[发明专利]高压烧结合成聚合物大尺寸晶体的方法无效
| 申请号： | 99115069.4 | 申请日： | 1999-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN1107747C | 公开（公告）日： | 2003-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄锐;李良彬 | 申请（专利权）人： | 四川大学 |
| 主分类号： | C30B29/58 | 分类号： | C30B29/58;C30B1/00 |
| 代理公司： | 成都科海专利事务有限责任公司 | 代理人： | 邓继轩 |
| 地址： | 61006*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 高压烧结合成聚合物大尺寸晶体的方法，其特点是将聚合物先在常压或高压300～400MPa下结晶，获得一定厚度的聚合物晶体，用化学方法处理去除样品中的无定形部分，然后将去除无定形部分的小晶体用于高压烧结，压力为100～800MPa，温度200～350℃，时间2～80小时，通过晶体界面的化学物理作用，达到晶体的融合再结晶，从而获得聚合物大尺寸晶体，用电子显微镜观察证明生成了2～100μm伸直链晶体，这是在相同条件下用传统方法无法达到的。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 烧结 合成 聚合物 尺寸 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1、高压烧结合成聚合物大尺寸晶体的方法，其特征在于：(1)将聚合物在常压或高压300～400MPa下，于温度70～350℃结晶2～48小时，获得含聚合物晶体和无定形部分的样品，(2)将常压或高压下结晶的样品，在介质中于温度70～220℃化学处理8～120小时，其中，样品与介质之比为1∶2～20，去除样品中的无定形部分，(3)将化学处理后的样品清洗后，于温度60～100℃真空干燥6～12小时后用于高压烧结，压力100～800MPa，温度200～350℃，时间为2～80小时，获得聚合物大尺寸晶体，用电子显微镜观察证明生成了2～100μm的伸直链晶体，其中介质为水、盐酸或发烟硝酸。
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