[发明专利]化合物半导体发光器件有效
| 申请号： | 97118235.3 | 申请日： | 1997-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1093988C | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 石川正行;新田康一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有高抗浪涌能力和高可靠性的半导体发光二极管，其结构包括形成在发光元件的阳极和阴极之间的附加电容。具体地，在兰宝石衬底上有n型GaN半导体层、GaN基半导体有源层、和p型GaN基半导体层的LED中，阴极形成在n型GaN半导体层上，并且电极布线从p型GaN基半导体层的顶部延伸以形成电容。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体发光器件，包括：具有第一接触区和第二接触区、与所述第一接触区连接的第一电极、与所述第二接触区连接的第二电极、和在所述第一电极与所述第二电极重叠的区域用来分隔所述第一电极和所述第二电极的绝缘层的化合物半导体发光元件；由所述绝缘层、所述第一电极和所述第二电极构成的电容元件，其中，所述化合物半导体发光元件包括InxAlyGa(1-x-y)N层(0≤x≤1，0≤y≤1)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/97118235.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
