[发明专利]产生二维或三维导电或半导电结构的方法,擦除该结构的方法及产生上述电路结构所用的电场发生器/调制器

摘要

在一种在复合基体中产生二维或三维导电或半导电结构的方法中,其中的基体是由两种或多种空间上隔开的材料构成的,一电场施加到各个材料上,或者电场是根据一协议而空间场调制的,上述协议代表使上述材料结构响应于所述电场所产生的预定导电或半导电结构的图案。所述材料结构组成的基体因此包括这种三维结构。在一种全面擦除的方法中,对基体施加一电场,直到基体中的材料响应于电场全部到达非导电态。在能构图或产生导电或半导电结构的电场发生器/调制器(EFGM)中,两个电极装置(E1,E2)包括在平行的平面内相互间隔开提供的平行条形(21,22),由此形成矩阵状结构。电极装置(E1,E2)是连接到电源(23)的过交连器件(24,25)。EFGM(20)适于在电极器件(E1,E2)中间接收薄膜材料以便产生所述结构。

主权项

1．一种在复合基体中产生二维或三维导电或半导电结构的方法：其中的基体是由以一个或多个在空间上分开的同质材料结构提供的一种或多种材料分别组成的；其中的材料响应于所供给的能量可产生状态的特定和／或化学变化，从而引起由非导电态至导电态或半导电态或是相反的转变，或者是材料导电模式的转变；其中的每种材料结构都制成薄层的形式，特征在于通过为单独的一层施加具有指定场强的电场和／或具有使材料对由电场供给的能量产生特定响应的特性的电场，在每种情况下按照预定的协议对电场的空间调制代表在相关的材料结构中预定的导电或半导电结构的图形，借此在各个层中响应于电场所供给的能量，产生按协议预定图形的二维导电或半导电结构，然后优选所得的两层或更多层而成为堆叠结构，这样由相邻的各个单层形成的复合基体提供了三维的导电或半导电结构。