[发明专利]具有防潮隔膜的半导体器件无效
| 申请号： | 98101046.6 | 申请日： | 1998-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1083619C | 公开（公告）日： | 2002-04-24 |
| 发明（设计）人： | 冈村龙一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 设符号A为接触口深度，B为接触口直径，C为在隔膜和半导体衬底之间形成的底层氧化物厚度，D为进行氧化物湿法刻蚀以去掉硅上自然生长的氧化物和减少接触电阻而在接触口内部形成的隔膜檐的突出长度，确立有如下关系式，tan-1(B/A)＜tan-1((B-D)/(A-C)).用于阻止外界潮气侵入的隔膜可由一层氮化物薄膜组成，或者由向底层氧化物表面注入氮离子所形成的薄膜组成。$#! | ||
| 搜索关键词： | 具有 防潮 隔膜 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种由硅半导体衬底、底层氧化物和用以防止外界潮气侵入的隔膜组成的半导体器件，其特征在于，设定用符号A表示接触口深度，用B表示所述的接触口直径，用C表示在所述的隔膜和所述的硅半导体衬底之间形成的底层氧化物的厚度，用D表示所述的隔膜檐的突出长度，膜檐是为去掉硅半导体衬底上自然生长的氧化物和降低接触电阻而进行氧化物的湿法刻蚀形成在接触口内部的，按以上设定确立下列关系：tan-1(B/A)＜tan-1((B-D)/(A-C)).
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
