[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 99103387.6 申请日: 1999-02-05
公开(公告)号: CN1162904C 公开(公告)日: 2004-08-18
发明(设计)人: 国清辰也 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L23/50;H01L23/28;H01L23/36;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 叶恺东
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 利用应力缓冲膜把半导体芯片叠置在绝缘基板上,同时(a)在由于热膨账产生的应力密度最高区域的芯片周围部分连接应力缓冲膜,在绝缘基板的周围部分设置遮蔽用电极,则减少了芯片和信号用电极的分担应力。(b)在芯片周围连接遮蔽层应力缓冲膜。或对于绝缘基板上的每个信号用电极,设置同轴状筒形遮蔽层阵列。(c)制造装配散热片的封壳。(d)绝缘基板,密封材料,封壳等构件任何一个构件,由包含重氢的树脂构成。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征是具有:在主面上形成电路元件的半导体芯片;具有和用于在主板上安装该半导体芯片的所述的半导体芯片实质上相同面积的绝缘基板;在该绝缘基板主面以引线栅格阵列结构设置的信号用电极;设置在所述绝缘基板主面周围部分,以包围所述的信号用电极,同时接地或连接电源电位,以遮蔽所述的信号用电极的遮蔽用电极;粘接在所述的半导体芯片主面和所述的绝缘基板背面各面的周围部分,缓和半导体芯片产生的应力的应力缓冲膜;在所述的半导体芯片主面和所述的绝缘基板背面之间密封的树脂密封材料;具有和所述的半导体芯片实质上相同面积、容纳树脂封装的所述的半导体芯片和所述的应力缓冲膜以及所述的绝缘基板的树脂封壳;所述的绝缘基板在背面具有载体膜,所述的载体膜包含能切换所述的芯片电极和所述的信号用电极或所述遮蔽用电极的电连接方法的内部电路;将绝缘基板主面的信号用电极和遮蔽用电极连接在主板的电极上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99103387.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top