[发明专利]带有静电放电保护结构的减少了电容的晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 98812384.3 | 申请日： | 1998-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1143387C | 公开（公告）日： | 2004-03-24 |
| 发明（设计）人： | M·J·阿伦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L29/788 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于提供能用标准工艺来制造的、带有ESD保护的减少了电容的晶体管的方法和装置。该晶体管包括：衬底(310)；在该衬底内形成的源区(340)；以及也在该衬底内形成的阱区。该晶体管还包括具有第1终端区、第2终端区和位于该第1与第2终端区之间的电阻性区域的漏区(320)。该漏区至少部分地在该阱区内形成。漏接点在该漏区的第1终端区上形成。在该源区与该漏区的第2终端区之间的该衬底上形成栅结构(330)。该栅结构界定将源区连接到漏区的沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 静电 放电 保护 结构 减少 电容 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种带有静电放电 保护的减少了电容的晶体管，其特征在于，包括：衬底；在上述衬底内形成的源区；包括第1终端区和第2终端区的漏区，上述漏区还包括在上述第1终端区与上述第2终端区之间的电阻性区域，形成该电阻性区域的材料跟第1和第2终端区的相同；在上述衬底内形成的阱区，所述阱区在漏区的第1终端区之下，在漏区的电阻性区域之下，并至少有部分在第2终端区之下；在上述漏区的上述第1终端区上形成的漏接点；以及栅结构，形成在上述源区与上述漏区的第2终端区之间的上述衬底上，上述栅结构界定将上述源区连接到上述漏区的沟道区。
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