“中心凸块”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5537500个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]形成凸块结构的方法-CN201310199231.5有效
发明人：于宗源;陈宪伟;陈英儒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-24 - 公布日： 2017-09-22 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种形成凸块结构的方法，包括通过化学镀工艺在顶部金属层上形成金属化层；在金属化层上方形成聚合物层；在聚合物层上形成开口以暴露金属化层；以及在暴露的金属化层上方形成焊料凸块，以与顶部金属层电接触。
形成结构方法

[发明专利]形成焊接凸块的方法-CN200910055365.3有效
发明人：佟大明;梅娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-24 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成焊接凸块的方法，用于实现晶圆级芯片封装，包括下列步骤：提供半导体基底；在基底上形成铜材质的重布线焊垫；对重布线焊垫进行表面处理，去除其表面的铜氧化物；在基底和重布线焊垫上形成再钝化层，在需要形成焊接凸块的位置作开口，露出重布线焊垫；用助焊剂清洗出露的重布线焊垫；在开口内的重布线焊垫上形成焊接凸块。
形成焊接方法

[发明专利]焊料凸块制作方法-CN200910051849.0有效
发明人：李润领;童沙丹;司伟;吴俊徐;王津洲 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-05-22 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明揭露了一种焊料凸块制作方法，包括：提供一具有焊盘的半导体基底；在所述半导体基底上形成金属叠层；在所述金属叠层上形成第一光阻层，并图案化第一光阻层形成第一开口，所述第一开口位于焊盘上方相应位置并暴露出金属叠层在所述第一光阻层和金属电极表面形成第二光阻层，并图案化第二光阻层形成第二开口，所述第二开口暴露出所述金属电极；在所述第二开口中形成焊料层；去除所述第一光阻层、第二光阻层和未被金属电极覆盖的金属叠层；回流所述焊料层形成凸点本发明可形成高度和体积一致的高质量的焊料凸块，提高了半导体器件的良率。
焊料制作方法

[发明专利]形成焊接凸块的方法-CN200910049994.5有效
发明人：王重阳;梅娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明提出一种形成焊接凸块的方法，包括下列步骤：提供一基底，该基底表面形成有凸块下金属层；利用金属层蚀刻液蚀刻所述凸块下金属层；清洗干燥所述凸块下金属层；在所述凸块下金属层上形成焊接凸块。本发明通过使用金属蚀刻液进行短时间的蚀刻，能将凸块下金属层表面进行微蚀刻，从而改变表面的微观结构，使其变得更加粗糙，增加了其与干膜光阻之间的粘合力，从而不会出现渗镀现象，因而提高了芯片的性能和质量。
形成焊接方法

[发明专利]凸块制造工艺及其结构-CN201110423997.8有效
发明人：郭志明;邱奕钏;何荣华 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中的凸块制造工艺其包含提供一硅基板，该硅基板具有多个焊垫；形成一含钛金属层于该硅基板，该含钛金属层具有多个第一区及第二区；形成一光阻层于该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽；形成多个凸块底部包覆层于该含钛金属层上；形成多个铜凸块于上述开槽内；进行一加热步骤；形成多个凸块外部包覆层，以使各该凸块外部包覆层连接各该凸块底部包覆层，并完全包覆各该铜凸块以形成一凸块包裹层；形成多个接合层于各该凸块外部包覆层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的上述第二区，并使该含钛金属层的各该第一区形成为一凸块下金属层。
制造工艺及其结构

[发明专利]具有保护结构的凸块-CN201210285329.8有效
发明人：余振华;张宏宾;苏安治;吴仓聚;邱文智;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件，该半导体器件包括形成在后钝化互连(PPI)线上并且被保护结构所包围的凸块结构。该保护结构包括聚合物层和至少一个介电层。介电层可形成为在聚合物层的顶面上，聚合物层的下方，插入到凸块结构和聚合物层之间，插入到PPI线和聚合物层之间，覆盖聚合物层的外侧壁或它们的组合。本发明还涉及具有保护结构的凸块。
具有保护结构

[发明专利]凸块结构及其制造方法-CN201110178335.9有效
发明人：谢明灯;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-06-28 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸块结构包含一基体部分、一嵌入部分以及一尾端突出部分。基体部分接合于一接合地址上。嵌入部分压入基体部分的一顶面。尾端突出部分自嵌入部分延伸出。此外，亦提出此凸块结构的形成方法。
结构及其制造方法

[发明专利]凸块结构及制造工艺-CN201110134729.4有效
发明人：施政宏;郭士祯;陈文童 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块结构及制造工艺，该凸块结构，其设置于一载板上，其包含有第一高分子块体、第二高分子块体、第一沟槽、凸块下金属层及接合金属层，其中该第一高分子块体及该第二高分子块体为独立的块体，该第一高分子块体具有第一接合槽，该第二高分子块体具有第二接合槽，该凸块下金属层覆盖该第一高分子块体及该第二高分子块体，该凸块下金属层形成有第二沟槽、第三接合槽及第四接合槽，该接合金属层覆盖该凸块下金属层，且该接合金属层形成有第三沟槽
结构制造工艺

[发明专利]导电凸块的柱设计-CN201110400027.6有效
发明人：谢政杰;黄震麟;蔡柏豪;侯上勇;林俊成;郑心圃 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：当在导电柱上方形成导电凸块时，将沟槽用于引导导电材料，例如，焊料。然后，通过导电材料可以将导电柱电连接至另一接触件。本发明还提供了一种导电凸块的柱设计。
导电设计

[发明专利]凸块制造工艺及其结构-CN201110194648.3有效
发明人：谢庆堂;郭志明 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中制造工艺包括：提供一基板；形成一含铜金属层于该基板，含铜金属层具有第一区及第二区；形成一光阻层于含铜金属层；图案化光阻层；形成铜凸块且各铜凸块具有一第一顶面；形成一导接层于第一顶面，该导接层具有一第二顶面；移除光阻层；移除第二区，并使第一区形成一凸块下金属层，各凸块下金属层具有一第一外周壁，各铜凸块具有一第二外周壁，导接层具有一第三外周壁；形成一防游离层，防游离层具有一覆盖基板的第一覆盖段、一覆盖第一外周壁
制造工艺及其结构

[发明专利]斜锥状凸块结构-CN201110009625.0有效
发明人：巫志弘;何荣华;郭志明;施政宏;邱奕钏 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-01-11 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种斜锥状凸块结构，其设置于一载体上，该载体具有多个焊垫及一保护层，该保护层具有多个开口，且上述开口显露出上述焊垫，该斜锥状凸块结构包含有一导电块及一斜锥状绝缘层，该导电块设置于该载体的该焊垫，该斜锥状绝缘层包覆于该导电块的侧面，该斜锥状绝缘层具有一邻近该载体的底部及一在该底部上方的顶部，该斜锥状绝缘层的外径由该底部向该顶部逐渐缩小，当该载体压合于一基板及一设置于该基板上的异方性导电胶时，该斜锥状凸块结构可快速嵌入该异方性导电胶中以增加该异方性导电胶流动效率并可避免造成相邻的凸块短路以提高封装工艺良率
斜锥状凸块结构

[发明专利]修正凸块轮廓的方法-CN02140508.5有效
发明人：赖俊仁 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2002-07-05 - 公布日： 2004-01-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种修正凸块轮廓的方法，此方法首先提供一基底，且基底上已形成有一凸块。接着，进行一两步骤沉积制作工艺，以在凸块的侧壁形成一高分子材料层。其中，本发明于凸块侧壁形成高分子材料层的方法，可控制其由凸块侧壁的顶部向凸块侧壁的底部生长，也可控制其由凸块侧壁的底部往凸块侧壁的顶部生长。
修正轮廓方法

[发明专利]形成焊接凸块的方法-CN200610108554.9有效
发明人：黄敏龙;吴宗桦 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2006-07-21 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种形成焊接凸块的方法。首先，提供一个基底，且该基底表面形成有一个凸块下金属层。接着在该凸块下金属层表面形成一个图案化光阻层，且该图案化光阻层包含有至少一个开口，用以暴露部分该凸块下金属层。之后在该开口内的部分该凸块下金属层表面形成一个底镀层，并在该开口中填入焊料。然后进行光阻剥离步骤，以移除该图案化光阻层，并进行蚀刻制程步骤，利用该焊料当作屏蔽以蚀刻部分该底镀层与部分该凸块下金属层，接着进行回焊制程以形成该焊接凸块。
形成焊接方法

[发明专利]焊料凸块的制造方法-CN200610147806.9有效
发明人：王继明;李润领;孟津;梅娜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种焊料凸块的制造方法，包括：提供一具有引线焊块的半导体基底；在所述引线焊块上至少形成一金属层；在所述金属层上形成光刻胶层，并图形化形成开口，所述开口位于所述引线焊块上方相应位置，且所述开口底部露出所述金属层；用电镀法在所述开口中形成焊料凸块，所述电镀法中电流的平均电流密度为3至4ASD；去除所述光刻胶层和未被所述焊料凸块覆盖的金属层；对所述焊料凸块回流。本发明的制造方法能够使形成的焊料凸块个组分的分布均匀，强度较大，更有利于向电路板和其它基底粘合。
焊料制造方法

[发明专利]形成金属凸块的方法-CN200610126237.X有效
发明人：王圣民;张硕训;张国华;黄吉志;陈志澄 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2006-08-22 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明关于提供一种形成金属凸块的方法，包括以下步骤：提供一设有数个导电焊垫的基板；在该基板上形成第一光阻层，该第一光阻层覆盖在导电焊垫上；进行平坦化，以移除部分第一光阻层至暴露出导电焊垫；在第一光阻层和导电焊垫上形成导电层
形成金属方法

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top