[发明专利]半导体存储器件及老化检测的方法无效
| 申请号： | 99107443.2 | 申请日： | 1999-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN1133174C | 公开（公告）日： | 2003-12-31 |
| 发明（设计）人： | 菅宏一郎 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;G11C11/34;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 写电路对应数据输入信号向存储单元输出写命令。解码器解码地址输入信号并向存储单元输出地址命令。计数器向解码器输出信号，对应在进行老化检测时输入的控制信号延迟解码时间。因此，计数器通过将解码时间的工作周期延迟到被传送到存储单元的来自写电路的写命令信号的工作周期取消了延迟的写周期。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 老化 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有存储单元的半导体存储器件，其包含：对应于数据输入信号向存储单元输出写命令的写电路；解码存储单元的地址命令的解码器；控制单元，对应于在进行老化检测时输入的控制信号将延迟解码时间的信号输出到解码器；其特征在于控制单元具有将解码时间的工作周期延迟一个周期到从写电路传送到存储单元的写命令信号的工作周期。
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