[发明专利]用于半导体处理的原位测量方法及装置有效
| 申请号： | 99124457.5 | 申请日： | 1999-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN1255743A | 公开（公告）日： | 2000-06-07 |
| 发明（设计）人： | B·弗利特纳;K·P·穆勒 | 申请（专利权）人： | 西门子公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的原位测量工艺参数的测量器件包括其上形成有至少一个处理芯片的半导体晶片。处理芯片还包括至少一个测量工艺参数的传感器。还包括在至少一个传感器测量到工艺参数时存储工艺参数的存储器件。提供与时间成函数关系跟踪工艺参数的定时器件,还包括为至少一个传感器、存储器件以及定时器件供电的电源。此外,还介绍了用测量器件进行测量的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 处理 原位 测量方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种原位测量工艺参数的测量器件，包括：其上形成有至少一个处理芯片的半导体晶片；处理芯片还包括：至少一个测量工艺参数的传感器；当至少一个传感器测量到工艺参数时，存储工艺参数的存储器件；跟踪与时间成函数关系的工艺参数的定时器件；以及为至少一个传感器、存储器件以及定时器件供电的电源。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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