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[发明专利]一种花状二硒化钼/碳纳米管复合材料及合成方法和应用-CN201810959553.8有效
发明人：李冬升;王怀冲;李丹;唐华;陈光;王威;程晓农 -专利权人：江苏大学
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料开发设计与应用领域，公开了一种花状二硒化钼/碳纳米管复合材料及其合成方法和应用。本发明所涉及的花状二硒化钼/碳纳米管复合材料中，花状二硒化钼与碳纳米管的质量比为1:0.025‑1。所述的碳纳米管均匀地附着在花状二硒化钼上。其制备方法为：本发明将含有碳纳米管加入到待合成的二硒化钼溶液中，在180‑240℃进行水热反应。之后进行离心清洗，真空环境下干燥，花状二硒化钼/碳纳米管复合材料。本发明方法简易，重复性好，具有良好的应用前景。
种花状二硒化钼纳米复合材料合成方法应用

[发明专利]一种单层二硒化钒二维材料的制备方法-CN201710665732.6有效
发明人：王业亮;刘中流;武旭;邵岩;高鸿钧 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2017-08-07 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： C01B32/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种单层二硒化钒二维材料的制备方法，包括如下步骤：1)将石墨基底进行机械剥离，将剥离后的石墨基底在真空环境下进行预处理，得到表面干净平整的石墨基底；2)将预处理后的石墨基底加热至250‑300℃，然后将硒原子和钒原子蒸发沉积到加热的石墨基底上，沉积反应30‑60min，反应结束后将石墨基底保温5‑10min，得到单层二硒化钒二维材料。本发明通过外延法在石墨基底上生长单层二硒化钒二维材料，由于石墨与二硒化钒仅通靠范德瓦尔斯力相互吸附，不会影响单层二硒化钒的电学性质，不仅有利于单层二硒化钒性质的研究，而且在未来信息电子学特别是自旋电子器件开发研究方面具有广发的应用潜力
一种单层二硒化钒二维材料制备方法

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310386247.7无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，封装盖将发光层及阴极封装于阳极上，所述封装盖包括碳氮化硅层及形成于所述碳氮化硅层表面的阻挡层；所述阻挡层的材料包括硅化物及金属氧化物，所述硅化物选自硅化铬、二硅化钽、硅化铪、二硅化钛、二硅化钼及二硅化钨中的至少一种，所述金属氧化物选自氧化镁，三氧化二铝、二氧化钛、氧化锆、二氧化铪及五氧化二钽中的至少一种。
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法-CN202110442127.9有效
发明人：李煜;晏雨发;郑博方;曾海飞 -专利权人：深圳大学
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用硒化亚锡纳米晶进行表面修饰的硒化铟光电探测器及其制备方法，其中，硒化铟光电探测器包括基底、设置在所述基底上的n型硒化铟膜层、设置在所述n型硒化铟膜层上的p型硒化亚锡纳米晶，以及设置在所述基底上且与所述n型硒化铟膜层两端分别连接的第一电极和第二电极。本发明通过在不改变硒化铟膜层的微观结构前提下，在其表面修饰p型硒化亚锡纳米晶构成局域的异质结，在光照下，异质结可使所述n型硒化铟膜层与p型硒化亚锡纳米晶的界面处产生大量的电子与空穴，而光生电子空穴会在硒化亚锡纳米晶与硒化铟膜层构成的异质结处迅速分离
一种利用硒化亚锡纳米进行表面修饰硒化铟光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种硒化霍山石斛培养物的生产方法-CN201210366731.9有效
发明人：杨思林 -专利权人：安徽省华信生物药业股份有限公司
申请日： 2012-09-28 - 公布日： 2012-12-26 - 主分类号： A01H4/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化霍山石斛培养物及其生产方法。该方法包括诱导获取霍山石斛无菌实生苗，黑暗协同低盐培养基选育获取耐硒霍山石斛愈伤组织，蓝光辅助低盐培养基驯化硒化霍山石斛愈伤组织，日光灯光照生产硒化霍山石斛培养物；按本发明所描述的方法生产的硒化霍山石斛培养物的干燥成品中有机硒质量分数不低于50µg/g，本发明提供的方法可实现低成本、标准化、规模化生产无激素、无农药残留的高品质霍山石斛替代物，硒化霍山石斛培养物产品具有霍山石斛与有机硒的活性品质，可在医药、保健品中应用。
一种霍山石斛培养生产方法

[发明专利]一种氧化铪介电薄膜的低温液相制备方法-CN201610821754.2在审
发明人：夏国栋;王素梅 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于新材料及半导体领域，特别涉及一种氧化铪介电薄膜的低温液相制备方法。包括如下步骤称取可溶性的铪盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的氧化铪前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的氧化铪前驱体溶液；制备氧化铪薄膜将氧化铪前驱体溶液涂覆到清洗好的衬底上形成氧化铪前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据氧化铪薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体氧化铪溶液并退火处理，即得到氧化铪介电薄膜。本发明所得氧化铪薄膜介电性能高，在晶体管、电容器等微电子领域有重要应用前景。通过本发明的工艺可以避免通常的高温溶液工艺、工艺周期长或昂贵设备等，成本低，适合工业化大规模生产。
一种氧化铪介电薄膜低温制备方法

[发明专利]一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列及制备方法-CN201910414307.9在审
发明人：王建禄;蒋伟;王旭东;孙正宗;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列及制备方法，该方法首先利用离子束溅射，结合金属掩模版在有氧化层的硅衬底上镀一层图案化的超薄铂金属层；然后将金属铂层置于高温管式炉中硒化，生成图案化的二硒化铂；随后利用光刻技术，结合剥离工艺在图案化的二硒化铂上制备金属源极和漏极，形成基于二硒化铂半导体的场效应晶体管阵列，其中单个场效应管可随二硒化铂半导体薄膜的厚度不同表现为P型或双极性的输出特性。本方法可用于研制基于大面积二维半导体薄膜的大规模集成器件，工艺简单，受环境影响小，可有效提高器件电学性能及可靠性，为二维材料器件的功能化应用提供了有效途径。
硒化场效应管图案化制备半导体场效应晶体管阵列半导体薄膜大规模集成二维半导体高温管式炉功能化应用金属掩模版离子束溅射剥离工艺铂金属层电学性能二维材料光刻技术环境影响金属铂层金属源极输出特性有效途径硅衬底双极性氧化层可用漏极薄膜表现

[实用新型]一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列-CN201920711969.8有效
发明人：王建禄;蒋伟;王旭东;孙正宗;沈宏;林铁;孟祥建;褚君浩 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2019-05-17 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本专利公开了一种基于二硒化铂半导体的场效应管阵列，该方法首先利用离子束溅射，结合金属掩模版在有氧化层的硅衬底上镀一层图案化的超薄铂金属层；然后将金属铂层置于高温管式炉中硒化，生成图案化的二硒化铂；随后利用光刻技术，结合剥离工艺在图案化的二硒化铂上制备金属源极和漏极，形成基于二硒化铂半导体的场效应晶体管阵列，其中单个场效应管可随二硒化铂半导体薄膜的厚度不同表现为P型或双极性的输出特性。本方法可用于研制基于大面积二维半导体薄膜的大规模集成器件，工艺简单，受环境影响小，可有效提高器件电学性能及可靠性，为二维材料器件的功能化应用提供了有效途径。
硒化图案化场效应管半导体场效应晶体管阵列半导体薄膜大规模集成二维半导体高温管式炉功能化应用金属掩模版离子束溅射剥离工艺铂金属层电学性能二维材料光刻技术环境影响金属铂层金属源极输出特性有效途径硅衬底双极性氧化层可用漏极制备薄膜表现

[发明专利]一种可切换正负极的硅基肖特基二极管及其制备方法-CN202211658812.6在审
发明人：李涵;刘绪佳;何小月;解玖远;赵国程;陶蕾 -专利权人：广州大学
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及二维半导体纳米材料技术领域，且公开了一种可切换正负极的硅基肖特基二极管，包括少层六方氮化硼、γ‑硒化铟纳米片、少层石墨烯、金电极层、钛黏附层、二氧化硅绝缘层和硅基衬底，二氧化硅绝缘层设置在硅基衬底上，二氧化硅绝缘层上设置有钛黏附层，钛黏附层外表面设置有金电极层，所述γ‑硒化铟纳米片的一端置于金电极层上，另一端置于二氧化硅绝缘层表面，少层石墨烯一端置于γ‑硒化铟纳米片上，另一端置于金电极层上，少层六方氮化硼将γ‑硒化铟纳米片与少层石墨烯上方覆盖。
一种切换负极硅基肖特基二极管及其制备方法

[发明专利]一种准二维硒纳米片及制备方法-CN202210752219.1在审
发明人：李惠;严亚飞 -专利权人：安徽大学
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种准二维硒纳米片及制备方法，制备原料包括：亚硒酸钠、油酸和十六烷基三甲基溴化铵；按重量比计，亚硒酸钠：油酸：十六烷基三甲基溴化铵＝(1‑6)：(138‑190)：(2‑8)。所述油酸用于还原所述亚硒酸钠，所述十六烷基三甲基溴化铵为表面辅助剂。本发明首次通过油酸还原亚硒酸钠，以十六烷基三甲基溴化铵为表面辅助剂，采用水热/溶剂热工艺制备出了大尺寸的准二维硒纳米片，该硒纳米片中，硒元素分布均匀、不含杂质。
一种二维纳米制备方法

[发明专利]一种面向人体健康监测的柔性应变传感器及其制备方法-CN202211039782.0在审
发明人：李春;张锐;兰长勇;刘力文;林杰;杨卓俊 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01B7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向人体健康监测的柔性应变传感器及其制备方法，所述面向人体健康监测的柔性应变传感器包括柔性衬底、位于衬底上的二硒化钯(PdSe2)薄膜、金属电极及聚合物封装钝化膜所述制备方法具体步骤为：在柔性衬底上直接生长一层二硒化钯薄膜，二硒化钯通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)硒化制备而成，在二硒化钯薄膜上镀金属电极，再使用聚合物膜封装。本发明的优点是二硒化钯材料低温合成兼容柔性基底，工艺简洁，易于集成，便于大规模生产高灵敏面向人体健康监测的柔性应变传感器。
一种面向人体健康监测柔性应变传感器及其制备方法

[发明专利]一种硒化锡基热电材料及其制备方法-CN201911279764.8在审
发明人：廖磊;黄维刚;秦霸;蔡芳共;张勤勇 -专利权人：四川大学
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种硒化锡基热电材料及其制备方法，硒化锡基热电材料包括以下组分：二氧化硒、抗坏血酸、氯化亚锡、酒石酸或柠檬酸；二氧化硒、抗坏血酸、氯化亚锡、酒石酸或柠檬酸摩尔比为1:1～5:1～3:8～10本发明还提供了硒化锡基热电材料的制备方法。本发明采用水热法制备硒化锡基热电材料，制备过程简单易重复，不使用有毒物质，有效解决了制备时间长、成本较高和污染环境的问题，制得纯度较高的硒化锡基热电材料。
一种硒化锡基热电材料及其制备方法

[发明专利]一种硫化铜/二硒化钼电催化剂-CN202011295148.4在审
发明人：李贝格 -专利权人：杭州靖舒新材料有限公司
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明公开了一种硫化铜/二硒化钼电催化剂，首先采用光还原技术制备出一种片状二硒化钼，然后采用微波技术和氢还原煅烧处理，将硫化铜负载到二硒化钼表面，最终制得出一种硫化铜/二硒化钼电催化剂，该电催化剂具有优异的电析氢性能以及化学循环稳定性
一种硫化铜二硒化钼电催化剂

[发明专利]一种制备海绵铪的还原炉-CN201910361648.4在审
发明人：成瑞清;丁锦明 -专利权人：南通晶朋新材料科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备海绵铪的还原炉，包括四氯化铪升华炉、镁锭熔融炉和连通管，连通管连通四氯化铪升华炉和镁锭熔融炉；镁锭熔融炉设有可升降加料管和温度控制系统，镁锭熔融炉包括炉体和炉盖；可升降加料管设置于炉盖，且位于镁锭熔融炉内；连通管通过可升降加料管连通镁锭熔融炉，可升降加料管的出口能够在镁锭熔融炉内上下移动；温度控制系统能够控制镁锭熔融炉内的温度小于预设温度。由此，能够提高还原效率，且能够防止生成低价铪黑粉，提高产品回收率；防止海绵铪产品的致密度过高的问题，方便海绵铪后期破碎，提高成品率。
熔融炉镁锭海绵铪加料管可升降连通管温度控制系统四氯化铪还原炉升华炉炉盖制备连通致密产品回收率还原效率上下移动成品率黑粉炉体预设破碎申请出口

[实用新型]一种制备海绵铪的还原炉-CN201920621002.0有效
发明人：成瑞清;丁锦明 -专利权人：南通晶朋新材料科技有限公司
申请日： 2019-04-30 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C22B34/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种制备海绵铪的还原炉，包括四氯化铪升华炉、镁锭熔融炉和连通管，连通管连通四氯化铪升华炉和镁锭熔融炉；镁锭熔融炉设有可升降加料管和温度控制系统，镁锭熔融炉包括炉体和炉盖；可升降加料管设置于炉盖，且位于镁锭熔融炉内；连通管通过可升降加料管连通镁锭熔融炉，可升降加料管的出口能够在镁锭熔融炉内上下移动；温度控制系统能够控制镁锭熔融炉内的温度小于预设温度。由此，能够提高还原效率，且能够防止生成低价铪黑粉，提高产品回收率；防止海绵铪产品的致密度过高的问题，方便海绵铪后期破碎，提高成品率。
熔融炉镁锭加料管可升降海绵铪连通管温度控制系统四氯化铪升华炉炉盖连通致密产品回收率还原效率上下移动成品率还原炉黑粉炉体预设制备破碎申请出口