[发明专利]聚合物发光二极管无效

专利信息
申请号: 97199523.0 申请日: 1997-11-07
公开(公告)号: CN1236489A 公开(公告)日: 1999-11-24
发明(设计)人: 艾弗·戴维·威廉·塞缪尔;安德鲁·蒙克曼;埃马尔·勒布特;斯图尔特·戴利 申请(专利权)人: 达勒姆大学
主分类号: H01L51/20 分类号: H01L51/20;H01L51/30
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 程伟
地址: 英国达*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 适合进行光发射的装置,其包括多个分层,其中第一外层4适用于电子注入,与之相对的第二外层2适用于“空穴”注入,而设在它们中间的一个或多个中间层3,7适用于电荷半导电,其中中间层包括至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物7,和至少一种适合于空穴迁移和/或电子阻断的半导电聚合物3,其中至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物7包括选自包含部分或全部共轭的聚合物的氮和/或硫,在装置中使用的半导电聚合物和制备该聚合物的新方法,作为半导体使用的基本上没有电荷抑制或俘获部分的分层,制作该分层的方法和控制分层的方法。
搜索关键词: 聚合物 发光二极管
【主权项】:
1.有效进行光发射的装置,其包括多个分层,其中第一外层适用于电子注入,与之相对的第二外层适用于“空穴”注入,而设在它们中间的一个或多个中间层适用于电荷半导电,其中中间层包括至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物,和至少一种适合于空穴迁移和/或电子阻断的半导电聚合物,其中至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物,选自包含部分或全部共轭的聚合物的氮和/或硫聚合物。
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