专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种锌镉晶片的加工方法-CN202210841080.8在审
  • 邓波浪;李玉萍 - 安徽承禹半导体材料科技有限公司
  • 2022-07-18 - 2022-09-27 - B24B9/06
  • 本发明涉及本发明的实施例提出了锌镉晶片的加工方法,包括:步骤一、切片:将锌镉晶棒固定在切片设备上,由切片设备对锌镉晶棒进行切片;步骤、研磨:根据待加工成型的锌镉晶片的外径尺寸对锌镉切片的外径尺寸进行研磨处理;步骤三、倒角:对所得锌镉晶片的边缘进行倒角处理;步骤四、检测:对所得锌镉晶片的外径尺寸进行检测,检测结果与待加工成型的锌镉晶片的外径尺寸对比;步骤五、抛光:对待加工成型的锌镉晶片进行化学机械抛光;其中,步骤一、步骤、步骤三和步骤五均在低温环境下进行。通过本发明实施例的锌镉晶片的加工方法加工得到的锌镉晶片具有成型效果好,损坏数量少的优点。
  • 一种碲锌镉晶片加工方法
  • [发明专利]硒化合物薄膜、红外光电极管及红外光电探测器-CN202310932889.6在审
  • 林乾乾;李睿明 - 武汉大学
  • 2023-07-27 - 2023-10-24 - H01L21/203
  • 本申请涉及一种硒化合物薄膜、红外光电极管及红外光电探测器,该硒化合物薄膜用于红外光电极管,制备方法包括如下步骤:对硒单质和单质加热,以得到硒化合物晶体,并研磨成硒化合物粉末;对所述硒化合物粉末进行蒸发,以得到硒化合物薄膜半成品;对所述硒化合物薄膜半成品进行退火处理,以得到硒化合物薄膜,所述退火处理包括:将所述硒化合物薄膜半成品从室温升温到50℃~225℃并保持1~10min。本申请可以解决相关技术中硒化合物薄膜的光电探测器暗电流高,严重影响器件的光性能的问题。
  • 化合物薄膜红外光电二极管光电探测器
  • [发明专利]一种图案化减薄烯的方法-CN202210451985.4在审
  • 林沛;吴翟;陈芳芳;李娟娟;姚金荣;高乐楠;李新建 - 郑州大学
  • 2022-04-26 - 2022-08-05 - H01L21/06
  • 本发明公开了一种图案化减薄烯的方法,包括以下步骤:(1)将预先制备好的烯转移至目标衬底;(2)在目标衬底中烯表面旋涂电子束光刻胶,烘烤后利用电子束曝光方法将所述的电子束光刻胶进行图案化;(3)将所得的图案化电子束光刻胶的烯置于氧化剂溶液中浸泡,对图案化区域暴露的烯进行选择性刻蚀减薄;(4)先用有机溶剂去除烯表面的电子束光刻胶,再用去离子水冲洗,最后在一定温度下干燥冲洗干净后的烯,即得所述图案化减薄的烯。本发明的减薄方法操作简单、绿色经济,适合大面积薄膜的图案化减薄,且避免了传统图案化减薄方法中因高能粒子轰击而引起的材料表面损伤问题。
  • 一种图案化减薄二维方法
  • [发明专利]一种高纯的高效提纯方法-CN201610923138.8在审
  • 郭春雨;陈俊;陈云博;于平;于清炎;干大强 - 乐山凯亚达光电科技有限公司
  • 2016-10-29 - 2017-03-22 - C01B19/02
  • 本发明公开了一种高纯的高效提纯方法,其特征在于,该方法的步骤如下a)将工业粉加入到质量分数为40~68%的硝酸中,搅拌2~2.5h,加热至25~75℃,加热时间为20~50min,过滤,将制得的氧化放入去离子水中煮沸10~20min,过滤,制得氧化;b)在质量分数为30%~40%盐酸中加入制得的氧化,搅拌,加热至40~80℃,反应过程中加入体积浓度为10%~20%硝酸盐,当氧化完全溶解后,过滤;c)在滤液中加入质量分数为45~60%亚硫酸氢钠溶液,加热至80~85℃,过滤,洗涤,烘干,得到3N~4N的精;d)在400~700℃下,氢气气氛中,熔解制得的3N~4N的精,采用直拉提纯法得到5N~6N的高纯,解决现有的高纯提纯效果效果较差的问题
  • 一种高纯高效提纯方法
  • [发明专利]四方相化亚铜及其合成方法-CN202111510313.8有效
  • 张凯;戴永平 - 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
  • 2021-12-10 - 2022-10-25 - C30B29/48
  • 本发明公开了一种四方相化亚铜及相可控合成四方相、六方相化亚铜的方法。所述方法包括:提供铜源、粉和衬底;将所述铜源、粉和衬底置于化学气相沉积反应腔室中,并通入输运气体;在660~690℃的生长温度下,于所述衬底上生成四方相化亚铜;或在700~800℃的生长温度下,于所述衬底上生成六方相化亚铜。本发明提供的相可控合成四方相、六方相化亚铜的方法,采用化学气相沉积法通过对生长温度的调控能够调控合成物的物相,能够可控生长大尺寸的化亚铜单晶;并且该方法能够合成四方相化亚铜,该四方相结构为化亚铜的全新的原子相结构
  • 四方相碲化亚铜及其合成方法

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