[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 99110621.0 | 申请日： | 1999-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1156903C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 格利高里·布莱克尔曼;拉纳斯·文卡拉曼;马修·托马斯·赫里克;辛迪·R·辛普森;罗伯特·W·费阿达里斯;蒂安·L·登宁;阿杰·吉恩;克里斯蒂纳·卡帕瑟 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/283;H01L21/324;H01L21/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在衬底(10)上制作互连(60)。在一个实施例中，在衬底(10)上淀积粘合/势垒层(81)、铜合金引晶层(42)和铜膜(43)，并对衬底(10)进行退火。在一个变通实施例中，在衬底上淀积铜膜，并对铜膜进行退火。在又一个实施例中，在衬底(10)上淀积粘合/势垒层(81)、引晶层(82)、导电膜(83)和铜合金帽膜(84)，以形成互连(92)。淀积和退火步骤可以在普通的工艺平台上执行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征是：在衬底上制作势垒层；在势垒层上制作引晶层，其中的引晶层包括铜合金的连续膜；在连续膜引晶层上制作导电膜；以及对衬底进行退火，其中退火促进合金成分从连续膜引晶层向导电膜的表面和界面迁移，以改善导电膜的电阻特性并促进导电膜对下层的势垒层的粘附。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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