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[实用新型]一种耦合Ω型互补谐振微波传感器-CN201620381517.4有效
发明人：谢正鹏;杨晶晶;黄铭 -专利权人：云南大学
申请日： 2016-04-29 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01N22/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耦合Ω型互补谐振微波传感器，包括Ω型互补金属贴片谐振结构和介质基板，所述Ω型互补金属贴片谐振结构设置于所述介质基板的上表面，所述Ω型互补金属贴片谐振结构为不相互嵌入、对称的开路谐振环结构所述Ω型互补金属贴片谐振结构为在铜金属片上打孔形成完全对称的耦合Ω型谐振结构。本实用新型采用开放的耦合Ω型互补金属贴片谐振结构构成谐振腔，并通过波导进行激发形成谐振，由于耦合Ω型互补金属贴片谐振结构等效为负介电常数材料，因此在形成谐振的同时，最大场强出现在耦合Ω型互补金属贴片的空白区域
一种耦合互补谐振微波传感器

[发明专利]一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器-CN201410567302.7有效
发明人：汪欢文;高扬华;陆海良;郁钢;单宇翔 -专利权人：浙江中烟工业有限责任公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-02-04 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器，该滤波器包括介质板、导带、互补型矩形开口缺陷微带结构、开路枝节、脊线、接地板和哑铃型缺陷地结构，互补型矩形开口缺陷微带结构包括第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构，第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构分别设置在导带的两侧，每个互补型矩形开口缺陷微带结构由两个开口方向相反的内侧环型缝隙和外侧环型缝隙构成；开路枝节包括第一开路枝节、第二开路枝节和第三开路枝节，脊线包括第一脊线和第二脊线，哑铃型缺陷地结构包括第一哑铃型缺陷地结构和第二哑铃型缺陷地结构，本发明改善了阻带宽度，通带内的损耗低。
一种具有陡峭过渡改善滤波器

[发明专利]一种离子互补型自组装肽及其制备方法-CN201811001044.0在审
发明人：葛飞;晋珍珍;陶玉贵;孙良玉;张旭光;朱龙宝 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2018-08-30 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C07K7/08 文献下载
摘要：本发明首先提供了一种离子互补型自组装肽，该离子互补型自组装肽的氨基酸序列为DGRPSFCFKFEP，本发明还提供了所述离子互补型自组装肽的制备方法，该制备方法采用固相合成离子互补型自组装肽DGRPSFCFKFEP，具有操作简单和产率高的优点；该离子互补型自组装肽形成的药物载体具有一定的包载能力，可以靶向性治疗癌症，其在癌症治疗等方面有重要价值。
自组装肽互补型离子制备靶向性治疗癌症治疗氨基酸序固相合成药物载体包载产率癌症

[发明专利]用于带有温度补偿的精密弛张振荡器集成电路的校准技术-CN00801090.0无效
发明人：詹姆斯·B·诺兰;瑞安·S·埃利森 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2000-04-26 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H03K3/021 文献下载
摘要：这些校准技术提供确定绝对温度互补型电流、绝对温度比例型电流或绝对温度比例型电流与绝对温度互补型电流的比的不同的方法。这些校准技术为确定绝对温度互补型和绝对温度比例型校准值以及设定为绝对温度互补型和绝对温度比例型校准选择开关提供不同的方法。
用于带有温度补偿精密振荡器集成电路校准技术

[发明专利]营养互补型复配发酵剂及其应用-CN201910938103.5有效
发明人：李儒仁;赵拎玉;荣良燕;钟桂霞;杨鹏;刘登勇 -专利权人：渤海大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C12N1/20 文献下载
摘要：本发明公开了营养互补型复配发酵剂，包括：汉逊德巴利酵母、清酒乳杆菌和木糖葡萄球菌，以及营养互补型复配发酵剂的应用和应用该营养互补型复配发酵剂制备的发酵香肠。本发明的营养互补型复配发酵剂的菌种间具有碳源、氮源“营养互补”和回升pH、减缓群落成员生存压力，稳定共生的优点，可达到调控发酵香肠关键风味物质形成的目的，使发酵香肠呈现出更优质的感官特性。
营养互补配发及其应用

[发明专利]感测放大电路结构及存储器-CN202310251701.1有效
发明人：白文琦 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本公开涉及一种感测放大电路结构及存储器，感测放大电路结构包括：第一N型晶体管连接位线、第一电源节点和互补放大位线；第二N型晶体管连接互补位线、第一电源节点和放大位线；第一P型晶体管连接放大位线、第二电源节点和互补放大位线；第二P型晶体管连接互补放大位线、第二电源节点和放大位线；其中，第一隔离晶体管连接位线和放大位线；第二隔离晶体管连接互补位线和互补放大位线；第一隔离晶体管和第二隔离晶体管的栅极氧化层厚度大于第一N型晶体管和第二N型晶体管的栅极氧化层厚度。
放大电路结构存储器

[实用新型]一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器-CN201420614193.5有效
发明人：汪欢文;高扬华;陆海良;郁钢;单宇翔 -专利权人：浙江中烟工业有限责任公司
申请日： 2014-10-22 - 公布日： 2015-03-11 - 主分类号： H01P1/212 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有陡峭过渡和改善阻带的低通滤波器，该滤波器包括介质板、导带、互补型矩形开口缺陷微带结构、开路枝节、脊线、接地板和哑铃型缺陷地结构，导带设置在介质板的正面，接地板设置在介质板的背面；互补型矩形开口缺陷微带结构包括第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构，第一互补型矩形开口缺陷微带结构和第二互补型矩形开口缺陷微带结构分别设置在导带的两侧，开路枝节包括第一开路枝节、第二开路枝节和第三开路枝节；脊线包括第一脊线和第二脊线；哑铃型缺陷地结构包括第一哑铃型缺陷地结构和第二哑铃型缺陷地结构
一种具有陡峭过渡改善滤波器

[发明专利]具有共模偏置的差动放大器-CN94191358.9无效
发明人：小雷蒙德·路易斯·巴雷特;巴里·韦恩·赫罗尔德;格雷齐那A·佩琼恩 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1994-11-10 - 公布日： 1997-03-26 - 主分类号： H03F3/26 文献下载
摘要：一种互补型共阴-共栅推挽放大器电路，它包括一个偏置发送器、一个互补型偏置发生器、一个共阴-共栅放大器输入级(416、417)、一个共阴-共栅放大器输出级(410、411)、一个互补型共阴-共栅放大器输入级(456、457)以及一个互补型共阴-共栅放大器输出级(450、451)。该互补型偏置发生器响应第二输入(421)，产生互补偏置控制电压。该共阴-共栅放大器输出级(410、411)和该互补共阴-共栅放大器输出级(450、451)之中的每个都具有接到公共输出端(510)的输出端，响应相应的输入信号和响应该偏置控制电压及所产生的互补偏置控制电压
具有偏置差动放大器

[发明专利]二型Z优化二元互补序列对信号的生成装置及方法-CN202111376284.0在审
发明人：周银萍;李国军;叶昌荣;曾凡鑫 -专利权人：重庆邮电大学
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H04J13/14 文献下载
摘要：本发明属于通信系统技术领域，涉及一种二型Z优化二元互补序列对信号的生成装置及方法；所述装置包括控制电路和开关电路；开关电路输入端连接码元1数据库、码元‑1数据库和二元对称Golay互补序列对数据库；开关电路输出端连接移位寄存器；移位寄存器连接二型Z优化二元互补序列对数据库；控制电路控制开关电路选择对应的输入端，并将输入的码元1/‑1或/和二元对称Golay互补序列对中的序列段输出至移位寄存器中暂存，形成了插入奇数个码元的二型Z优化二元互补序列w和二型Z优化二元互补序列v；移位寄存器合并后输出至二型Z优化二元互补序列对数据库；本发明所获得的二型Z优化二元互补序列对在序列长度、零相关区宽度可调。
优化二元互补序列信号生成装置方法

[实用新型]一种离并网一体型风光互补发电系统-CN201620882002.2有效
发明人：孙佳;陶晔 -专利权人：上海发电设备成套设计研究院
申请日： 2016-08-15 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H02J3/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种离并网一体型风光互补发电系统，其特征在于，包括并网型风光互补发电系统、离网型逆变器、整流充电装置，并网型风光互补发电系统、离网型逆变器的一端、整流充电装置的一端均与配电系统连接，离网型逆变器的另一端本实用新型接线简单、便于维护，采用并网型逆变器、离网型逆变器及蓄电池的方式，实现风光互补系统在离网(电网断电)及并网(电网有电)状态下都可以正常发电逆变输出，可最大程度满足负荷用电需求。当风光互补发电系统出力不足时，可从电网取电。可避免电网断电时的风光互补发电系统也随之停止运行的状况。
一种并网体型风光互补发电系统

[发明专利]一种电致变色组件、制造方法和太阳眼镜-CN202210931256.9在审
发明人：唐秀凤;张臣臣;陈浩元;唐岩;张炯 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： G02F1/15 文献下载
摘要：本申请公开了一种电致变色组件、制造方法和太阳眼镜，涉及电致变色技术领域，所述电致变色组件，包括：导电层；绝缘断面；变色层和互补型变色层，所述变色层和所述互补型变色层均设置于所述导电层上，且所述变色层与所述导电层的正电极导通，所述互补型变色层与所述导电层的负电极导通，所述绝缘断面用于将所述变色层和所述互补型变色层绝缘隔开；电解质层，覆盖于所述变色层和所述互补型变色层上。
一种变色组件制造方法太阳眼镜

[发明专利]有机互补反相器及其制备方法-CN201110253912.6无效
发明人：王军;朱庆平;刘昌和;胡玉磊;刘娜 -专利权人：上海大学
申请日： 2011-08-31 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机互补反相器及其制备方法。该有机互补反相器在同一基板上由N型和P型两个互补晶体管组成，P型晶体管是由一n型材料和一p型材料的异质结构成，N型晶体管由n型材料构成，两个晶体管的n型材料共用，在制备n型有源层时不需使用掩模板。本发明简化了器件结构和制备工艺，并首次使用全有机晶体管做互补电路，电学性能参数良好并且稳定，使有机电子器件的优势尽显在互补反相器电路中。
有机互补反相器及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管互补反相器及其制备方法-CN201110440844.4在审
发明人：洪飞;张其国;谭莉;郭晓东;申剑锋 -专利权人：上海中科联和显示技术有限公司
申请日： 2011-12-23 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明涉及一种场效应晶体管互补反相器，包括：基板、N型场效应晶体管、与该N型场效应晶体管成对设置的P型场效应晶体管，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管共用一个栅电极并作为该互补反相器的输入端，该N型场效应晶体管的漏极和P型场效应晶体管的漏极连接作为该互补反相器的输出端；该基板上设有多个垂直分布的器件层，该N型场效应晶体管和P型场效应晶体管分别位于不同的器件层。采用了上述结构的互补反相器进一步降低了互补反相器的占用面积，从而可以提高集成电路的集成度。本发明还公开了一种制备场效应晶体管互补反相器的方法。
场效应晶体管互补反相器及其制备方法

[发明专利]对称型存储单元及BNN电路-CN202010860294.0有效
发明人：罗庆;陈冰;吕杭炳;刘明;路程 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种对称型存储单元及BNN电路。其中，对称型存储单元包括：第一互补结构和第二互补结构，第二互补结构，与所述第一互补结构在第一方向上对称相连；其中，所述第一互补结构包括：第一控制晶体管，用于与所述第二互补结构相连；所述第二互补结构包括：第二控制晶体管，所述第二控制晶体管的漏极与所述第一控制晶体管漏极在第一方向上对称设置同时与位线相连接；所述对称型存储单元用于存储权值1或0。通过本发明的对称型存储单元可以使得BNN电路的断点数据保持同时降低功耗，而且极大降低了存储器面积、减少延时，可以使得BNN电路实现大规模的并行推理操作。
对称存储单元 bnn 电路

[发明专利]高精度振荡电路和其方法-CN200710088273.6无效
发明人：简茂全;朱竹有;孙有民 -专利权人：台湾类比科技股份有限公司
申请日： 2007-03-22 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明的高精度振荡电路包含输出电流镜、P－N互补型电流镜、P型电流镜和N型电流镜。所述P－N互补型电流镜具有与所述输出电流镜相同的结构，但其操作电流仅为所述输出电流镜的1/k倍。所述P型电流镜连接到所述P－N互补型电流镜，其操作电流约为所述P－N互补型电流镜的m倍。所述N型电流镜的操作电流约为所述P型电流镜的n倍，其中。所述N型电流镜的一端连接到所述输出电流镜，且另一端连接到所述P型电流镜。
高精度振荡电路方法

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