[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 97110564.2 | 申请日： | 1997-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1175090A | 公开（公告）日： | 1998-03-04 |
| 发明（设计）人： | 栗山祐忠;塘一仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L27/10;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体元件中,可在两层以上的多晶硅的层间进行直接连接,可减少工序数目,可得到多晶接点的尺寸不变大的连接结构。为了在半导体元件的三层多晶硅结构中得到层间连接,使第二层多晶硅的膜厚和/或其上的层间绝缘膜的厚度减薄,在三层间进行刻蚀,得到多晶接点。此外将其应用于使用了TET的SRAM。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：具有在半导体衬底上形成的第一导电膜、在该第一导电膜上将第一绝缘膜夹在中间形成的第二导电膜、在该第二导电膜上将第二绝缘膜夹在中间形成的第三导电膜、以及从该第三导电膜开始至少贯穿上述第二绝缘膜和第一绝缘膜到达上述第一导电部分和上述半导体衬底的柱状连接部分；上述第二导电膜与上述柱状连接部分在其端面处相接；将上述第二导电膜的厚度形成得比第三导电膜的厚度薄。
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