[发明专利]聚合物发光二极管无效
| 申请号: | 97199523.0 | 申请日: | 1997-11-07 |
| 公开(公告)号: | CN1236489A | 公开(公告)日: | 1999-11-24 |
| 发明(设计)人: | 艾弗·戴维·威廉·塞缪尔;安德鲁·蒙克曼;埃马尔·勒布特;斯图尔特·戴利 | 申请(专利权)人: | 达勒姆大学 |
| 主分类号: | H01L51/20 | 分类号: | H01L51/20;H01L51/30 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
| 地址: | 英国达*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 适合进行光发射的装置,其包括多个分层,其中第一外层4适用于电子注入,与之相对的第二外层2适用于“空穴”注入,而设在它们中间的一个或多个中间层3,7适用于电荷半导电,其中中间层包括至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物7,和至少一种适合于空穴迁移和/或电子阻断的半导电聚合物3,其中至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物7包括选自包含部分或全部共轭的聚合物的氮和/或硫,在装置中使用的半导电聚合物和制备该聚合物的新方法,作为半导体使用的基本上没有电荷抑制或俘获部分的分层,制作该分层的方法和控制分层的方法。 | ||
| 搜索关键词: | 聚合物 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.有效进行光发射的装置,其包括多个分层,其中第一外层适用于电子注入,与之相对的第二外层适用于“空穴”注入,而设在它们中间的一个或多个中间层适用于电荷半导电,其中中间层包括至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物,和至少一种适合于空穴迁移和/或电子阻断的半导电聚合物,其中至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物,选自包含部分或全部共轭的聚合物的氮和/或硫聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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