[发明专利]聚合物发光二极管

权利要求书

1．有效进行光发射的装置，其包括多个分层，其中第一外层适用于电子注入，与之相对的第二外层适用于“空穴”注入，而设在它们中间的一个或多个中间层适用于电荷半导电，其中中间层包括至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物，和至少一种适合于空穴迁移和/或电子阻断的半导电聚合物，其中至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物，选自包含部分或全部共轭的聚合物的氮和/或硫聚合物。

2．根据权利要求1所述的装置，其中至少一种适合于电子迁移和/或空穴阻断的半导电聚合物选自共轭多环聚合物，其中至少一个氮和/或硫是包含在共轭杂环系统中的杂原子。

3．根据权利要求1和2中任一项所述的装置，其中可以用建立正负电荷载体重合的边界区随后以形成较高亮度和/或外量子效率的方式建立相对于发射区中的第一和第二外层定位的结的形式来控制电子和/或“空穴”的迁移和重合。

4．根据权利要求1～3中任一项所述的装置，其中结可以与两个半导电层之间的界面重叠或桥接在两个半导电层之间的界面，所述两个半导电层具有不同的电荷半导电特性。

5．根据权利要求1～4中任一项所述的装置，其中至少一个电荷半导电层或其分层能够通过电致发光而产生附带的光发射。

6．根据权利要求5所述的装置，其中能通过电致发光而产生附带光发射的至少一个电荷半导电层或其分层基本上与电荷载体的重合结相重叠。

7．根据权利要求1～6中任一项所述的装置，其中半导电层的厚度比范围为0.1～10，更优选的是0.15～9，最优选的是0.3～5，最小的厚度层代表最低效率的电荷半导体。

8．根据权利要求1～8中任一项所述的装置，其中适合于电子注入的分层由金属、合金或半导体构成，优选的是钙、镁、金，或更优选的是铝，其可选择性地作为与合适试剂混合的混合物。

9．根据权利要求1～8中任一项所述的装置，其中适合于空穴注入的分层可以由空穴注入材料构成，优选的是选自金属、合金或半导体例如氧化铟锡(ITO)、氧化锡以及可作为透明导体的PEDOT、聚苯胺或类似的聚合物、金和它们与合适试剂混合的混合物。

10．根据权利要求1～9中任一项所述的装置，其中适合于电子迁移和/或空穴阻断的分层可以由包含上述权利要求1或2中所述聚合物的n型导电氮和/或硫构成，它们选自下列一组物质：聚吡啶(Ppy)、聚烷基吡啶、聚嘧啶、聚烷基嘧啶、聚噻唑、聚烷基噻唑、衍生物例如氟化衍生物、类似物和其功能等同物。

11．根据权利要求1～10中任一项所述的装置，其中电子迁移和/或空穴阻断半导电聚合物实际上通过电子抑制或俘获形式进行净化，而空穴迁移和/或电子阻断半导电聚合物实际上通过空穴抑制或俘获形式进行净化。

12．根据权利要求11所述的装置，其中电子迁移和/或空穴阻断半导电聚合物是高纯度的，优选为阳离子游离的形式，其中从所用聚合试剂中衍生的阳离子或是这种试剂的制备实际上都不存在从聚合物结构得到的合成基。

13．根据权利要求12所述的装置，其中电子迁移和/空穴阻断半导电聚合物是通过产物母体的单体和/或低聚物在零价螯合金属试剂和阳离子盐存在的情况下进行反应制得的，其中零价螯合金属在化学数量上超过阳离子。

14．根据权利要求1～13中任一项所述的装置，其中空穴迁移和/或电子阻断的聚合物由任何一种p型导电材料构成，所述材料是共轭的有机颗粒、染料或染料掺杂的聚合物系统，优选的是聚对亚苯基1,2亚乙烯基(PPV)，聚[2-甲氧基-5-(2’-乙基-己氧基)-p-亚苯基1,2亚乙烯基](MEM-PPV)，氰基PPV，聚(p-亚苯基)，聚(烷基噻吩)，衍生物，单体，低聚物，类似物和其功能等同物。

15．根据权利要求1～15中任一项所述的装置，其中包括其它支撑、密封或保护层。

16．根据权利要求1～15中任一项所述的装置，可在便携式或固定型且具有任何所需表面面积的发光显示器(LED)上使用。