[发明专利]半导体元件的制造方法

摘要

一种半导体元件的制造方法，通过减弱源极区的电场而减少接合泄漏，从而改善DRAM单元的刷新特性。在形成于第一导电型的P型衬底上的P型阱区与第二导电型的N型源极区的接合边界面上，形成第二导电型的杂质区，通过向源极区注入填充离子来增加源极区的耗尽区长度，在注入填充离子后对源极区进行逆掺杂。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成第一导电型阱区的步骤；在所述阱区内的规定部分形成第二导电型杂质区的步骤；在形成有所述阱区的所述半导体衬底上面的规定部分形成栅极电极的步骤；以及在所述栅极电极两侧的阱区内形成第二导电型源极和漏极区的步骤，该步骤包括：所述源极区形成在所述杂质区与所述衬底表面之间的步骤，在形成有所述栅极、所述源极区及所述漏极区的所述半导体衬底整个表面上形成层间绝缘膜的步骤，蚀刻所述层间绝缘膜的规定部分而形成存储节点接触孔的步骤，作为填充离子而向所述源极区注入第二导电型杂质的步骤，在所述层间绝缘膜上面形成接触所述源极区的存储节点电极的步骤。