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[发明专利]高电子迁移率晶体管及高压半导体装置-CN202010623811.2在审
发明人：黄嘉庆;陈志谚;吴俊仪;萧智仁 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种高电子迁移率晶体管，包括基底、三五族沟道层、三五族阻挡层、三五族盖层、源极电极、第一漏极电极、第二漏极电极、以及连接部。其中，三五族沟道层、三五族阻挡层、及三五族盖层依序设置于基底上。源极电极设置于三五族盖层的一侧，第一漏极电极及第二漏极电极设置于三五族盖层的另一侧。第一漏极电极的底面分离于第二漏极电极的底面，且第一漏极电极的组成不同于第二漏极电极的组成。
电子迁移率晶体管高压半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310532887.4有效
发明人：袁理 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法，至少包括：提供第一半导体基片；在所述第一半导体基片的上表面形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族半导体器件，所述三五族半导体器件位于所述三五族化合物层的上表面；在所述三五族化合物层的上表面键合第二半导体基片；利用衬底剥离的工艺剥离所述第一半导体基片，以露出所述三五族化合物层的下表面；利用离子注入工艺从所述三五族化合物层下表面注入强电负性离子。
族化合物半导体基片半导体器件上表面下表面制作离子注入工艺衬底剥离漏电衬底负性键合耐压强电制备离子剥离

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN201310533220.6在审
发明人：袁理 -专利权人：中航（重庆）微电子有限公司
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法至少包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在所述硅衬底的所述第一表面上形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族化合物器件；对所述硅衬底的第二表面进行刻蚀工艺，以在所述硅衬底中形成暴露出所述三五族化合物层的沟槽，且所述沟槽位于所述三五族化合物器件的下方；利用离子注入工艺对所述沟槽底部暴露出的所述三五族化合物层注入强电负性离子本发明的技术方案提供的半导体器件获得较高的击穿电压，实现了基于硅衬底的三五族化合物器件的生产。
半导体器件及其制作方法

[实用新型]三五族太阳能电池结构-CN201020630891.6无效
发明人：张一熙;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种三五族太阳能电池结构，是在基板上形成三层非晶硅层，其包含第一型非晶硅层、本质型非晶硅层与第二型非晶硅层，再利用非晶硅层本身晶格的特性，使三五族的多晶半导体层可形成于非晶硅层上，同时，藉由三五族的材质本身具有直接能隙，故可藉由非晶硅与三五族材质同时进行光能转换，而有效提升三五族太阳能电池的光电转换效率。
三五太阳能电池结构

[发明专利]三五族太阳能电池及其制作方法-CN201010564156.4无效
发明人：张一熙;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种三五族太阳能电池及其制作方法。本发明是在基板上形成三层非晶硅层，这三层非晶硅层包含第一型非晶硅层、本质型非晶硅层与第二型非晶硅层，再利用非晶硅层本身晶格的特性，使三五族的多晶半导体层可形成于非晶硅层上，同时，由于三五族的材质本身具有直接能隙，因此可通过非晶硅与三五族材质同时进行光能转换，而有效提升三五族太阳能电池的光电转换效率。
三五太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种降低硅基异质外延生长三五族半导体中位错缺陷密度的方法-CN202011641242.0在审
发明人：王冰;施裕庚;金运姜;余思远 -专利权人：中山大学
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种降低硅基异质外延生长三五族半导体中位错缺陷密度的方法，包括：用PECVD在硅(001)衬底上沉积二氧化硅或氮化硅薄膜作为掩膜层；制作出掩膜图形然后在其上制作出V型槽得到图形化硅衬底；选择性外延生长三五族半导体材料；在完成生长的材料表面沉积二氧化硅薄膜，将外延生长的三五族材料完全覆盖，并进行热处理与CMP表面平整化；通过键合将生长的三五族半导体材料转移到另一个硅(001)衬底上，将三五族外延层缺陷密度最高的底部反转过来；去除原硅(001)衬底及原V型槽底部的高缺陷密度三五族半导体，保留高质量部分并以其为衬底，外延生长激光器器件结构。本发明可获得低位错密度(106/cm2)的硅基三五族外延材料，实现高性能的硅基光源。
一种降低硅基异质外延生长三五半导体中位错缺陷密度方法

[发明专利]一种半导体器件结构及其制备方法-CN202211291561.2在审
发明人：王玮竹;许东;沈硕珩;江灵荣;任芳;尚金铭 -专利权人：上海新微半导体有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，半导体器件结构包括：衬底层、埋氧层、第一基层、第二基层、第一器件结构和第二器件结构，第一基层上设置三五族化合物半导体层，第一器件结构基于三五族化合物半导体层形成本发明通过在单片集成单元中采用金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高了三五族化合物器件与其他器件之间的电绝缘隔离性能，减少寄生器件或漏电流，提高单片集成单元的可靠性；同时金刚石作为三五族化合物器件的基底，提高三五族化合物器件的散热效率，加强单片集成单元在大功率器件领域的应用适应性。
一种半导体器件结构及其制备方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN201610581300.2在审
发明人：薛清全;彭柏瑾;廖文甲;陈世鹏 -专利权人：台达电子工业股份有限公司
申请日： 2016-07-22 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：该半导体装置包含基板、多个三五族氮化物半导体层、源极、栅极、漏极以及掺杂层。三五族氮化物半导体层置于基板上，且二维电子气通道形成于三五族氮化物半导体层中。源极、栅极与漏极置于三五族氮化物半导体层上。掺杂层置于栅极与三五族氮化物半导体层之间。掺杂层包含多个掺杂物，且掺杂物的浓度沿着水平方向变化。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201210043163.9无效
发明人：张翼;林岳钦;张嘉华;金海光 -专利权人：财团法人交大思源基金会
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：该半导体元件包含：三五族半导体层；一氧化铝层，形成于该三五族半导体层上；以及一镧系氧化物层，形成于该氧化铝层上。该制造半导体元件的方法包含：形成一氧化铝层于三五族半导体层与一镧系氧化物层之间，以防止该三五族半导体层与该镧系氧化物层之间的原子扩散作用。
半导体元件及其制作方法

[发明专利]三五族半导体的太阳能电池结构及其制作方法-CN201010564122.5无效
发明人：张一熙;刘吉人 -专利权人：吉富新能源科技(上海)有限公司
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明提供一种三五族半导体的太阳能电池结构及其制作方法，所述三五族半导体的太阳能电池结构包括一透明基板、一非晶硅层及至少一层三五族多晶半导体层(Group III-V polycrystal semiconductor)，其中非晶硅层是利用电浆辅助化学气相沉积法形成于透明基板上，而三五族多晶半导体层是利用金属有机化学气相沉积法依序形成于非晶硅层上。由于本发明是使用透明基板来取代传统的三五族基板，因此本发明可大幅降低成本，增加太阳能电池的面积，进而增加吸光面积，提升转换效率。
三五半导体太阳能电池结构及其制作方法

[实用新型]三五族半导体器件-CN201922063197.4有效
发明人：江羿鋐;何伟志;吴俊鹏 -专利权人：吴俊鹏;陈纪宇
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种三五族半导体器件，包括衬底、设置于衬底上的外延层、及设置于外延层上的多个接触区。此三五族半导体器件能以最小的成本及最短工艺制作时间快速验证三五族外延的特性。
三五半导体器件

[发明专利]硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件-CN201811303611.8在审
发明人：赵壮;刘磊;乐阮平;王霆;张建军 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本申请涉及一种硅基衬底、衬底基板及其制造方法、光电器件，涉及电子技术应用领域，包括：硅基衬底，硅基衬底的一面具有周期性的凸起结构，每个凸起结构的侧面与底面存在倾角；设置在硅基衬底具有凸起结构的一面上的三五族材料层在该衬底基板中，由于硅基衬底的一面不再是硅(100)晶面，而是具有周期性的凸起结构，该凸起结构能够实现位错的自湮灭，将晶格失配以及反相畴所导致的位错限制在硅基衬底这一层，使得三五族材料在该硅基衬底上外延生长时，能够保持整齐的晶体结构，因此，能够减少硅基衬底和三五族材料之间的晶格失配和反相畴等问题，提高三五族材料在该硅基衬底上的良品率。本申请用于在硅基衬底上形成高质量的三五族材料。
衬底及其制造方法光电器件

[发明专利]三五形码-CN02144140.5无效
发明人：王治阳 -专利权人：王治阳
申请日： 2002-10-05 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： G06F3/023 文献下载
摘要：本发明三五形码属于电脑汉字编码方法，通对对合体字的第一部分、第二部分的码长作优化规定，再按书写顺序主要以每二笔编码，并优选组字部件、字型，使得一般人20分钟左右可学会，并且还具有码长短，重码率很低，高速盲打输入突出优点
三五

[发明专利]三五数码-CN03106241.5无效
发明人：王治阳 -专利权人：王治阳
申请日： 2003-02-18 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： G06F3/023 文献下载
摘要：本发明三五数码属于电脑汉字编码方法，因将汉字分为三块即简单汉字、复杂汉字第一部分、复杂汉字第二部分，根据横竖撇捺折五种基本笔画的相交与否编码，特别适用只有十个阿拉伯数字的光电子产品如手机、掌上电脑等，所以称为三五数码
三五数码

[实用新型]LED脉宽调光装置-CN200920234961.3无效
发明人：环要武;陈斌 -专利权人：常州市巨泰电子有限公司
申请日： 2009-08-14 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种LED脉宽调光装置，三五定时器的放电端连接一个充放电装置，充放电装置一端与连接电源正极端的电阻连接，充放电装置另一端连接一个第一电压比较器，三五定时器的高电平触发端及低电平触发端并联后通过导线连接于充放电装置与第一电压比较器之间，三五定时器的控制电压端通过第二电压比较器电源负极端，三五定时器的输出端与LED灯的控制管一端连接，LED灯的另一端连接电源正极端。
led 调光装置

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