“二硒化铪可”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13996091个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]基于二硒化铪可饱和吸收体的Z型锁模激光器-CN202022399638.0有效
发明人：常建华;张晓颖;陈思成;刘海洋;刘卓瑶 -专利权人：南京信息工程大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01S3/098 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于二硒化铪可饱和吸收体的Z型锁模激光器，属于脉冲激光技术领域，包括半导体激光器、耦合透镜组、Er3+:KGW晶体、平凹镜、反射镜、二硒化铪可饱和吸收体经过耦合透镜组入射到Er3+:KGW晶体中，经过Er3+:KGW晶体的1550nm激光由平凹镜反射到达反射镜，然后被反射至二硒化铪可饱和吸收体，经过二硒化铪可饱和吸收体后到达输出镜输出1550nm波段的锁模脉冲激光。由于可饱和吸收体二硒化铪的可饱和吸收特性，该激光器可以获得持续稳定的脉冲激光输出，实现纳秒级的脉冲输出。
基于二硒化铪可饱和吸收体型锁模激光器

[发明专利]N型二硒化钨负电容场效应晶体管及其制备方法-CN202111456128.5有效
发明人：张增星;董建国 -专利权人：上海集成电路制造创新中心有限公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种N型二硒化钨负电容场效应晶体管的制备方法，包括在所述栅电极层上沉积厚度为19~21nm的氧化铪锆铁电薄膜，在所述氧化铪锆铁电薄膜上沉积厚度为1~3nm的氧化铝电容匹配层，控制氧化铪锆铁电薄膜和氧化铝电容匹配层的厚度，提高了铁电负电容性能，对所述氧化铪锆铁电薄膜和所述氧化铝电容匹配层进行热处理，以提高铁电性，将所述二硒化钨半导体转移至所述氧化铝电容匹配层上，在所述二硒化钨半导体上形成金属铟源电极和金属铟漏电极，通过匹配二硒化钨半导体和金属铟的功参数，提高了N型接触性能，进而降低了N型二硒化钨负电容场效应晶体管的亚阈值摆幅。本发明还提供了一种N型二硒化钨负电容场效应晶体管。
型二硒化钨负电容场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]纳米花结构的钛掺杂二硒化铪及其制备方法-CN202310849616.5在审
发明人：安博星;肖永厚;李玉善;刘旭;梁正奇 -专利权人：大连理工大学盘锦产业技术研究院
申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米花结构的钛掺杂二硒化铪及其制备方法，该方法工艺简单，重复性好，极大的缩短了反应时间，节约了能源，适合大规模生产。此外，本发明所生长的纳米花结构，在每个片层表面生长出其它片层，使钛掺杂二硒化铪具有较大的比表面积，可以提供更多的吸附位点，有利于二氧化碳、二氧化硫等气体的吸附，应用于气体传感、环境监测等领域可提高吸附效率和缩短响应时间
纳米结构掺杂二硒化铪及其制备方法

[发明专利]一种基于α-硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器的构筑方法-CN202210042071.2有效
发明人：张跃;汤文辉;张铮;于慧慧;高丽;张先坤;洪孟羽;曾浩然;卫孝福 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于α‑硒化铟纳米片的二维范德华铁电隧穿结存储器及其构筑方法和应用，涉及半导体材料与器件技术领域。该存储器包括金属电极、少层六方氮化硼或氧化铪、α‑硒化铟纳米片、少层石墨烯及目标衬底；少层石墨烯完全覆盖目标衬底表面，α‑硒化铟纳米片部分覆盖少层石墨烯表面，少层六方氮化硼或氧化铪完全覆盖α‑硒化铟纳米片表面；金属电极为两个，分别沉积于少层六方氮化硼或氧化铪表面和少层石墨烯表面。本发明发挥二维铁电材料优势，通过简单、普适性强的方法构筑得到稳定性良好，能实现高阻值转变的存储器，对非易失性存储器领域具有重要意义。
一种基于硒化铟纳米二维范德华铁电隧穿结存构筑方法

[发明专利]一种基于透明电极的α-硒化铟二维光电探测器-CN202010760691.0在审
发明人：牛刚;孙延笑;赵金燕;史鹏;任巍 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于透明电极的α‑硒化铟二维光电探测器，包括自上到下依次分布的α‑硒化铟二维铁电半导体层、二氧化铪电介质层及掺杂硅衬底，其中，α‑硒化铟二维铁电半导体层上设置有透明电极，该探测器的尺寸小
一种基于透明电极硒化铟二维光电探测器

[发明专利]镍掺杂改性硫硒化铪传感器检测甲醛和氯乙烯的评估方法-CN202210585747.2在审
发明人：赵琦;李松原;满玉岩;李苏雅;李琳;李楠;宁琦 -专利权人：国网天津市电力公司电力科学研究院;国网天津市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： G16C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及镍掺杂改性硫硒化铪传感器检测甲醛和氯乙烯的评估方法，通过优化甲醛和氯乙烯的分子；确定稳定的掺杂结构，计算稳定的镍掺杂结构的电荷转移值；计算稳定的掺杂结构对甲醛和氯乙烯的吸附能；绘制稳定的掺杂结构吸附甲醛和氯乙烯后的能带结构图、原子态密度图和功函数图；计算稳定的掺杂结构吸附甲醛和氯乙烯时的传感响应和恢复性能，评估镍掺杂改性硫硒化铪传感器检测甲醛和氯乙烯的效果。本发明能够准确、有效的对镍掺杂改性硫硒化铪传感器检测甲醛和氯乙烯的能力和响应特性进行仿真，从而有利于对镍掺杂改性硫硒化铪传感器的特性进行准确把握，便于后续对甲醛和氯乙烯进行监测时，准确表征干式电抗器的热动态特性
掺杂改性硫硒化铪传感器检测甲醛氯乙烯评估方法

[发明专利]一种硒化铟晶体管及其制造方法-CN201811087125.7有效
发明人：韩琳;姜建峰;张宇 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒化铟晶体管及其制造方法，该晶体管中将高k的氧化铪与硒化铟夹在双层的聚合物PMMA中，使得沟道的界面情况得到极大的改善，使得硒化铟晶体管可以实现高场效应电子迁移率和极小的滞后，极大提高了器件性能
一种硒化铟晶体管及其制造方法

[实用新型]一种硒化铟晶体管-CN201821530441.2有效
发明人：韩琳;姜建峰;张宇 -专利权人：山东大学
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硒化铟晶体管，该晶体管中将高k的氧化铪与硒化铟夹在双层的聚合物PMMA中，使得沟道的界面情况得到极大的改善，使得硒化铟晶体管可以实现高场效应电子迁移率和极小的滞后，极大提高了器件性能
硒化铟晶体管本实用新型电子迁移率器件性能聚合物氧化铪高场沟道滞后

[发明专利]一种基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器-CN202010760672.8在审
发明人：牛刚;孙延笑;赵金燕;史鹏;任巍 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： H01L31/101 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于铁电半导体和薄层二维材料的光电探测器，包括掺杂硅衬底、电介质层、二维材料薄膜层、α‑硒化铟二维铁电半导体层及两个金属电极，其中，掺杂硅衬底、电介质层、二维材料薄膜层及α‑硒化铟二维铁电半导体层自下到上依次分布，一个金属电极位于α‑硒化铟二维铁电半导体层上，另一个金属电极位于二氧化铪电介质层上，该探测器能够扩展响应光谱带宽，提高响应度。
一种基于半导体薄层二维材料光电探测器

[发明专利]一种耐高温的玻璃纤维拉丝用漏板-CN202110929070.5在审
发明人：史可心;史立;史学快 -专利权人：韶关豪立再生资源利用有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温的玻璃纤维拉丝用漏板，按照重量份计算，由以下成分制备得到：二硅化钽粉末68～85份、氮化铪粉末22～36份、硅化铼粉末15～21份、三氧化二钪粉末8～14份和改性二硒化钛粉末3～6
一种耐高温玻璃纤维拉丝用漏板

[发明专利]一种超导体-绝缘体-金属异质二维晶态薄膜材料及其制备方法-CN201510779021.2有效
发明人：王业亮 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超导体‑绝缘体‑金属异质薄膜材料为层状结构，包括金属铪基底层、五碲化铪膜结构层和三碲化铪膜结构层，该层状结构在二维平面内扩展。制备方法：在真空环境下，将适量高纯度碲蒸发沉积到过渡金属铪基底表面；进行退火处理，以使沉积的碲原子和所述基底上的金属铪原子相互作用形成五碲化铪二维有序晶态膜状结构；进一步退火处理，使形成的所述五碲化铪二维有序晶态膜状结构的表面再次发生结构变化形成三碲化铪，最终形成三碲化铪‑五碲化铪‑金属铪二维叠层结构，得到超导体‑绝缘体‑金属异质薄膜材料。
碲化超导体绝缘体二维金属异质金属铪薄膜材料层状结构退火处理异质结构结构层晶态膜制备铪膜薄膜缺陷叠层结构二维平面过渡金属结构变化晶态薄膜真空环境蒸发沉积制备工艺高纯度基底层碲原子基底铪基薄膜沉积污染

[实用新型]一种硼化铪粉末的研磨装置-CN201821127385.8有效
发明人：武汉璟;邬元旭 -专利权人：中核晶环锆业有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： B02C2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硼化铪粉末的研磨装置，包括支撑架、研磨筒及研磨机构，硼化铪由进料筒进入研磨腔后，研磨盘在电动机的驱动下在研磨腔内转动，螺旋状的第一凸条带动硼化铪往下压，硼化铪在往下压的同时，研磨盘对硼化铪进行研磨，经过初步研磨的硼化铪落入第二研磨部，第二凸条带动硼化铪在第二研磨部内转动并进行研磨，直至研磨至小颗粒并从多个第二凸条之间的缝隙处落入缓冲腔及出料斗最后进行粉末收集，本实用新型在对硼化铪进行研磨时，可以一边研磨一边收集研磨达到要求的粉末，研磨不充分的硼化铪由于颗粒太大无法下料，需要在研磨腔内继续研磨，直至完全研磨充分并全部排料，有效的避免硼化铪研磨不充分的情况出现。
研磨硼化铪研磨腔凸条本实用新型研磨装置研磨部研磨盘下压转动粉末收集研磨机构电动机出料斗缝隙处缓冲腔进料筒螺旋状小颗粒研磨筒支撑架排料下料驱动

[发明专利]一种二硅化铪的生产工艺-CN202010719585.8有效
发明人：张洪涛 -专利权人：辽宁中色新材科技有限公司
申请日： 2020-07-23 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： C01B33/06 文献下载
摘要：一种二硅化铪的生产工艺，将二氧化铪粉和硅粉真空条件下球磨混料，用液压机压块后，放入真空烧结炉中进行烧结，精整，去除包覆铪表面的白色二氧化硅粉体，然后放入真空球磨机中球磨制粉，投入氢氧化钠加入60℃蒸馏水清，烘干，得到含硅铪粉；检测含硅铪粉中硅含量，并根据铪粉中硅含量投入硅粉，在真空球磨机中在惰性氩气保护下球磨5小时，放入真空自蔓燃炉中，抽真空，加热点火电极，引燃铪粉，铪粉和硅粉自蔓延化合反应，获得二硅化铪以二氧化铪粉为原料，原料成本相对于海绵铪成本低廉；硅粉为还原剂，不引入其它杂质，该方法整个过程工艺合理，适合工业化生产，获得的二硅化铪产品纯度高，合金化程度可以达到100％。
一种二硅化铪生产工艺

[发明专利]一种二硅化钼包覆硼化钽-碳化铪球形粉体及其制备方法-CN202110664756.6有效
发明人：柳彦博;马壮;刘玲;高丽红;朱时珍;委思豪 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明涉及复合粉体材料技术领域，提供了一种二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体及其制备方法。本发明通过球磨和喷雾干燥造粒制备硼化钽‑碳化铪团聚粉体，然后将团聚粉体进行感应等离子球化处理，实现粉体的烧结致密化，之后在所得硼化钽‑碳化铪球形粉体表面包覆一层二硅化钼包覆层，得到核壳结构的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体。本发明制备的二硅化钼包覆硼化钽‑碳化铪球形粉体致密度以及内聚力高，球形度高，流动性好，满足等离子喷涂对于粉体的要求，且二硅化钼的熔点低于硼化钽，在等离子喷涂过程中，可以熔化的更加充分，提高涂层的致密性，二硅化钼包覆层还可以抑制等离子喷涂过程中碳化铪的挥发，降低碳化铪的损失。
一种二硅化钼包覆硼化钽碳化球形及其制备方法

[发明专利]一种二硼化铪-二硅化钽复合粉体及其制备方法-CN202111315077.4有效
发明人：柳彦博;谢明劭;刘少璞;王一帆 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C04B35/58 文献下载
摘要：本发明提供了一种二硼化铪‑二硅化钽复合粉体及其制备方法，属于复合粉体材料技术领域。本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体为熔融共晶态，成分包括二硼化铪与二硅化钽，所述二硼化铪与二硅化钽的质量比为2～11:1。本发明使用二硅化钽作为二硼化铪的改性成分，一方面，二硅化钽的高温氧化产物SiO2能够作为很好高温封填相，对二硼化铪涂层的孔洞缺陷进行封填；另一方面，二硅化钽的另一高温氧化产物因此，本发明提供的二硼化铪‑二硅化钽复合粉体具有良好的高温抗氧化烧蚀特性。
一种二硼化铪二硅化钽复合及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条