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[发明专利]一种铅酸蓄电池曲面板栅多工位级进冲压模具-CN201310570364.9有效
发明人：张戌有;王二帅;胡勇;冉顺治;冯占生;郭强;刘卫东;刘晓辉;李洪喜;蔺庚武 -专利权人：保定金阳光能源装备科技有限公司
申请日： 2013-11-17 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： B21D37/10 文献下载
摘要：发明公开了一种铅酸蓄电池曲面板栅多工位级进冲压模具，其包括导正孔冲裁模块、平面网栅冲裁模块、压纹模块、弯曲模块及极耳孔和边料冲裁模块；弯曲模块包括上、下模架、上、下弯曲模、上、下弹性压料板和两组上、下限位块；上、下弯曲模分别置于上、下弹性压料板的上、下贯通凹槽内，并分别固定在上、下模架上，上弹性压料板下端面和下弹性压料板上端面上分别设有与曲面板栅的不需要变形的边框相匹配的压料面；上、下弯曲模的弯曲面上分布有合模后的两弯曲面之间的形状与将弯曲成的连续曲面板栅的一个冲裁单元形状相匹配的凹凸面本发明在曲面板栅制造设备中的应用，实现了连续曲面板栅的高效加工和高精度加工，以满足高活性物质填涂比和高结合强度的连续极板的生产。
一种蓄电池曲面板栅多工位级进冲压模具

[外观设计]板栅-CN201930149362.0有效
发明人：朴正烈 -专利权人：凯美德工程公司
申请日： 2019-04-04 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：板栅。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于电池板的表面处理。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：主视图。
外观设计板栅电池板图片

[外观设计]栅板-CN202130229553.5有效
发明人：高川 -专利权人：徐州锦程家具有限公司
申请日： 2021-04-21 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： 23-04 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：栅板。2.本外观设计产品的用途：设备通风板。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。5.右视图与左视图对称，省略右视图。
栅板

[外观设计]栅板-CN202130333698.X有效
发明人：徐博 -专利权人：楚天华通医药设备有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：栅板。2.本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于放置在集水槽内防止水花四溅。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
栅板

[外观设计]栅板-CN96320151.4无效
发明人：柯凰萍 -专利权人：照明隔栅制造公司
申请日： 1996-09-26 - 公布日： 1997-10-15 - 主分类号： 26-05-L0138 文献下载
摘要：后视图与主视图对称，左视图与右视图对称,省略后视图与左视图。
栅板

[外观设计]栅板-CN96320150.6无效
发明人：柯凰萍 -专利权人：照明隔栅制造公司
申请日： 1996-09-26 - 公布日： 1997-10-08 - 主分类号： 26-05-L0138 文献下载
摘要：后视图与主视图，左视图与右视图对称,
栅板

[外观设计]栅板-CN96320149.2无效
发明人：柯凰萍 -专利权人：照明隔栅制造公司
申请日： 1996-09-26 - 公布日： 1998-01-28 - 主分类号： 26-05-L0138 文献下载
摘要：后视图与主视图对称，左视图与右视图对称,省略后视图和左视图。
栅板

[实用新型]一种新型简易式宠物箱-CN202022076806.2有效
发明人：苏文 -专利权人：苏文
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： A01K1/03 文献下载
摘要：一种新型简易式宠物箱，包括下箱体，其特征在于，所述下箱体的上方两侧各设有端板，两所述端板之间设有栅网，所述端板的下端与所述下箱体的上端左右两侧配合对接，所述栅网的左右两侧与所述端板的对应侧边配合对接，所述栅网的前后下端与所述下箱体的上端前后两侧配合对接，所述下箱体、两端板和栅网围合呈箱体结构，所述端板和所述下箱体之间还通过卡扣卡紧连接。
一种新型简易宠物

[实用新型]一种可折叠的周转筐装置-CN202020808571.9有效
发明人：巩俊贤 -专利权人：唐山世拓金属制品有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： B65D6/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种可折叠的周转筐装置，涉及周转筐制造领域，包括支杆和栅板，栅板包括第一栅板与第二栅板，支杆包括上支杆与下支杆，上支杆与下支杆之间过插杆和插孔连接，插杆的一端设有孔，孔内插有卡针，插孔设在下支杆上，插杆插入到插孔处，插杆的一端设有孔，孔内插有对插杆锁紧的卡针，第一栅板与周转筐底板转动连接，第二栅板与上支杆固定连接。
一种可折叠周转装置

[实用新型]铅酸蓄电池板栅冲切切刀-CN201120561036.9有效
发明人：汪群华;沈小庚 -专利权人：江苏三环实业股份有限公司
申请日： 2011-12-29 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： B21D28/02 文献下载
摘要：铅酸蓄电池板栅冲切切刀，包括镜像设置的上切刀和下切刀，合拢后的上、下切刀的一侧冲切接口上沿切刀长度方向排列有若干个锥形腔，该若干个锥形腔的位置与待冲切板栅上的筋条一一对应，并由此使冲切后的板栅筋条的断口形成锥形，所述锥形腔由上、下切刀冲切工作面上设置的半锥形凹槽组合而成。通过使用本实用新型中的切刀对板栅进行切割，可使切割后的板栅筋条的断口呈锥形，方便套管。
蓄电池板栅冲切切

[发明专利]一种照明格栅墙-CN202010116070.9有效
发明人：谢家贤 -专利权人：竺坊建筑设计咨询（上海）有限公司
申请日： 2020-02-25 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： E04B2/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种照明格栅墙，涉及格栅墙领域，包括上横梁和下横梁，其特征在于，上横梁与下横梁之间转动设置有多个栅板，栅板两侧设置为相互配合的契合面，栅板于契合面内嵌设有发光条，栅板一侧嵌设有发光带，上横梁和/或下横梁内设置有用于同步带动多个栅板转动的联动装置，上横梁和/或下横梁上设置有电路切换装置，电路切换装置同时设置于发光带和发光条的电路上。
一种照明格栅

[发明专利]重水箱-CN201010531089.6有效
发明人：石辰蕾;范月容;张占利;孙林志;郎瑞峰 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G21C13/00 文献下载
摘要：本发明属于核反应堆技术领域，具体涉及一种重水箱，包括上法兰、主筒体、下法兰，所述主筒体的上端与上法兰焊接，还包括下封头组件，所述主筒体下端与下封头组件连接。在所述下封头组件上方设置有下栅板组件，包括下栅板和通过螺栓固定于其上的垂直孔道支撑件、冷源和烫源垂直孔道支撑件及安全棒导管支撑件，所述下栅板通过螺栓安装在短环上。所述下栅板组件还包括支撑短筒，所述下栅板固定在所述支撑短筒上，所述支撑短筒通过螺栓固定在凸台上。本发明提供的重水箱完全实现了重水慢化及重水作为反射层的功能，并具有多方位接口、安全可靠、密封性好等优点。
水箱

[实用新型]重水箱-CN201020591428.5无效
发明人：石辰蕾;范月容;张占利;孙林志;郎瑞峰 -专利权人：中国原子能科学研究院
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： G21C13/00 文献下载
摘要：本实用新型属于核反应堆技术领域，具体涉及一种重水箱，包括上法兰、主筒体、下法兰，所述主筒体的上端与上法兰焊接，还包括下封头组件，所述主筒体下端与下封头组件连接。在所述下封头组件上方设置有下栅板组件，包括下栅板和通过螺栓固定于其上的垂直孔道支撑件、冷源和烫源垂直孔道支撑件及安全棒导管支撑件，所述下栅板通过螺栓安装在短环上。所述下栅板组件还包括支撑短筒，所述下栅板固定在所述支撑短筒上，所述支撑短筒通过螺栓固定在凸台上。
水箱

[实用新型]一种V型引导式拦污栅-CN201922033887.5有效
发明人：江启峰;陈元玉;黄泇睿;李曼君;罗永鹏;李宗容 -专利权人：西华大学
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： E02B5/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及拦污栅技术领域，具体是一种V型引导式拦污栅，用于解决现有技术中挡污栅不便于将杂物集中起来，从而不便于对挡污栅上的杂物清除的问题。本实用新型包括挡污栅本体，所述挡污栅本体呈V形，所述挡污栅本体包括集污轨，所述集污轨的两侧分别安装有左挡污栅和右挡污栅，所述左挡污栅上沿其宽度方向设有左导物板，所述右挡污栅上沿其宽度方向设有右导物板。本实用新型中将挡污栅本体设置成V形，在水流的冲击下被挡在挡污栅本体上的杂物会集中在挡污栅本体的凹处，并且在左导物板和右导物板的引导下，漂浮物会随水流集中于拦污栅本体的凹处，如此就更容易将杂物集中起来，从而更容易对挡污栅本体上的杂物进行清除
一种引导式拦污栅

[发明专利]一种耐高击穿电压的GaN HEMT器件-CN202011249384.2有效
发明人：冯全源;陈飞;文彦 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高击穿电压的GaN HEMT器件，属于GaN HEMT器件技术领域，包括从下至上依次设置有衬底二、GaN缓冲层二、GaN沟道层二、AlGaN势垒层二、栅介质层二和SiO2钝化层二，在GaN缓冲层二上方的两端分别设置有源电极二和漏电极二，在靠近源电极二的栅介质层二上设置有栅电极二，栅介质层二内设置有栅下极化层，且栅下极化层直接与下方的AlGaN势垒层二接触，SiO2钝化层二内设置有第一栅分段场板和第二栅分段场板，可有效解决使用传统栅场板技术的GaN HEMT器件耐击穿电压低的问题。
一种击穿电压 gan hemt 器件