[发明专利]半导体层激光退火的方法

摘要

一种用于恢复经受结构损伤的硅之类的淀积半导体薄膜晶性的激光退火方法，所述方法包括通过用波长为400nm或更短和脉宽为50nsec或更窄的脉冲式激光束照射在薄膜的表面上激活半导体的步骤，其中，所述淀积薄膜被涂敷透明薄膜，如氧化硅之类的薄膜，其厚度为3至300nm，所采用的入射到所述涂层的激光束的能量密度为E(MJ/cm²)，并满足关系式：log₁₀N≤-0.02(E-350)，其中N是脉冲式激光束的发射数目。

主权项

1.一种使半导体层激光退火的方法，包括下列步骤：发射激光束，激光束的横截面具有一定的宽度和长度；用横向“蝇眼”型透镜使所述激光束的能量沿横截面的宽度方向均匀分布；用垂直“蝇眼”型透镜使所述激光束的能量沿横截面的长度方向均匀分布；用第一圆柱形凸透镜使所述激光束在通过所述横向“蝇眼”型透镜之后只沿宽度方向聚光；用第二圆柱形凸透镜使所述激光束在通过所述第一垂直“蝇眼”型透镜之后只沿长度方向聚光；用第三圆柱凸透镜使激光束在通过所述第一和第二圆柱形凸透镜之后只沿所述宽度方向聚光；和用通过所述第一、第二和第三圆柱形凸透镜之后的激光束照射半导体层；其特征在于，所述第三圆柱形凸透镜远离所述第一圆柱形凸透镜一段大于所述第一圆柱形凸透镜焦距的距离配置；用经所述第三圆柱形凸透镜聚光的聚光激光束扫描所述半导体层，具体作法是使所述半导体层沿横截面的宽度方向与所述聚光激光束相对运动。