[发明专利]有动态自放大存储单元的DRAM单元装置及其制造方法

摘要

在自放大的动态存储单元装置中，每个存储单元具有一个选择晶体管，一个存储晶体管和一个二极管结构。选择晶体管和存储晶体管是垂直MOS晶体管，并且是互相叠起布置的。它们经一公共源/漏区(7＇)互相连接。存储晶体管的一个源/漏区(2)与一个电源线连接，选择晶体管的一个源/漏区(5＇)与一个位线连接，选择晶体管的栅极(19)与一个字线连接。二极管结构(11，12，14)连接在存储晶体管的公共源/漏区(7＇)和栅电极(11)之间。

主权项

1.DRAM单元装置，-其中，在一个衬底(1)中集成地配置大量动态自放大存储单元，-其中，每个存储单元具有一个选择晶体管，一个存储晶体管和一个二极管结构，-其中，选择晶体管和存储晶体管是各自构成相对于衬底的一个主面的垂直MOS晶体管，-其中，选择晶体管和存储晶体管是互相叠起布置的，并且经一个公共的源/漏区域(7’)互相连接，-其中，存储晶体管的一个源/漏区(2)是与一电源线连接的，选择晶体管的一个源/漏区(5’)是与一个位线连接的，并且选择晶体管的栅电极(19)是与一字线(17’，19)连接的，并且该二极管结构(11，12，14)是连接在公共源/端区(7’)和存储晶体管的栅电极(11)之间的，-其中，该衬底(1)具有各柱体(9)，它们是垂直于衬底主面布置的，-其中，选择晶体管和存储晶体管是各自布置的各柱体(9)之一的各侧壁上的，在此选择晶体管和存储晶体管的各栅电极(11，19)和该二极管结构(12，14)环状地包围这些柱体(9)。