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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]铜互连结构及铜互连结构的制作方法-CN201310069905.X有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-03-05 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜互连结构及铜互连结构的制作方法。所述铜互连结构包括半导体衬底；位于所述半导体衬底上的第一层间介质层；贯穿所述第一层间介质层的铜插塞；位于所述第一层间介质层上的第二层间介质层；贯穿所述第二层间介质层的铜互连线；所述第一层间介质层与所述铜互连线之间具有第一保护层，所述第二层间介质层与所述铜互连线之间具有第二保护层。本发明提供的铜互连结构中，铜互连线与第一层间介质层之间包括第一保护层，铜互连线与第二介质层之间包括第二保护层，从而避免了铜互连线与第一层间介质层和第二层间介质层直接接触，防止第一层间介质层和第二层间介质层被铜互连线压裂
互连结构制作方法

[发明专利]一种用于硅芯片间互连的冗余互连结构-CN201210046598.9有效
发明人：甘正浩;徐依协 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-02-27 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供用于硅芯片间互连的冗余互连结构，包括：多个主互连通道，其下端连接到通过焊点与焊球连接的所述硅芯片下表面的焊盘，上端连接到与所述硅芯片上表面的焊盘连接的金属互连线；多个冗余互连通道，所述多个冗余互连通道中的每个形成于所述多个主互连通道中的每个的旁边；多个反熔丝元件，所述多个反熔丝元件中的每个形成于所述多个主互连通道中的每个的上端与所述多个冗余互连通道中的每个的上端之间的所述金属互连线中；多个熔丝元件，所述多个熔丝元件中的每个形成于所述多个主互连通道中的每个的下端与连接所述硅芯片下表面的焊盘和所述焊球的焊点之间的所述焊盘中
一种用于芯片互连冗余结构

[发明专利]互连、互连形成方法、薄膜晶体管及显示器-CN03158509.4有效
发明人：门昌辉;青森繁;山元良高 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2004-04-21 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层
互连形成方法薄膜晶体管显示器

[发明专利]互连、互连形成方法、薄膜晶体管及显示器-CN200810135255.3有效
发明人：门昌辉;青森繁;山元良高 -专利权人：株式会社液晶先端技术开发中心
申请日： 2003-09-17 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的互连形成方法，包括：在绝缘膜(13)上形成金属扩散阻挡膜(14)的步骤；利用无电镀工艺在金属扩散阻挡膜(14)上选择性地形成金属晶种层(18)的步骤；利用电镀工艺在金属晶种层(18)上选择性地形成金属导电层
互连形成方法薄膜晶体管显示器

[发明专利]互连组件和用于在电池模块中形成互连组件的方法-CN201610236594.5有效
发明人：亚历克斯·哈哈勒夫 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01M2/20 文献下载
摘要：本发明提供一种互连组件和在电池模块中形成互连组件的方法。在互连组件中，与第一单元突片相对地布置第二单元突片，所述第一单元突片包含第一金属。第二单元突片包含第二金属，第二金属的硬度比第一金属的硬度高。另外，所述组件包括互连构件，互连构件与第二单元突片相对地布置。此外，所述组件包括助焊层，助焊层与第一单元突片相对地布置，使得第一单元突片和第二单元突片被布置在助焊层和互连构件之间。
互连组件用于电池模块形成方法

[发明专利]全交叉网络互连组装结构以及全交叉网络互连组装方法-CN201210369489.0无效
发明人：高剑刚;丁亚军;刘耀;金利峰;胡晋;郑浩;李滔 -专利权人：无锡江南计算技术研究所
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H04L12/70 文献下载
摘要：本发明提供了一种全交叉网络互连组装结构以及全交叉网络互连组装方法。根据本发明的全交叉网络互连组装结构包括：多个节点板、多个网络板以及无源中板；其中，所述多个节点板安装在所述无源中板的第一侧，所述多个网络板安装在所述无源中板的第二侧；而且，所述无源中板用作所述多个节点板与所述多个网络板之间的全交叉网络布线以及电源馈流路径
交叉网络互连组装结构以及方法

[发明专利]金属互连结构形成方法和金属互连结构-CN201110103157.3无效
发明人：牟善勇;谭璜 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-04-25 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属互连结构形成方法和金属互连结构。根据本发明的金属互连结构形成方法包括：金属间介质沉积步骤，用于在形成有有源区结构的半导体器件结构上沉积金属间介质；接触孔图案形成步骤，用于对金属间介质进行刻蚀以形成接触孔图案，金属层形成步骤，用于在形成有接触孔图案的结构上形成金属层根据本发明，通过两次形成金属层以及两次形成金属之间的刻蚀，可以有效地消除接触孔部分的金属互连结构中的空隙，并且使得所形成的金属互连结构更加均匀。
金属互连结构形成方法

[实用新型]一种光互连模块以及包含光互连模块的系统-CN201921049079.1有效
发明人：薛海韵;曹立强 -专利权人：上海先方半导体有限公司
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光互连模块，包括：可插拔光纤模组板，包括：光纤连接器，所述光纤连接器具有贯穿顶面和底面的第一通孔，用于容纳并精准定位光纤；多个对准插针，所述对准插针设置在光纤连接器的底部；以及光学输入输出转接板本申请还提供一种包含光互连模块的系统。
光纤连接器输出转接板光学输入光芯片对准插孔插针光纤模组电芯片光互连可插拔本实用新型光纤耦合精确耦合精准定位电连接顶面通孔源区嵌入光纤穿过容纳贯穿申请

[发明专利]互连组件和用于在电池模块中形成互连组件的方法-CN201280040102.5有效
发明人：亚历克斯·哈哈勒夫 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2012-08-27 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01M2/26 文献下载
摘要：提供一种互连组件和一种方法。在互连组件中，与第一单元突片相对地布置第二单元突片，所述第一单元突片包含第一金属。第二单元突片包含第二金属，第二金属的硬度比第一金属的硬度高。另外，所述组件包括互连构件，互连构件与第二单元突片相对地布置。此外，所述组件包括助焊层，助焊层与第一单元突片相对地布置，使得第一单元突片和第二单元突片被布置在助焊层和互连构件之间。
互连组件用于电池模块形成方法

[发明专利]互连封装结构及制造和使用该互连封装结构的方法-CN201080031320.3有效
发明人：尼泰史·卡玛怀特;艾博黑沙克·查德胡瑞;温科·桑德锐曼;罗·R·特玛拉 -专利权人：佐治亚科技研究公司
申请日： 2010-07-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明的各种实施方式提供了细节距，芯片至基底互连封装结构，以及制造和实用该封装结构的方法。该封装结构通常包括一具有设置于其上的晶粒焊盘和凸块的半导体，及具有设置于其上的基底焊盘的基底。该凸块被配置为在凸块与基底焊盘接触时使半导体的至少一部分与基底的至少一部分电性互连。另外，在凸块与基底焊盘接触时，凸块的至少一部分和基底焊盘的至少一部分发生变形以在二者之间形成一非冶金结合。
互连封装结构制造使用方法

[发明专利]导电层压结构、电互连件及形成电互连件的方法-CN201180033816.9有效
发明人：古尔特杰·S·桑胡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2011-06-07 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一些实施例包含电互连件。所述互连件可含有具有夹在非石墨烯区之间的石墨烯区的层压结构。在一些实施例中，所述石墨烯区与非石墨烯区可嵌套在彼此内。一些实施例包含形成电互连件的方法，其中非石墨烯材料与石墨烯交替地形成于沟槽内以形成嵌套的非石墨烯区与石墨烯区。
导电层压结构互连形成方法

[发明专利]使用牺牲互连部分的芯片上的互连叠层冷却-CN200680048773.0无效
发明人：劳伦·高塞特;文森特·阿纳勒 -专利权人：皇家飞利浦电子股份有限公司
申请日： 2006-12-19 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： H01L23/473 文献下载
摘要：该方法包括在电互连部分的期望侧向位置处和在流体冷却槽部件的期望侧向位置处，在介电层序列中形成凹陷。金属填充物被淀积在介电层序列的凹陷中，以在流体冷却槽部分中形成电互连部分和牺牲填充物。
使用牺牲互连部分芯片冷却

[其他]数字传输互连信号-CN86105498无效
发明人：埃里克·胡姆里·安盖尔;索马斯·约瑟夫·阿普里尔;方荣青;比昂格·吉·利;詹迪特·斯帕林克 -专利权人：美国电话电报公司
申请日： 1986-08-25 - 公布日： 1987-06-10 - 主分类号： H04L5/22 文献下载
摘要：本发明通过201采用一种独特的公共通道帧格式和通过202采用一步多路复合处理，把许多具有一种或多种传输速率的数字信号综合成为一个单独的传输信号(IS)，该通道帧格式包括许多数据字位置和许多附加字位置，所用的数据字的位置取决于特定的输入信号，在一个特定的公共帧区间期间产生的帧数取决于特定信号的传输位速率。附加位分布在通道帧格式中。图2中的通道帧中的数据字1-84被插入一个单独的传输信号(IS)的连续帧中的数据位位置的预定组中。
数字传输互连信号

[发明专利]凸点互连焊接方法-CN201410419700.4在审
发明人：丁荣峥;明雪飞;李欣燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2014-08-23 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路芯片的凸点焊接技术领域，尤其是一种凸点互连焊接方法。在还原性气氛下对凸点和焊盘的焊接表面进行活化；步骤三，活化后，对焊接炉抽真空并升温到回流峰值温度，并进行保温1～8min；步骤四，降温冷却，冷却阶段温度降至凸点焊料熔点下20℃停止抽真空，并通入氮气辅助冷却；步骤五，冷却到常温后完成凸点互连焊接
互连焊接方法

[发明专利]经屏蔽的互连阵列-CN201810167875.9在审
发明人： Y.敖;J.M.胡图拉;M.普拉布胡高德;R.基尔拜;J.瓦尔齐克;E.阿卡尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01R13/6581 文献下载
摘要：描述了经屏蔽的互连阵列和相关联的方法。经屏蔽的互连阵列的示例包括插座连接，所述插座连接包括具有柔性弯曲的导电构件。
屏蔽互连阵列柔性弯曲插座连接导电构件接地导电构件邻近关联

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