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[发明专利]一种低温用纳米二氧化硅气凝胶毡及其制备方法-CN201610410060.X有效
发明人：徐斌;刘汉东;钊文科;柏莹莹;任斌 -专利权人：江苏德威节能有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温用纳米二氧化硅气凝胶毡及其制备方法，包括纳米二氧化硅气凝胶毡本体、保护层和增强层，所述的保护层设在纳米二氧化硅气凝胶毡本体的四周，所述的增强层设在纳米二氧化硅气凝胶毡本体的表面，且位于纳米二氧化硅气凝胶毡本体和保护层之间，所述的保护层为硅橡胶或EVA的耐低温且具有较好延展性和柔韧性的高分子材料，所述的增强层为璃纤维材料或者芳伦布材料构成。通过在疏水纳米二氧化硅气凝胶毡本体的表面预加增强层并与气凝胶毡预增强，然后通过辊涂等方法施加硅橡胶等的保护层，通过烘干后，可以形成耐低温、柔软且透气性较差的保护层，避免水分进入气凝胶内部，保证纳米二氧化硅气凝胶毡在低温下导热性能的稳定
纳米二氧化硅气凝胶保护层增强层硅橡胶耐低温气凝胶制备延展性高分子材料导热性能纤维材料柔韧性芳伦布透气性辊涂烘干疏水毡预柔软施加保证

[实用新型]一种采用多孔结构的二氧化硅的过滤网-CN201820443678.0有效
发明人：程启进;黄海 -专利权人：中山市上品环境净化技术有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： B01D46/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种采用多孔结构的二氧化硅的过滤网，包括呈层状结构的支撑层、二氧化硅层及保护层，二氧化硅层位于支撑层及保护层之间，所述二氧化硅层主体为多孔二氧化硅。本实用新型中的二氧化硅层利用多孔二氧化硅吸附用于除甲醛及有害气体物质的载体，可以除去甲醛及其他有害气体，可完全替代活性炭为载体的滤芯，本实用新型制造环节污染少、工序少、生产成本低，可进行回收利用。
二氧化硅层本实用新型多孔二氧化硅多孔结构二氧化硅保护层过滤网支撑层生产成本低活性炭层状结构回收利用气体物质除甲醛滤芯吸附甲醛替代污染环节制造

[发明专利]一种压阻式压力传感器及其制造方法-CN201810774675.X在审
发明人：詹望 -专利权人：河南汇纳科技有限公司
申请日： 2018-07-13 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种压阻式压力传感器，包括二氧化硅埋层以及二氧化硅保护层，二氧化硅埋层与二氧化硅保护层之间通过埋氧化层封装有压敏电阻，压敏电阻通过具有空气间隙的TSV连接在二氧化硅保护层上；TSV包括左硅基层以及右硅基层，左硅基层与右硅基层的两端均设置有二氧化硅封层，左硅基层与右硅基层之间设置有铜柱，铜柱与左硅基层以及右硅基层之间具有空气间隙层；压阻式压力传感器的制造方法，具体步骤是：将左硅基层填充在2个二氧化硅封层之间，将右硅基层填充在2个二氧化硅封层之间，然后将铜柱热压键合在二氧化硅封层上，最后将第一铝封层以及第二铝封层热压在二氧化硅封层上；本发明具有有效降低应力、使用寿命长、检测结果准确的优点。
硅基层封层二氧化硅压阻式压力传感器二氧化硅保护层铜柱二氧化硅埋层压敏电阻填充空气间隙层检测结果空气间隙埋氧化层热压键合使用寿命热压制造

[发明专利]基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法-CN201710211254.1在审
发明人：雷双瑛;沈海云 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L47/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于黑磷/二硫化铼异质结的负微分电阻及制备方法，包括硅衬底、第一二氧化硅保护层、黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结、第二二氧化硅保护层、漏极和源极；硅衬底为栅极。硅衬底上生长第一二氧化硅保护层；在第一二氧化硅保护层上沉积得到黑磷薄层和二硫化铼薄层构成的异质结；在异质结上沉积第二二氧化硅保护层；在第二二氧化硅保护层表面蒸镀一层金属层，刻蚀出漏极和源极。
基于黑磷硫化铼异质结微分电阻制备方法

[发明专利]一种强耐候性的二氧化硅气凝胶毡及其制备方法-CN201610410115.7在审
发明人：徐斌;刘汉东;钊文科;柏莹莹;任斌 -专利权人：江苏德威节能有限公司
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种强耐候性的二氧化硅气凝胶毡及其制备方法，包括纳米二氧化硅气凝胶毡本体、预增强层、粘结层和保护层，所述的粘结层设在纳米二氧化硅气凝胶毡本体的表面，所述的保护层设粘结层的上方，所述的预增强层位于纳米二氧化硅气凝胶毡本体和粘结层之间通过在疏水纳米二氧化硅气凝胶毡表面预加增强层并与二氧化硅气凝胶毡预增强，然后施加热熔胶膜，再在热熔胶膜上敷设铝箔等保护层，避免了二氧化硅气凝胶毡与空气、水分等的接触，减缓了表面凝胶的粉化速度，同时，由于预增强层的存在，粘结层与气凝胶毡结合的强度和稳定性大大增强，配合不同的保护层，可以满足与不同材料结合的稳定性和持久性。
一种强耐候性二氧化硅凝胶及其制备方法

[实用新型]一种高硬度眼镜片-CN202122168444.4有效
发明人：汤浩宇;赵留琴 -专利权人：江苏天润光学镜片有限公司
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G02C7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高硬度眼镜片，包括基片，所述基片侧面设有第一保护层，所述基片顶面设有减反射层，所述减反射层在远离基片的一面设有二氧化硅膜，所述二氧化硅膜在远离减反射层的一面设有第二保护层，所述第二保护层在远离二氧化硅膜的一面设有抗油污层，通过设置第一保护层可以实现在眼镜片进行安装时可以通过第一保护层对基片、减反射层和二氧化硅膜进行保护防止破裂。
一种硬度眼镜片

[实用新型]一种单纤光纤接头-CN201620212295.3有效
发明人：宋海峰 -专利权人：杰讯光电（福建）有限公司
申请日： 2016-03-20 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： G02B6/38 文献下载
摘要：一种单纤光纤接头，包括有接头主体，于接头主体的两端设置有保护层；保护层包括有二氧化硅膜以及镀于二氧化硅膜表面的五氧化二钽膜；于保护层的外侧面上镀有增强二氧化硅膜层。本实用新型提供的单光纤接头在现有结构的基础上，在其两端设置了保护层，保护层由二氧化硅膜以及五氧化二钽膜构成，其中：二氧化硅膜具有较高的硬度，在保证接头透过率的前提下二氧化硅膜能够对接头主体的端面进行保护；五氧化二钽膜的主要功能是用于增加对光线的折射率，保证本实用新型在设置有保护层的基础上仍满足接头的透过率要求以及折射要求。
一种光纤接头

[发明专利]一种疏水性铝合金复合材料-CN201811549297.1有效
发明人：何录菊;马李;盘茂森;葛雅莉 -专利权人：广东石油化工学院
申请日： 2018-12-18 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种疏水性铝合金复合材料，包括为铝合金基底层，铝合金基底层上涂覆有环氧树脂保护层，环氧树脂保护层上依次沉积有第一二硫化钼层、第一二氧化硅层、第二二硫化钼层、第二二氧化硅层、第三二硫化钼层和第三二氧化硅层，第一二硫化钼层、第一二氧化硅层、第二二硫化钼层、第二二氧化硅层、第三二硫化钼层、第三二氧化硅层依次沉积叠加在在环氧树脂保护层上，第一二氧化硅层、第二二氧化硅层、第三二氧化硅层的粒径依次梯度递增。
一种疏水铝合金复合材料

[实用新型]抗菌膜体构造-CN202120281399.0有效
发明人：李锦旺;周宗平;王一峰 -专利权人：煜炀烯（厦门）新材料科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B32B27/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗菌膜体构造，包括一底层、一结合力改性面、一二氧化硅基层、一有机亲水抗菌层、一二氧化硅保护层、一抗指纹AF/AS层，该有机亲水抗菌层设在该二氧化硅基层上；该二氧化硅保护层设在该有机亲水抗菌层上
抗菌构造

[发明专利]多次外延生长方法-CN201110457595.X有效
发明人：吴琼;乔春羽;王刚宁;周立超;叶逸舟 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-31 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明涉及一种多次外延生长方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底；在衬底上沉积一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面的边缘区域上涂覆一圈光刻胶，由所述光刻胶围成第一窗口；刻蚀第一窗口内的二氧化硅层，暴露出衬底表面，在二氧化硅层中形成第二窗口；去除光刻胶；在第二窗口内的衬底上依次进行多次外延生长。本发明采用二氧化硅作为半导体衬底轮廓倒角处的保护层，利用选择性外延不在二氧化硅上生长特性，从而在每次外延生长中不需要重新制作保护层，简化工艺，同时衬底轮廓倒角的保护层的形成仅采用光刻胶涂覆边缘区域，刻蚀形成衬底轮廓倒角的保护层
多次外延生长方法

[发明专利]一种LED芯片保护层的制备方法以及一种LED芯片-CN201610311188.0有效
发明人：杨乐;徐平;李玉云;李胤强 -专利权人：湘能华磊光电股份有限公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种LED芯片保护层的制备方法以及一种LED芯片，该保护层的制备方法为将已经完成台面刻蚀、透明导电层制备和PN电极蒸镀的LED芯片放入PECVD沉积腔中在其表面上进行n步沉积二氧化硅薄膜，所述n步沉积得到的相应薄膜形成二氧化硅保护层，各步沉积的薄膜的厚度相等，2≤n≤4。本发明在LED芯片的外表面上分多步进行沉积二氧化硅薄膜，在重复沉积二氧化硅薄膜的步骤中通过适当增大SiH4流量和射频功率来提高二氧化硅保护层的致密性，增加LED芯片抵抗外界机械划伤和酸碱的腐蚀；同时，改善
一种 led 芯片保护层制备方法以及

[发明专利]一种IGBT栅极的制作方法-CN201510546385.6有效
发明人：文高;杨鑫著;朱利恒;肖强;蒋明明 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种IGBT栅极的制作方法，包括：在衬底上制作栅极；在所述栅极的外周部和所述衬底表面制作二氧化硅层；在所述栅极外周部的所述二氧化硅层的表面覆盖一层保护层，其中，所述栅极外周部包括所述栅极的上表面和侧面；去除不被所述保护层覆盖的所述二氧化硅层；去除所述保护层。利用上述方法，能够对栅极的上表面和侧面的二氧化硅层形成有效保护而不会产生损耗，可见，该方法能够使栅极侧墙的厚度不会有损耗，以防止栅极漏电。
一种 igbt 栅极制作方法

[发明专利]LCD端子的制造工艺及LCD端子-CN201710375341.0在审
发明人：叶福贵;万奇松;王树松;钟玮莹 -专利权人：麒麟电子（深圳）有限公司
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2018-02-09 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本发明提供了一种LCD端子的制造工艺，包括以下步骤对下ITO基板进行清洗；将二氧化硅涂液印刷于下ITO基板上；对二氧化硅涂液进行预固化；对二氧化硅涂液进行主固化，使二氧化硅涂液成为附着于下ITO基板上的二氧化硅涂层；对印有二氧化硅涂层的下ITO基板进行清洗；将聚酰亚胺保护液印刷于二氧化硅涂层上；对聚酰亚胺保护液进行主固化，使聚酰亚胺保护液成为附着于二氧化硅涂层上的聚酰亚胺保护层。由上述LCD端子的制造工艺所制得的LCD端子，其下ITO基板的ITO走线上将覆盖有二氧化硅涂层及聚酰亚胺保护层，将对ITO走线形成双重保护，有效地避免汗液对ITO走线形成腐蚀，同时避免玻璃碎或其它尖锐异物划伤
lcd 端子制造工艺

[实用新型]一种电容触摸屏-CN201320736625.5有效
发明人：黄亮;杨春云;李洪庆;彭勇;蒋蔚;陈凯;李益芳;黄海东 -专利权人：深圳力合光电传感股份有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电容触摸屏，包括金属引线和玻璃基片，在所述玻璃基片一表面或相对的两表面上还依次层叠有透明导电膜传感器层和二氧化硅膜保护层；所述金属引线设置在所述透明导电膜传感器的边缘区域，且与所述透明导电膜传感器的引脚电连接该电容触摸屏通过将二氧化硅膜保护层层叠结合在透明导电膜传感器的表面，解决了现有电容触摸屏的透明树脂保护层表面容易形成污点的问题；且二氧化硅膜保护层的强度很高，可防止传感器刮伤。此外，将二氧化硅膜保护层延伸至金属引线之上，且覆盖金属引线，当外部的温湿度变化较大时，如高温高湿环境下，基本上也不会造成二氧化硅膜保护层的损坏，因此金属引线不易被腐蚀。
一种电容触摸屏

[发明专利]一种STI结构CMP方法以及STI结构制作方法-CN201110250266.8有效
发明人：方精训;邓镭 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2011-08-29 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于氧化硅/氮化硅双内壁保护层的STI-CMP方法、以及采用所述方法制作STI结构的方法，使用具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨去除沟槽二氧化硅填充层并且停在氮化硅保护层上，接着用具有较高的氮化硅对氧化硅研磨速率比的研磨液研磨氮化硅保护层，在完全去除氮化硅保护层之后，再使用原来的具有较高的氧化硅对氮化硅的研磨速率比的研磨液研磨二氧化硅保护层，最终停留在氮化硅阻挡层之上。从而避免了传统STI制作方法中额外的去除氮化硅保护层和二氧化硅保护层的湿法刻蚀步骤，降低了工艺复杂度，并有利于提高晶圆表面的平坦度。
一种 sti 结构 cmp 方法以及制作方法

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