[发明专利]半导体存储单元的制造方法无效
| 申请号： | 97103791.4 | 申请日： | 1997-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1174407A | 公开（公告）日： | 1998-02-25 |
| 发明（设计）人： | 高相基 | 申请（专利权）人： | LG半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余朦 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储单元制造方法包括具有有源区的半导体衬底上形成预定厚度的场氧化膜以覆盖有源区;去掉部分场氧化膜;在有源区的预定位置上形成至少一个栅极电极在衬底内在栅极电极的第一侧上形成第1源极区和漏极区;在包括栅极电极的衬底的上形成层间电介质膜;刻蚀层间电介质膜形成接触孔;在衬底规定区域上和接触孔内形成位线;刻蚀层间电介质膜形成节点接触孔以把部分第1源极区和与第1源极区毗邻的部分场区露出;在层间电介质膜上和通过该处的节点接触孔内形成节点电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储单元制造方法，它由下述步骤组成：在具有有源区的半导体衬底上形成具有预定厚度的场氧化膜以覆盖有源区；去掉部分场氧化膜；在有源区的预定部分上形成至少一个栅极电极；在栅极电极的每一侧上边在衬底内形成第1源极区和漏极区；在包括栅极电极的衬底上形成层间电介质膜；用刻蚀层间电介质膜的办法形成接触孔；在衬底规定区域上和接触孔内形成位线；用刻蚀层间电介质膜的办法形成节点接触孔以使部分第1源极区和部分与第1源极区毗邻的场区露出来；在层间电介质膜上和通过该处的节点接触孔内形成节点电极；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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