发明专利]一种高致密度、高介电常数的五氧化二钽基陶瓷及其制备方法-CN202110800254.1在审
发明人：刘施峰;文婷婷;邓超;杨帅 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明涉及五氧化二钽陶瓷制备技术领域，具体公开了一种高致密度、高介电常数的五氧化二钽基陶瓷及其制备方法。本发明的五氧化二钽基陶瓷包含五氧化二钽基体和二氧化钛掺杂剂，以五氧化二钽陶瓷的总摩尔量为基准，所述掺杂剂含量为0.00‑0.11mol％。通过控制五氧化二钽基陶瓷的烧结参数和掺杂剂的含量，采用放电等离子体烧结，使得五氧化二钽陶瓷烧结温度低、升温速率快、烧结周期短、能耗低，所得的陶瓷致密度高(99.45％)，低温烧结陶瓷的完整性好，基本无开裂现象
一种致密介电常数氧化二钽基陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种氟掺杂碳五氧化二钽复合材料、其制备方法及应用-CN202010592193.X在审
发明人：柴国良;王珂;张浩;谢欢 -专利权人：中国科学院福建物质结构研究所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： B01J23/20 文献下载
摘要：本申请公开了氟掺杂碳五氧化二钽复合材料、其制备方法及应用。该氟掺杂碳五氧化二钽复合材料包括氟掺杂碳基体和分散在所述氟掺杂碳基体中的五氧化二钽颗粒。该氟掺杂碳五氧化二钽复合材料作为催化剂在在电催化两电子氧还原产双氧水中的应用，有效的提高了五氧化二钽的导电性从而增加了五氧化二钽的催化活性，并且通过协同效应进一步提高了五氧化二钽对两电子氧还原生成双氧水的选择性，解决了现有金属氧化物导电率低、催化活性差的问题，且具有很好的稳定性。
一种掺杂氧化复合材料制备方法应用

[发明专利]一种五氧化二钽超细颗粒的制备方法-CN202110024987.0在审
发明人：邓超;文婷婷;杨帅;陈珊;何鹏飞;刘施峰 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： C25D11/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种五氧化二钽超细颗粒的制备方法，包括如下步骤：(1)将清洗干净的钽片作为阳极，采用阳极氧化法制备五氧化二钽纳米管；(2)将得到的五氧化二钽纳米管置于退火炉或等离子火花放电炉中进行650～900℃高温热处理得到五氧化二钽超细晶体颗粒。本发明选用钽片作为基底材料，运用简单的阳极氧化法制备了五氧化二钽纳米管，最后在管式退火炉或等离子火花放电炉里经过高温热处理得到五氧化二钽超细颗粒，粒径约为50‑200nm，产品经过进一步处理可达到电子级纯度该工艺方法制备流程短，能耗低，环境污染少，是一种环保高效的制备五氧化二钽颗粒的方法。
一种氧化二钽超细颗粒制备方法

[发明专利]一种环型高密度五氧化二钽镀膜材料的制备方法-CN202110408174.1有效
发明人：彭程;石志霞;孙静;张碧田;段华英;张恒;王星明 -专利权人：有研资源环境技术研究院（北京）有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种环型高密度五氧化二钽镀膜材料的制备方法，主要包括以下步骤：(1)将五氧化二钽粉体原料装入环型模具中，采用冷等静压成型为环型坯体；(2)将得到的环型坯体机加工为环型氧化钽中间品；(3)将环型氧化钽中间品移入高温炉中进行烧结致密化，得到白色环型高密度五氧化二钽镀膜材料；(4)将白色环型高密度五氧化二钽镀膜材料在真空条件下进行高温处理，得到灰色或黑色环型高密度五氧化二钽镀膜材料。通过该制备方法制备五氧化二钽镀膜材料具有制备工艺简单，得到的五氧化二钽镀膜材料相对密度大于90％(理论密度按8.8g/cm3计算)，并且，镀膜过程稳定，避免镀膜过程中出现放气量大及喷溅等问题
一种高密度氧化镀膜材料制备方法

[发明专利]一种基于MOCVD的五氧化二钽气凝胶制备方法-CN202310242981.X在审
发明人：牛瑞文;李宁;雷洁红;何智兵;李婧;易泰民 -专利权人：西华师范大学;中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C01G35/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MOCVD的五氧化二钽气凝胶制备方法，包括：将有机气凝胶模板放置在MOCVD反应腔室中，通Ar气流分别将乙醇钽和水引入MOCVD装置的反应腔室，在有机气凝胶模板上沉积纳米级厚度的五氧化二钽镀层，形成有机‑五氧化二钽复合气凝胶；将有机‑五氧化二钽复合气凝胶置于空气环境下煅烧，除去有机气凝胶模板，得到轻质高强的五氧化二钽气凝胶。本发明首次采用MOCVD的方法进行五氧化二钽气凝胶的制备，通过控制传质和沉积过程实现五氧化二钽气凝胶微结构的可控生长，对气凝胶微结构进行了增强。
一种基于 mocvd 氧化二钽气凝胶制备方法

[发明专利]五氧化二钽取向膜的制造方法-CN200980120508.2有效
发明人：维什瓦纳特·巴特;瓦西尔·安东诺夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明揭示形成氧化物的方法，所述方法包括使含钌材料(130)与含钽前驱物接触，和使所述含钌材料与包括水且任选地包括分子氢(H2)的蒸汽接触。还揭示包括第一结晶五氧化二钽(140)和在所述第一结晶五氧化二钽的至少一部分上的第二结晶五氧化二钽(150)的物品，其中所述第一五氧化二钽所具有的结晶取向不同于所述第二结晶五氧化二钽的结晶取向。
氧化取向制造方法

[实用新型]一种高纯五氧化二钽生产用过滤装置-CN202220730301.X有效
发明人：车家和 -专利权人：九江中澳钽铌有限公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及过滤清洗设备技术领域，公开了一种高纯五氧化二钽生产用过滤装置，包括顶板，所述顶板顶端后侧的中部设置有进料斗，所述进料斗的底端贯穿顶板顶端后侧的中部，所述顶板底端的中部固定连接有电动机，所述电动机的输出端固定连接在中轴杆的顶端本实用新型中，五氧化二钽通过进料斗进入清洗桶，进水管可以向清洗桶输送清水，电动机驱动中轴杆旋转，使中轴杆上的刷板对五氧化二钽进行清洗，去除了五氧化二钽表面的杂质，过滤板可以拦截清洗过的五氧化二钽，同时让污水穿过，加热板可以对洁净的五氧化二钽进行烘干，去除了五氧化二钽表面残留的水分。
一种高纯氧化生产过滤装置

[发明专利]薄膜电阻元件-CN202010037087.5在审
发明人：邱正中;卢契佑 -专利权人：光颉科技股份有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜电阻元件，将氮化钽(TaN)层设置在基板的上表面上，五氧化二钽(Ta2O5)层设置于氮化钽层上，以及二电极层分开设置于五氧化二钽层上或于氮化钽层与五氧化二钽层的两端，因此在使用时产生的高温下，本发明的薄膜电阻元件可降低氮化钽层的氧化速率以维持电阻值的恒定。
薄膜电阻元件

[实用新型]薄膜电阻元件-CN202020071985.8有效
发明人：邱正中;卢契佑 -专利权人：光颉科技股份有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-07-21 - 主分类号： H01C7/00 文献下载
摘要：本申请提供了一种薄膜电阻元件，将氮化钽(TaN)层设置在基板的上表面上，五氧化二钽(Ta2O5)层设置于氮化钽层上，以及二电极层分开设置于五氧化二钽层上或于氮化钽层与五氧化二钽层的两端，因此在使用时产生的高温下，本申请的薄膜电阻元件可降低氮化钽层的氧化速率以维持电阻值的恒定。
薄膜电阻元件

[发明专利]一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法-CN201711124575.4在审
发明人：秦海波 -专利权人：北京富兴凯永兴光电技术有限公司
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种低价态氧化钽光学镀膜材料及制备方法，属于光学镀膜材料技术领域。按五氧化二钽与金属钽粉的质量比10.3～13的比例进行配料、混合、造粒或压片、真空状态下烧结，烧结温度为1350℃～1750℃，形成导电性良好的低价态氧化钽。制备的低价态氧化钽光学镀膜材料用于生产光学元件。本发明的优点是在五氧化二钽中加入一定量金属钽粉，经成型造粒或压片，真空烧结，形成低价态的稳定氧化钽，可在大气中长期存放，不会发生价态的变化，这样就解决了真空烧结五氧化二钽在大气中不稳定的问题。
一种低价氧化光学镀膜材料制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条